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（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	噪声图（ db typ @ f）
2PC4617RMB，315	-	RFQ	7989	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	2PC4617			250兆	DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	100 ma		100NA（ICBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	180 @ 1mA，6v	100MHz
PMBT3904,215	-	RFQ	9255	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBT3904,215-954			1																		40 V	200 ma		50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BUK762R6-40E，118	-	RFQ	8816	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK762R6-40E，118-954			1		n通道					40 V	100A（TC）	10V	2.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	91 NC @ 10 V	±20V	7130 PF @ 25 V	-	263W（TC）
BC807-25,215	0.0200	RFQ	774	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC807-25,215-954			1																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	80MHz
PDTC143EQAZ	0.0300	RFQ	39	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTC143					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC143EQAZ-954	Ear99	8541.21.0075	1
PBSS5350T，215	1.0000	RFQ	4318	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				300兆	SOT-23	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		50 V	2 a		100NA（ICBO）	PNP	390mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，2V	100MHz
BUK7E2R3-40E，127	0.8500	RFQ	3	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7E2R3-40E，127-954			1		n通道					40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	109.2 NC @ 10 V	±20V	8500 PF @ 25 V	-	293W（TC）
BCX54,115	0.0700	RFQ	132	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1.25 w	SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCX54,115-954			1																		45 v	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
BF570,215	0.0500	RFQ	55	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BF570,215-954			1																		15 v	100 ma		400NA（ICBO）	NPN	-	40 @ 10mA，1V	490MHz
BCM847BV，315	-	RFQ	2044	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	BCM847			300MW	SOT-666	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCM847BV，315-954			1																		45V	100mA		15NA（icbo）	2（NPN （双）	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
PMZB600UNEL315	0.0400	RFQ	150	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-PMZB600UNEL315-954			1
NX7002BKS115	-	RFQ	7235	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.21.0095	1
PMT560ENEAX	-	RFQ	1293	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMT560ENEAX-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	1.1A（TA）	4.5V，10V	715MOHM @ 1.1A，10V	2.7V @ 250µA	4.4 NC @ 10 V	±20V	112 PF @ 50 V	-	750MW（TA）
BCV61C，215	0.1300	RFQ	354	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV61C，215-954			1
PMN40UPE，115	0.1900	RFQ	2939	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMN40UPE，115-954			1
PDTA143TT，215	0.0200	RFQ	206	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA143TT，215-954			1
BLP05M7200Y	-	RFQ	9352	NXP半导体	-	大部分	积极的										-				2156-BLP05M7200Y			1
PSMN085-150K，518	0.3300	RFQ	9	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN085-150K，518-954			1		n通道					150 v	3.5A（TC）	10V	85MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1310 PF @ 25 V	-	3.5W（TC）
PH3120L，115	0.2500	RFQ	17	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PH3120L，115-954			1		n通道					20 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48.5 NC @ 4.5 V	±20V	4457 PF @ 10 V	-	62.5W（TC）
BFU550WF	0.2200	RFQ	764	NXP半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				450MW	SC-70	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BFU550WF	Ear99	8541.21.0075	1						18db												12V	50mA			NPN		60 @ 15mA，8v	11GHz		1.3db @ 1.8GHz
PMXB43UNE/S500Z	-	RFQ	3938	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-xdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN1010D-3	-				2156-PMXB43UNE/S500Z			1		n通道					20 v	3.2A（ta）	1.5V，4.5V	54mohm @ 3.2A，4.5V	900mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	551 pf @ 10 V	-	400MW（TA），8.33W（tc）
BLF8G27LS-100PJ	-	RFQ	4497	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	SOT-1121b		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos （双），普通来源		最多	-				2156-BLF8G27LS-100PJ			1	2 n通道		-	860 MA	25W	18db											-			28 V
PSMN8R5-100PSFQ	-	RFQ	3291	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN8R5-100PSFQ-954			1		n通道					100 v	98a（ta）	7V，10V	8.7MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	44.5 NC @ 10 V	±20V	3181 PF @ 50 V	-	183w（ta）
PBSS4260PANP，115	1.0000	RFQ	2332	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4260PANP，115-954			1
PH2525L，115	0.2400	RFQ	4	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PH2525L，115-954			1,268		n通道					25 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 25A，10V	2.15V @ 1mA	34.7 NC @ 4.5 V	±20V	4470 pf @ 12 V	-	62.5W（TC）
PSMN8R0-40PS，127	-	RFQ	2848	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN8R0-40PS，127-954			1		n通道					40 V	77A（TC）	10V	7.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	1262 PF @ 12 V	-	86W（TC）
PDTC124TU，115	-	RFQ	5646	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	PDTC124			200兆	SOT-323	-						0000.00.0000	1																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	100 @ 1mA，5V		22 KOHMS
BC52-10PASX	0.0600	RFQ	59	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W	DFN2020d-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC52-10PASX-954	Ear99	8541.21.0075	1																		60 V	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
PDTD113ZT，215	0.0300	RFQ	39	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTD113					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTD113ZT，215-954	Ear99	8541.21.0095	10,764
BLF6G22LS-180RN	-	RFQ	4998	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	SOT-502B		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		SOT502B	-				2156-BLF6G22LS-180RN			1	n通道		5µA	1.4 a	40W	16dB											-			30 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²