晶体管(226)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
2SJ603(0)-Z-E1-AZ	-	询价	9402	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-			2156-2SJ603(0)-Z-E1-AZ			1		P沟道	60V	25A（温度）	10V	48毫欧@13A，10V	2.5V@1mA	38nC@10V	±20V	1900pF@10V	-	1.5W（Ta）、50W（Tc）
UPA1727G-E1-AT	1.5400	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-UPA1727G-E1-AT	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	10A（塔）	4V、10V	19毫欧@5A，10V	2.5V@1mA	45nC@10V	±20V	2400pF@10V	-	2W（塔）
2SJ461-T1B-A	-	询价	9937	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-2SJ461-T1B-A			1
2SK3353-AZ	3.4500	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK3353-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	82A（温度）	4V、10V	9.5毫欧@41A，10V	2.5V@1mA	90nC@10V	±20V	4650pF@10V	-	1.5W（Ta）、95W（Tc）
2SB736-D-T1-A	-	询价	3910	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-2SB736-D-T1-A			1
RJL5014DPP-E0#T2	5.7400	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-RJL5014DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	500V	19A（塔）	10V	400毫欧@9.5A，10V	4V@1mA	43nC@10V	±30V	1700pF@25V	-	35W（温度）
HAT1108C-EL-E	-	询价	8371	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-			2156-HAT1108C-EL-E			1		P沟道	30V	1.5A（塔）	4.5V	194mOhm@750mA，10V	2V@1mA	3nC@10V	±20V	160pF@10V	-	830毫W（塔）
2SK1168-E	-	询价	9196	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-2SK1168-E			1
UPA1770G-E1-AT	-	询价	3730	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）	750毫W（塔）	8-PowerSOP	-			2156-UPA1770G-E1-AT			1	2 N 沟道		20V	6A（塔）		37毫欧@3A，4.5V	1.5V@1mA	11nC@4.5V		1300pF@10V	标准
UPA2700TP-E2-AZ	-	询价	7014	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）裸露焊盘		MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	-			2156-UPA2700TP-E2-AZ			1		N沟道	30V	17A（塔）	4V、10V	5.3毫欧@9A，10V	2.5V@1mA	26nC@5V	±20V	2600pF@10V	-	2W（塔）
UPA1981TE-T1-A	0.2400	询价	27号	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	SC-95	UPA1981	MOSFET（金属O化物）	1W（塔）	SC-95	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-UPA1981TE-T1-A	EAR99	8542.39.0001	1	N 和 P 沟道		8V	2.8A（塔）		70毫欧@2.8A、5V、105毫欧@1.9A、2.5V	200mV @ 2.8A, 200mV @ 1.9A	-		-	-
2SK4092-S35-A	2.8400	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		MOSFET（金属O化物）		TO-3P (MP-88)	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SK4092-S35-A	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	600伏	21A（温度）	10V	400毫欧@10A，10V	3.5V@1mA	50nC@10V	±30V	10V时为3240pF	-	3W（Ta）、200W（Tc）
HAT1093C-EL-E	0.2500	询价	30	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	下载	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-HAT1093C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	12V	3A（塔）	1.8V、4.5V	54毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@1mA	11nC@4.5V	±8V	940pF@10V	-	900毫W（塔）
RJK5026DPP-E0#T2	2.9500	询价	4	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RJK5026DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	500V	6A（塔）	10V	1.7欧姆@3A，10V	4.5V@1mA	14nC@10V	±30V	440pF@25V	-	28.5W（温度）
UPA1774G-E1-A	-	询价	5916	瑞萨	-	大部分	过时的	-55℃～150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）	800毫W	8-PowerSOP	-			2156-UPA1774G-E1-A			1	2 P 沟道		60V	2.8A		250mOhm@2A，10V	2.5V@1mA	10nC@10V		420pF@10V	-
HS54095TZ-E	0.7900	询价	7	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET（金属O化物）		TO-92	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-HS54095TZ-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	600伏	200mA（塔）	10V	16.5欧姆@100mA，10V	5V@1mA	4.8nC@10V	±30V	66pF@25V	-	750毫W（塔）
