SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
2SC945A-T-A Renesas 2SC945A-TA -
RFQ
ECAD 2159 0.00000000 肾脏 * 大部分 过时的 - Rohs不合规 供应商不确定 2156-2SC945A-TA-1833 1
2SB605-T-AZ Renesas 2SB605-T-AZ -
RFQ
ECAD 5729 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 3-SSIP - - 2156-2SB605-T-az 1 100NA(ICBO) PNP 350mv @ 50mA,500mA 90 @ 100mA,1V 120MHz
KA4L4M(0)-T1-A Renesas KA4L4M(0)-t1-a -
RFQ
ECAD 2905 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 200兆 SC-75 - 2156-KA4L4M(0)-T1-A 1 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 200mv @ 250µA,5mA 85 @ 50mA,5v 47科姆斯 47科姆斯
NP60N04ILF-E1-AZ Renesas NP60N04ILF-E1-AZ 1.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 175°C 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3Z) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-NP60N04ILF-E1-AZ Ear99 8541.29.0095 1 n通道 40 V 60a(TC) 4.5V,10V 6.5MOHM @ 30a,10v 2.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 1.2W(TA),100W((((((
NP80N06MLG-S18-AY Renesas NP80N06MLG-S18-AY 2.0000
RFQ
ECAD 22 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 175°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) MP-25K 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-NP80N06MLG-S18-AY Ear99 8541.29.0095 1 n通道 60 V 80A(TC) 4.5V,10V 8.6mohm @ 40a,10v 2.5V @ 250µA 128 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 25 V - 1.8W(ta),115W(tc)
RJH1BF7DPQ-E0#T2 Renesas RJH1BF7DPQ-E0 #T2 7.7000
RFQ
ECAD 217 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-RJH1BF7DPQ-E0 #T2 Ear99 8541.29.0095 1
2SK3575-AZ Renesas 2SK3575-az 2.3800
RFQ
ECAD 824 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK3575-az Ear99 8541.29.0075 1 n通道 30 V 83A(TC) 4.5V,10V 4.5MOHM @ 42A,10V 2.5V @ 1mA 70 NC @ 10 V ±20V 3700 PF @ 10 V - 1.5W(ta),105W(((ta)
2SK2109-T1-AZ Renesas 2SK2109-T1-AZ 0.3800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-243AA MOSFET (金属 o化物) SC-62 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK2109-T1-AZ Ear99 8541.29.0095 1 n通道 60 V 500mA(ta) 4V,10V 800mohm @ 300mA,10v 2V @ 1mA ±20V 111 PF @ 10 V - 2W(TA)
2SK3481-AZ Renesas 2SK3481-az -
RFQ
ECAD 5665 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK3481-AZ Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 30A(TC) 4.5V,10V 50mohm @ 15a,10v 2.5V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±20V 2300 PF @ 10 V - 1.5W(TA),56W(tc)
UPA2752GR-E1-A Renesas UPA2752GR-E1-A 1.3000
RFQ
ECAD 32 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) UPA2752 MOSFET (金属 o化物) 1.7W(TA) 8-sop - Rohs不合规 供应商不确定 2156-UPA2752GR-E1-A Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道(双) 30V 8A(TC) 23mohm @ 4A,10V 2.5V @ 1mA 10NC @ 10V 480pf @ 10V -
2SK2112W-T1-AZ Renesas 2SK2112W-T1-AZ -
RFQ
ECAD 5869 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-2SK2112W-T1-AZ 1
2SA673BTZ-E Renesas 2SA673BTZ-E -
RFQ
ECAD 2996 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 到92 - 2156-2SA673BTZ-E 1 500NA(ICBO) PNP 600mv @ 15mA,150mA 60 @ 10mA,3v -
HAT1146C-EL-E Renesas HAT1146C-EL-E -
RFQ
ECAD 6451 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-HAT1146C-EL-E 1
RJK5035DPP-E0#T2 Renesas RJK5035DPP-E0 #T2 -
RFQ
ECAD 5014 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP - 2156-RJK5035DPP-E0 #T2 1 n通道 500 v 10a(10a) 10V 850MOHM @ 5A,10V 5V @ 1mA 23 NC @ 10 V ±30V 765 pf @ 25 V - 29.5W(TA)
2SK3434(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SK3434(0)-z-e1-az -
RFQ
ECAD 7024 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263,TO-220SMD - 2156-2SK3434(0)-z-e1-az 1 n通道 60 V 48A(TC) 4V,10V 20mohm @ 24a,10v 2.5V @ 1mA 40 NC @ 10 V ±20V 2100 PF @ 10 V - 1.5W(TA),56W(tc)
2SC3380AS04UR-E Renesas 2SC3380AS04UR-E 1.0000
RFQ
