晶体管(226)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
2SC4901YK-TR-E	0.5400	询价	213	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				100毫W	3-CMPAK	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-2SC4901YK-TR-E	EAR99	8541.29.0095	1				-												9V	50毫安							NPN		50@20mA，5V	9GHz			1.2dB@900MHz
UPA2752GR-E1-A	1.3000	询价	32	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2752		MOSFET（金属O化物）	1.7W（塔）	8-SOP	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-UPA2752GR-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）				30V	8A（温度）		23毫欧@4A，10V	2.5V@1mA	10nC@10V		480pF@10V	-
UPA1760G-E1-AT	1.6000	询价	80	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA1760		MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-SOP	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-UPA1760G-E1-AT	EAR99	8541.29.0075	1	2 个 N 沟道（双）				30V	8A（塔）		26毫欧@4A，10V	2.5V@1mA	14nC@10V		760pF@10V	-
KA4L4M(0)-T1-A	-	询价	2905	瑞萨	-	大部分	过时的		表面贴装	SC-75、SOT-416				200毫W	SC-75	-			2156-KA4L4M(0)-T1-A			1																50V	100毫安						100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	200mV@250μA，5mA	85@50mA，5V		47欧姆	47欧姆
RJK5035DPP-E0#T2	-	询价	5014	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-			2156-RJK5035DPP-E0#T2			1		N沟道			500V	10A（塔）	10V	850mOhm@5A，10V	5V@1mA	23nC@10V	±30V	765pF@25V	-	29.5W（塔）
2SA673BTZ-E	-	询价	2996	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)					TO-92	-			2156-2SA673BTZ-E			1																							500nA（ICBO）	国民党	600毫伏@15毫安，150毫安	60@10mA，3V	-
2SK3354(0)-Z-E1-AY	-	询价	9228	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-			2156-2SK3354(0)-Z-E1-AY			1		N沟道			60V	83A（温度）	4V、10V	8毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	10V时为106nC	±20V	6300pF@10V	-	1.5W（Ta）、100W（Tc）
NP80N06MLG-S18-AY	2.0000	询价	22	瑞萨	-	大部分	过时的	175℃	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		MP-25K	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-NP80N06MLG-S18-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			60V	80A（温度）	4.5V、10V	8.6毫欧@40A，10V	2.5V@250μA	128nC@10V	±20V	6900pF@25V	-	1.8W（Ta）、115W（Tc）
RQA0002DNSTB-E	3.9600	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	3-DFN裸露焊盘			MOSFET（金属O化物）		2-HWSON (5x4)	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RQA0002DNSTB-E	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道			16V	3.8A（塔）	-	-	750mV@1mA		±5V	102pF@0V	-	15W（温度）
2SK3434(0)-Z-E1-AZ	-	询价	7024	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-			2156-2SK3434(0)-Z-E1-AZ			1		N沟道			60V	48A（温度）	4V、10V	20毫欧@24A，10V	2.5V@1mA	40nC@10V	±20V	2100pF@10V	-	1.5W（Ta）、56W（Tc）
2SK3483-Z-AZ	1.2100	询价	第635章	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		MP-3	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK3483-Z-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			100伏	28A（塔）	4.5V、10V	52毫欧@14A，10V	2.5V@1mA	49nC@10V	±20V	2300pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
UPA2701TP-E1-AZ	-	询价	1268	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）裸露焊盘			MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	-			2156-UPA2701TP-E1-AZ			1		N沟道			30V	16A(Ta), 35A(Tc)	4V、10V	7.5毫欧@7A，10V	2.5V@1mA	12nC@5V	±20V	1200pF@10V	-	3W（Ta）、28W（Tc）
NP75N04YUG-E1-AY	-	询价	1050	瑞萨	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极	175℃	表面贴装	8-SMD、裸露焊盘			MOSFET（金属O化物）		8-HSON	-			2156-NP75N04YUG-E1-AY			1		N沟道			40V	75A（温度）	10V	4.8毫欧@37.5A，10V	4V@250μA	116nC@10V	±20V	6450pF@25V	-	1W（Ta）、138W（Tc）
2SB798(0)-T1-AZ	-	询价	2144	瑞萨	-	大部分	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA					SC-62	-			2156-2SB798(0)-T1-AZ			1																							100nA（ICBO）	国民党	400mV@100mA，1A	90@100mA，1V	110兆赫