NP90N04VUG-E1-AY	-	询价	8968	瑞萨	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极	175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZP)	-			2156-NP90N04VUG-E1-AY			1		N沟道	40V	90A（温度）	10V	4mOhm@45A，10V	4V@250μA	135nC@10V	±20V	7500pF@25V	-	1.2W（Ta）、105W（Tc）
2SA812B-T1B-AT	0.0700	询价	201	瑞萨	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-迷你模具	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SA812B-T1B-AT	EAR99	8541.21.0075	1													50V	100毫安	100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	90@1mA，6V	180兆赫
NP88N04NUG-S18-AY	2.6800	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的	175℃	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-NP88N04NUG-S18-AY	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道	40V	88A（温度）	10V	3.4毫欧@44A，10V	4V@250μA	250nC@10V	±20V	15000pF@25V	-	1.8W（Ta）、200W（Tc）
RQM2201DNS#P0	1.1800	询价	32	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	RQM2201	MOSFET（金属O化物）	1.5W（塔）	6-HWSON (3x3)	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RQM2201DNS#P0	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）		60V	2A（塔）		225毫欧@1A，4.5V	1.4V@1mA	2.4nC@4.5V		200pF@10V	-
2SC5292(0)-T-AZ	-	询价	8914	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-2SC5292(0)-T-AZ			1
RQA0005AQS#H1	0.5300	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的								-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-RQA0005AQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1
2SK4150TZ-E	0.6300	询价	19号	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET（金属O化物）		TO-92	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-2SK4150TZ-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	250伏	400mA（塔）	2.5V、4V	5.7欧姆@200mA，4V	1.5V@1mA	3.7nC@4V	±10V	80pF@25V	-	750毫W（塔）
HAT2203C-EL-E	0.2300	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-HAT2203C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	20V	2A（塔）	2.5V、4.5V	90毫欧@1A，4.5V	1.4V@1mA	1.8nC@4.5V	±12V	165pF@10V	-	830毫W（塔）
RJK6035DPP-E3#T2	-	询价	5414	瑞萨	-	大部分	过时的								-			2156-RJK6035DPP-E3#T2			1
2SK1958-T1-A	0.0700	询价	69	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.110英寸，2.80毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-MMPAK	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-2SK1958-T1-A	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道	16V	100mA（塔）	1.5V、4V	12欧姆@10mA，4V	1.1V@10μA		±7V	10pF@3V	-	150毫W（塔）
2SK3813-AZ	-	询价	4491	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		MP-3	-			2156-2SK3813-AZ			1		N沟道	40V	60A（温度）	4.5V、10V	5.3毫欧@30A，10V	2.5V@1mA	96nC@10V	±20V	5500pF@10V	-	1W（Ta）、84W（Tc）
UPA2756GR-E1-A	0.8200	询价	14	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2756	MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-PowerSOP	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-UPA2756GR-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）		60V	4A（塔）		105mOhm@2A，10V	2.5V@1mA	6nC@10V		260pF@10V	-
2SJ358-T1-AZ	0.8400	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		MP-2	-	不符合 RoHS 指令	REACH 不出行	2156-2SJ358-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	60V	3A（塔）	4V、10V	300mOhm@1.5A，10V	2V@1mA	10V时为23.9nC	+10V，-20V	600pF@10V	-	2W（塔）
UPA2706GR-E1-AT	1.1600	询价	7	瑞萨	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-	不符合 RoHS 指令	供应商未定义	2156-UPA2706GR-E1-AT	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	30V	11A（Ta）、20A（Tc）	4V、10V	15毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	7.1nC@5V	±20V	660pF@10V	-	3W（Ta）、15W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(226)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²