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（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
PDTA123TT，215	0.0200	RFQ	108	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA123TT，215-954			1
PDTC144VU，115	0.0200	RFQ	14	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC144VU，115-954			14,990
PQMH11147	-	RFQ	1700	NXP半导体	-	大部分	积极的										-				2156-PQMH11147			1
SMMUN2116LT1G	-	RFQ	2695	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				246兆	SOT-23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-SMMUN2116LT1G-954			1																		50 V	100 ma		500NA	pnp-预先偏见	250mv @ 1mA，10mA	160 @ 5mA，10v		4.7科姆斯
PMSTA56,115	0.0200	RFQ	9148	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMSTA56,115-954			1,000																		80 V	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
2PB1219AS，115	-	RFQ	6663	NXP半导体	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2PB1219AS，115-954			1
BUK7219-55A，118	0.5400	RFQ	1712	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7219-55A，118-954			1		n通道					55 v	55A（TC）	10V	19mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2108 PF @ 25 V	-	114W（TC）
AFT21H350W03SR6	199.4800	RFQ	150	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	NI-1230-4S		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-1230-4S	-				2156-AFT21H350W03SR6			2	n通道		10µA	763 MA	63W	16.4db @ 2.11GHz											-			28 V
PMV50ENEA215	-	RFQ	4345	NXP半导体	*	大部分	积极的					PMV50					下载					Ear99	8541.29.0095	1
PSMN2R0-60PS，127	1.0000	RFQ	5598	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN2R0		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN2R0-60PS，127-954			1		n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	137 NC @ 10 V	±20V	9997 PF @ 30 V	-	338W（TC）
PBSS4130QAZ	0.0700	RFQ	243	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫				325兆	DFN1010D-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4130QAZ-954	Ear99	8541.29.0075	1																		30 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	245mv @ 50mA，1a	180 @ 1a，2v	190MHz
BC807-25	-	RFQ	2139	NXP半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC807-25-954			1																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	80MHz
PBSS4032PD，115	0.1500	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457				1 w	6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4032PD，115-954			2,031																		30 V	2.7 a		100NA	PNP	395mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，2V	104MHz
BLS7G2729L-350P，11	-	RFQ	1733年	NXP半导体	-	大部分	积极的										-				2156-BLS7G2729L-350P，11			1
BUK662R5-30C，118	0.5200	RFQ	927	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK662R5-30C，118-954			1		n通道					30 V	100A（TC）	10V	2.8mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±16V	6960 pf @ 25 V	-	204W（TC）
PHPT610030PKX	-	RFQ	9811	NXP半导体	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	PHPT610030			1.25W	LFPAK56D	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PHPT610030PKX	Ear99	8541.29.0075	1																		100V	3a		100NA	2 PNP （双）	360mv @ 200mA，2a	150 @ 500mA，10v	125MHz
BC857CMB，315	0.0200	RFQ	178	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	BC857			250兆	DFN1006B-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC857CMB，315-954	Ear99	8541.21.0075	1																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	PNP	300mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BF820,235	-	RFQ	3735	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BF820,235-954	Ear99	8541.21.0095	1																		300 v	50 mA		10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
PMDXB550UNE/S500Z	-	RFQ	8839	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）	285MW（TA），4.03W（tc）	DFN1010B-6	-				2156-PMDXB550UNE/S500Z			1	2 n通道						30V	590ma（ta）		670MOHM @ 590mA，4.5V	0.95V @ 250µA	1.05NC @ 4.5V		30.3pf @ 15V	标准
BCW61B，215	0.0200	RFQ	17	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCW61B，215-954			1																		32 v	100 ma		20NA（ICBO）	PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	180 @ 2mA，5v	100MHz
BCM847DS，115	0.0700	RFQ	6217	NXP半导体	*	大部分	积极的					BCM847					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCM847DS，115-954			1,750
PUMB24,115	0.0200	RFQ	365	NXP半导体	*	大部分	积极的					PUMB24					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PUMB24,115-954			1
PDTC123EM，315	0.0300	RFQ	25	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTC123					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC123EM，315-954			15,000
PDTA115EU，115	0.0200	RFQ	284	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA115EU，115-954			1
PBSS4021PX，115	1.0000	RFQ	1763年	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				2.5 w	SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4021PX，115-954	Ear99	8541.21.0095	1																		20 v	6.2 a		100NA	PNP	265MV @ 345mA，6.9a	150 @ 4A，2V	105MHz
PEMF21,115	0.1500	RFQ	124	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PEMF21,115-954			1
PDTA114EK115	0.0300	RFQ	30	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达受影响	2156-PDTA114EK115-954			1
BUK7M21-40E，115	1.0000	RFQ	6146	NXP半导体	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1
PMCM6501VPEZ	0.2000	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA，WLCSP			MOSFET （金属 o化物）		6-WLCSP（1.48x0.98）	下载					Ear99	8541.29.0095	1,528		P通道					12 v	6.2a（ta）	1.8V，4.5V	25mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	29.4 NC @ 4.5 V	±8V	1400 pf @ 6 V	-	556毫米（TA），12.5W（tc）
PBSS5160PAP，115	-	RFQ	7374	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PBSS5160			510MW	6-Huson（2x2）	下载						0000.00.0000	1																		60V	1a		100NA（ICBO）	2 PNP （双）	340mv @ 100mA，1a	120 @ 500mA，2V	125MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²