晶体管(226)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RJJ0621DPP-E0#T2	1.9200	询价	650	瑞萨	-	大部分	过时的	-55℃～150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RJJ0621DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		60V	25A（温度）	4.5V、10V	56毫欧@12.5A，10V	2.5V@1mA		+10V，-20V	1550pF@10V	-	35W（温度）
2SC4942(0)-T1-AZ	-	询价	9149	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				MP-2	-			2156-2SC4942(0)-T1-AZ			1																10μA（ICBO）	NPN	1V@80mA、400mA	30@100mA，5V	30兆赫兹
UPA1727G-E1-A	-	询价	4456	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-PowerSOP	-			2156-UPA1727G-E1-A			1		N沟道		60V	10A（塔）	4V、10V	19毫欧@5A，10V	2.5V@1mA	45nC@10V	±20V	2400pF@10V	-	2W（塔）
RBK02P11GQT-0000#JCH	-	询价	2275	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-RBK02P11GQT-0000#JCH			1
UPA2752GR-E1-A	1.3000	询价	32	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2752	MOSFET（金属O化物）	1.7W（塔）	8-SOP	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-UPA2752GR-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	8A（温度）		23毫欧@4A，10V	2.5V@1mA	10nC@10V		480pF@10V	-
NP28N10SDE-E1-AY	1.3400	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-NP28N10SDE-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		100伏	28A（温度）	4.5V、10V	52毫欧@14A，10V	2.5V@250μA	75nC@10V	±20V	3300pF@25V	-	1.2W（Ta）、100W（Tc）
KA4F3R(0)-T1-A	-	询价	3352	瑞萨	-	大部分	过时的		表面贴装	SC-75、SOT-416			200毫W	SC-75	-			2156-KA4F3R(0)-T1-A			1														50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	200mV@250μA，5mA	95@50mA，5V		2.2欧姆	47欧姆
2SC4901YK-TR-E	0.5400	询价	213	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323			100毫W	3-CMPAK	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-2SC4901YK-TR-E	EAR99	8541.29.0095	1			-											9V	50毫安		NPN		50@20mA，5V	9GHz			1.2dB@900MHz
KA4L4M(0)-T1-A	-	询价	2905	瑞萨	-	大部分	过时的		表面贴装	SC-75、SOT-416			200毫W	SC-75	-			2156-KA4L4M(0)-T1-A			1														50V	100毫安	100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	200mV@250μA，5mA	85@50mA，5V		47欧姆	47欧姆
UPA1760G-E1-AT	1.6000	询价	80	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA1760	MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-SOP	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-UPA1760G-E1-AT	EAR99	8541.29.0075	1	2 个 N 沟道（双）			30V	8A（塔）		26毫欧@4A，10V	2.5V@1mA	14nC@10V		760pF@10V	-
RJH1BF7DPQ-E0#T2	7.7000	询价	217	瑞萨	-	大部分	过时的								-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RJH1BF7DPQ-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1
UPA1902TE-T1-AT	0.3000	询价	111	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	SC-95		MOSFET（金属O化物）		SC-95	下载	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-UPA1902TE-T1-AT	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	7A（塔）	4.5V、10V	22毫欧@3.5A，10V	2.5V@1mA	8nC@5V	±20V	780pF@10V	-	200毫W（塔）
2SK3483-AZ	1.4600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		MP-3	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK3483-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		100伏	28A（塔）	4.5V、10V	52毫欧@14A，10V	2.5V@1mA	49nC@10V	±20V	2300pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
2SK3447TZ-E	0.4100	询价	10	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体		MOSFET（金属O化物）		TO-92MOD	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-2SK3447TZ-E	EAR99	8541.21.0095	728		N沟道		150伏	1A（塔）	4V、10V	1.95欧姆@500mA，10V	2.5V@1mA	4.5nC@10V	±20V	10V时为85pF	-	900毫W（塔）
2SA1611(0)-T1-A	-	询价	1026	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				SC-70	-			2156-2SA1611(0)-T1-A			1																100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	90@1mA，6V	180兆赫
HAT1146C-EL-E	-	询价	6451	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-HAT1146C-EL-E			1
2SC2721-T-AZ	-	询价	4626	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	3-SSIP			1W	-	-			2156-2SC2721-T-AZ			1			-											60V	700毫安		NPN		90@100mA，1V	110兆赫			-
2SC3380AS04UR-E	1.0000	询价	5490	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-2SC3380AS04UR-E			1
RJK5012DPP-MG#T2	2.3100	询价	第478章	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FN	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RJK5012DPP-MG#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		500V	12A（塔）	10V	620毫欧@6A，10V	4.5V@1mA	29nC@10V	±30V	1100pF@25V	-	30W（温度）
2SK3575-AZ	2.3800	询价	第824章	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK3575-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道		30V	83A（温度）	4.5V、10V	4.5毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	70nC@10V	±20V	3700pF@10V	-	1.5W（Ta）、105W（Tc）
2SK3481-AZ	-	询价	5665	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK3481-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		100伏	30A（温度）	4.5V、10V	50毫欧@15A，10V	2.5V@1mA	48nC@10V	±20V	2300pF@10V	-	1.5W（Ta）、56W（Tc）
UPA2702TP-E2-AZ	1.7500	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-UPA2702TP-E2-AZ	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道		30V	14A（Ta）、35A（Tc）	4V、10V	9.5毫欧@7A，10V	2.5V@1mA	9nC@5V	±20V	900pF@10V	-	3W（Ta）、22W（Tc）
2SK2109-T1-AZ	0.3800	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		SC-62	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK2109-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	500mA（塔）	4V、10V	800毫欧@300mA，10V	2V@1mA		±20V	111pF@10V	-	2W（塔）
2SK2055-T1-AZ	-	询价	5339	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		MP-2	-			2156-2SK2055-T1-AZ			1		N沟道		100伏	2A（塔）	4V、10V	350mOhm@1A，10V	2V@1mA		±20V	650pF@10V	-	2W（塔）
2SJ532-E	1.9900	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220CFM	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SJ532-E	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		60V	20A（塔）	4V、10V	55mOhm@10A，10V	2V@1mA		±20V	1750pF@10V	-	30W（温度）
UPA2790GR-E1-AT	0.9400	询价	10	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2790	MOSFET（金属O化物）	1.7W（塔）	8-SOP	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-UPA2790GR-E1-AT	EAR99	8541.29.0095	1	N 和 P 沟道			30V	6A（塔）		28毫欧@3A、10V、60毫欧@3A、10V	2.5V@1mA	12.6nC@10V，11nC@10V		500pF@10V，460pF@10V	-
UPA2782GR-E1-A	1.7700	询价	7	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-UPA2782GR-E1-A	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道		30V	11A（塔）	4V、10V	15毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	7.1nC@5V	±20V	660pF@10V	-	2W（塔）
HAT2195R-EL-E	-	询价	1128	瑞萨	-	大部分	过时的	-55℃～150℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-			2156-HAT2195R-EL-E			1		N沟道		30V	18A	4.5V、10V	5.8毫欧@9A，10V	2.5V@1mA	23nC@4.5V	±20V	3400pF@10V	-	2.5W
2SC945A-TA	-	询价	2159	瑞萨	*	大部分	过时的								-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-2SC945A-TA-1833			1
2SJ328-Z-E1-AZ	-	询价	6110	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-220贴片	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SJ328-Z-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		60V	20A（塔）	4V、10V	60毫欧@10A、10V	2V@1mA	85nC@10V	±20V	2150pF@10V	-	1.5W（Ta）、75W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(226)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²