ECAD 5490 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-2SC3380AS04UR-E 1
2SC4901YK-TR-E Renesas 2SC4901YK-TR-E 0.5400
RFQ
ECAD 213 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 100MW 3-CMPAK - Rohs不合规 供应商不确定 2156-2SC4901YK-TR-E Ear99 8541.29.0095 1 - 9V 50mA NPN 50 @ 20mA,5V 9GHz 1.2dB @ 900MHz
2SK3357-A Renesas 2SK3357-A 4.0400
RFQ
ECAD 294 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET (金属 o化物) TO-3P(MP-88) - Rohs不合规 供应商不确定 2156-2SK3357-A Ear99 8541.29.0075 1 n通道 60 V 75a(ta) 4V,10V 5.8MOHM @ 38A,10V 2.5V @ 1mA 170 NC @ 10 V ±20V 9800 PF @ 10 V - (3w(ta),150w(tc)
HR1A3M(0)-T1-AZ Renesas HR1A3M(0)-T1-AZ -
RFQ
ECAD 6926 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 表面安装 TO-243AA 2 w SC-62 - 2156-HR1A3M(0)-T1-AZ 1 60 V 1 a 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 350mv @ 10mA,500mA 100 @ 500mA,2V 1 kohms 1 kohms
RJP60D0DPK-01#T0 Renesas RJP60D0DPK-01#t0 2.0700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 标准 140 w to-3p - Rohs不合规 到达不受影响 2156-RJP60D0DPK-01#t0 Ear99 8541.29.0095 1 300V,22a,5ohm,15V - 600 v 45 a 90 a 2.2V @ 15V,22a - 45 NC 35NS/90NS
RJK5012DPP-MG#T2 Renesas RJK5012DPP-MG #T2 2.3100
RFQ
ECAD 478 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220FN 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2156-RJK5012DPP-MG t2 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 500 v 12a(12a) 10V 620Mohm @ 6a,10v 4.5V @ 1mA 29 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 30W(TC)
2SK3431-AZ Renesas 2SK3431-AZ 2.8600
RFQ
ECAD 554 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK3431-AZ Ear99 8541.29.0095 105 n通道 40 V 83A(TC) 4V,10V 5.6mohm @ 42a,10v 2.5V @ 1mA 110 NC @ 10 V ±20V 6100 PF @ 10 V - 1.5W(TA),100W(TC)
2SK3447TZ-E Renesas 2SK3447TZ-E 0.4100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 MOSFET (金属 o化物) to-92mod - Rohs不合规 供应商不确定 2156-2SK3447TZ-E Ear99 8541.21.0095 728 n通道 150 v 1A(1A) 4V,10V 1.95OHM @ 500mA,10V 2.5V @ 1mA 4.5 NC @ 10 V ±20V 85 pf @ 10 V - 900MW(TA)
RJH1BF7RDPQ-80#T2 Renesas RJH1BF7RDPQ-80 #T2 6.2300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 250 w TO-247 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-RJH1BF7RDPQ-80 #T2 Ear99 8541.29.0095 1 - - 1100 v 60 a 100 a 2.35V @ 15V,60a - -
2SK3483-Z-AZ Renesas 2SK3483-Z-AZ 1.2100
RFQ
ECAD 635 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) MP-3 - Rohs不合规 到达不受影响 2156-2SK3483-Z-AZ Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 28a(28a) 4.5V,10V 52mohm @ 14a,10v 2.5V @ 1mA 49 NC @ 10 V ±20V 2300 PF @ 10 V - 1W(ta),40W(40W)TC)
2SB804-D-T1-AZ Renesas 2SB804-D-T1-AZ -
RFQ
ECAD 6963 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 - 2156-2SB804-D-T1-AZ 1
UPA2782GR-E1-A Renesas UPA2782GR-E1-A 1.7700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 Rohs不合规 供应商不确定 2156-UPA2782GR-E1-A Ear99 8541.29.0075 1 n通道 30 V 11a(11a) 4V,10V 15mohm @ 5.5a,10v 2.5V @ 1mA 7.1 NC @ 5 V ±20V 660 pf @ 10 V - 2W(TA)
2SK2055-T1-AZ Renesas 2SK2055-T1-AZ -
RFQ
ECAD 5339 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 TO-243AA MOSFET (金属 o化物) MP-2 - 2156-2SK2055-T1-AZ 1 n通道 100 v 2A(TA) 4V,10V 350MOHM @ 1A,10V 2V @ 1mA ±20V 650 pf @ 10 V - 2W(TA)
2SA1611(0)-T1-A Renesas 2SA1611(0)-t1-a -
RFQ
ECAD 1026 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 SC-70 - 2156-2SA1611(0)-t1-a 1 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 90 @ 1mA,6v 180MHz
UPA2701TP-E1-AZ Renesas UPA2701TP-E1-AZ -
RFQ
ECAD 1268 0.00000000 肾脏 - 大部分 过时的 150°C 表面安装 8-Soic(0.173英寸,4.40mm宽) MOSFET (金属 o化物) 8-hsop - 2156-UPA2701TP-e1-az 1 n通道 30 V 16a(16A),35a(tc) 4V,10V 7.5MOHM @ 7A,10V 2.5V @ 1mA 12 nc @ 5 V ±20V 1200 pf @ 10 V - (3W(ta),28w tc)(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库