晶体管(226)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RQA0008RXDQS#H1	0.5900	询价	40	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-243AA			MOSFET（金属O化物）		尤帕克	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RQA0008RXDQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			16V	2.4A（塔）	-	-	800毫伏@1毫安		±5V	44pF@0V	-	10W（温度）
2SJ604-ZJ-E1-AZ	2.1600	询价	第662章	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SJ604-ZJ-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道			60V	45A（温度）	4V、10V	30毫欧@23A，10V	2.5V@1mA	63nC@10V	±20V	3300pF@10V	-	1.5W（Ta）、70W（Tc）
RJP4301APP-00#T2	-	询价	4204	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RJP4301APP-00#T2			1
HAT2292C-EL-E	0.3400	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的	-	表面贴装	6-SMD，写入	HAT2292		MOSFET（金属O化物）	-	6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT2292C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）				20V	1.5A		205毫欧@1.5A，4.5V	-	-		-	-
HAT1096C-EL-E	0.2100	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT1096C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道			20V	1A（塔）	2.5V、4.5V	293mOhm@500μA，4.5V	1.4V@1mA	2nC@4.5V	±12V	155pF@10V	-	790毫W（塔）
NP82N10PUF-E1-AY	2.4900	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP82N10PUF-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			100伏	82A（温度）	5.8V、10V	15毫欧@41A，10V	3.3V@250μA	96nC@10V	±20V	4350pF@25V	-	1.8W（Ta）、150W（Tc）
NP69N03ZHGW-U	-	询价	7422	瑞萨	-	大部分	的积极									-				2156-NP69N03ZHGW-U			1
2SJ179-T2-AZ	-	询价	5513	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SJ179-T2-AZ			1
HAT3043C-EL-E	0.3100	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	-	表面贴装	6-SMD，写入	HAT3043		MOSFET（金属O化物）	-	6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT3043C-EL-E	EAR99	8541.29.0075	1	N 和 P 沟道				20V	1.5A		205毫欧@1.5A，4.5V	-	-		-	-
2SK1954-Z-E1-AZ	-	询价	3177	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		MP-3Z	-				2156-2SK1954-Z-E1-AZ			1		N沟道			180伏	4A（塔）	10V	650mOhm@2A，10V	4V@1mA	10nC@10V	±20V	300pF@10V	-	1W（Ta）、20W（Tc）
2SC4901YK-TL-E	-	询价	5033	瑞萨	2SC4901	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				100毫W	3-CMPAK	-				2156-2SC4901YK-TL-E			1				-													9V	50毫安							NPN		50@20mA，5V	9GHz			1.2dB@900MHz
NP32N055SLE-E1-AZ	1.6400	询价	60	瑞萨	-	大部分	过时的	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP32N055SLE-E1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道			55V	32A（塔）	4.5V、10V	24毫欧@16A，10V	2.5V@250μA	41nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	1.2W（Ta）、66W（Tc）
2SK2159-T1-AZ	-	询价	6837	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SK2159-T1-AZ			1
UPA2371T1P-E1-A	0.5800	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的	-	表面贴装	4-UFLGA	UPA2371		MOSFET（金属O化物）	-	4-EFLIP (1.62x1.62)	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2371T1P-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）				24V	6A		-	-	-		-	-
RQA0009TXDQS#H1	-	询价	第1446章	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-243AA			MOSFET（金属O化物）		尤帕克	-				2156-RQA0009TXDQS#H1			1		N沟道			16V	3.2A（塔）	-	-	0.8V@1mA		±5V	76pF@0V	-	15W（温度）
RJH65D27BDPQ-A0#T2	-	询价	7829	瑞萨	-	大部分	过时的	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		375W	TO-247A	-				2156-RJH65D27BDPQ-A0#T2			1			400V，50A，10欧姆，15V												80纳秒	沟	650伏	100A	200A	1.65V@15V，50A	1mJ（开）、1.5mJ（关）	175 纳克	20纳秒/165纳秒
2SK3902-ZK-E1-AY	1.2100	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3902-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道			60V	30A（温度）	4.5V、10V	21毫欧@15A，10V	2.5V@1mA	25nC@10V	±20V	1200pF@10V	-	1.5W（Ta）、45W（Tc）
NP80N055KLE-E1-AY	2.2400	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP80N055KLE-E1-AY	EAR99	8541.29.0075	135		N沟道			55V	80A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@40A，10V	2.5V@250μA	75nC@10V	±20V	4400pF@25V	-	1.8W（Ta）、120W（Tc）
HR1F3P(0)-T1-AZ	0.4600	询价	25	瑞萨	-	大部分	过时的		表面贴装	TO-243AA	HR1F3P			2W	SC-62	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HR1F3P(0)-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1																	60V	1A						100纳安	PNP - 预偏置	350mV@10mA、500mA	100@500mA，2V		2欧姆	10欧姆
2SA952-TA	0.2400	询价	1	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-2SA952-TA-1833			1
UPA1770G-E1-A	1.6800	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA1770		MOSFET（金属O化物）	750毫W（塔）	8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA1770G-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）				20V	6A（塔）		37毫欧@3A，4.5V	1.5V@1mA	11nC@4.5V		1300pF@10V	-
RQA0004LXAQS#H1	-	询价	8694	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-243AA			MOSFET（金属O化物）		尤帕克	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RQA0004LXAQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			16V	300mA（塔）	-	-	900毫伏@1毫安		±5V	10pF@0V	-	3W（塔）
2SK3435-Z-AZ	-	询价	6748	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3435-Z-AZ	EAR99	8541.29.0075	75		N沟道			60V	80A（温度）	10V	14毫欧@40A，10V	2.5V@1mA	60nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1.5W（Ta）、84W（Tc）
NP80N04KHE-E1-AZ	1.6500	询价	800	瑞萨	-	大部分	过时的	175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP80N04KHE-E1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道			40V	80A（温度）	10V	8毫欧@40A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	3300pF@25V	-	1.8W（Ta）、120W（Tc）
2SK3455B-S17-AY	3.3600	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		ITO-220 (MP-45F)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3455B-S17-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			500V	12A（温度）	10V	600mOhm@6A，10V	3.5V@1mA	30nC@10V	±30V	1800pF@10V	-	2W（Ta）、50W（Tc）
HAT1089C-EL-E	-	询价	9103	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-				2156-HAT1089C-EL-E			1		P沟道			20V	2A（塔）	2.5V、4.5V	103mOhm@1A，4.5V	1.4V@1mA	4.5nC@4.5V	±12V	365pF@10V	-	850毫W（塔）
2SK3402-AZ	1.3800	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3402-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道			60V	36A（温度）	4V、10V	15毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	61nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
UPA1759G-E1-A	0.5300	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-PowerSOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA1759G-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			60V	5A（温度）	4V、10V	150mOhm@2.5A，10V	2.5V@1mA	8nC@10V	±20V	190pF@10V	-	2W（塔）
HAT1091C-EL-E	0.2500	询价	21	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT1091C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道			20V	1.5A（塔）	2.5V、4V	175mOhm@800mA，4.5V	1.4V@1mA	2.6nC@4.5V	±12V	200pF@10V	-	830毫W（塔）
RJH1BF7RDPQ-80#T2	6.2300	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		250W	TO-247	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJH1BF7RDPQ-80#T2	EAR99	8541.29.0095	1			-													-	1100伏	60A	100A	2.35V@15V，60A	-		-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(226)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²