2SJ494-AZ	1.0000	询价	3579	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3隔离片			MOSFET（金属O化物）		MP-45F	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SJ494-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		P沟道			60V	20A（塔）	4V、10V	50毫欧@10A，10V	2V@1mA	74nC@10V	±20V	2360pF@10V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
2SB1261(1)-AZ	0.8400	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				2W	TO-252 (MP-3Z)	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SB1261(1)-AZ	EAR99	8541.29.0095	1																60V	3A						10μA（ICBO）	国民党	300mV@150mA，1.5A	100@600mA，2V	50兆赫
RJP60D0DPK-01#T0	2.0700	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		140W	TO-3P	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RJP60D0DPK-01#T0	EAR99	8541.29.0095	1			300V，22A，5欧姆，15V												-	600伏	45A	90A	2.2V@15V，22A	-	45℃	35纳秒/90纳秒
2SK2109-T1-AZ	0.3800	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-243AA			MOSFET（金属O化物）		SC-62	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK2109-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			60V	500mA（塔）	4V、10V	800毫欧@300mA，10V	2V@1mA		±20V	111pF@10V	-	2W（塔）
UPA1727G-E1-A	-	询价	4456	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-PowerSOP	-			2156-UPA1727G-E1-A			1		N沟道			60V	10A（塔）	4V、10V	19毫欧@5A，10V	2.5V@1mA	45nC@10V	±20V	2400pF@10V	-	2W（塔）
2SK3357-A	4.0400	询价	294	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3P (MP-88)	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-2SK3357-A	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道			60V	75A（塔）	4V、10V	5.8毫欧@38A，10V	2.5V@1mA	170nC@10V	±20V	9800pF@10V	-	3W（Ta）、150W（Tc）
RBK02P11GQT-0000#JCH	-	询价	2275	瑞萨	-	大部分	过时的									-			2156-RBK02P11GQT-0000#JCH			1
NP88N075EUE-E2-AY	4.8900	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-NP88N075EUE-E2-AY	EAR99	8541.29.0095	62		N沟道			75V	88A（温度）	10V	8.5毫欧@44A，10V	4V@250μA	230nC@10V	±20V	12300pF@25V	-	1.8W（Ta）、288W（Tc）
RJK0349DSP-00#J0	-	询价	8794	瑞萨	-	大部分	的积极	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-			2156-RJK0349DSP-00#J0			1		N沟道			30V	20A（塔）	4.5V、10V	3.8毫欧@10A、10V	2.5V@1mA	25nC@4.5V	±20V	3850pF@10V	-	2.5W（塔）
HR1A3M(0)-T1-AZ	-	询价	6926	瑞萨	-	大部分	过时的		表面贴装	TO-243AA				2W	SC-62	-			2156-HR1A3M(0)-T1-AZ			1																60V	1A						100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	350mV@10mA、500mA	100@500mA，2V		1欧姆	1欧姆
2SK3480(0)-Z-E1-AZ	-	询价	第2272章	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-			2156-2SK3480(0)-Z-E1-AZ			1		N沟道			100伏	50A（温度）	4.5V、10V	31毫欧@25A，10V	2.5V@1mA	74nC@10V	±20V	3600pF@10V	-	1.5W（Ta）、84W（Tc）
UPA2701WTP-E1-AZ	-	询价	8096	瑞萨	-	大部分	过时的									-			2156-UPA2701WTP-E1-AZ			1
2SC4942(0)-T1-AZ	-	询价	9149	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA					MP-2	-			2156-2SC4942(0)-T1-AZ			1																							10μA（ICBO）	NPN	1V@80mA、400mA	30@100mA，5V	30兆赫兹
UPA2702TP-E2-AZ	1.7500	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-UPA2702TP-E2-AZ	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道			30V	14A（Ta）、35A（Tc）	4V、10V	9.5毫欧@7A，10V	2.5V@1mA	9nC@5V	±20V	900pF@10V	-	3W（Ta）、22W（Tc）
UPA2730TP-E2-AZ	0.9900	询价	25	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-UPA2730TP-E2-AZ	EAR99	8541.29.0095	305		P沟道			30V	20A（Ta）、42A（Tc）	4V、10V	7毫欧@7.5A，10V	2.5V@1mA	97nC@10V	±20V	4670pF@10V	-	3W（Ta）、40W（Tc）
RJK0601DPN-E0#T2	3.5400	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220ABS	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RJK0601DPN-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			60V	110A（塔）	10V	3.1毫欧@55A，10V	4V@1mA	141nC@10V	±20V	10000pF@10V	-	200W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(226)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²