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（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PHP27NQ11T，127	0.6100	RFQ	4	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PHP27NQ11T，127-954			536		n通道					110 v	27.6A（TC）	10V	50mohm @ 14a，10v	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 25 V	-	107W（TC）
BC847cm，315	-	RFQ	2710	NXP半导体	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC847CM，315-954			1
AFV10700H5	537.6400	RFQ	27	NXP半导体	-	大部分	积极的	105 v		底盘安装	NI-780-4		960MHz〜1.215GHz	LDMO （双）		NI-780-4	-				2156-AFV10700HR5			1	2 n通道		1µA	100 ma	700W	19.2db @ 1.03GHz											-			52 v
PSMN8R5-100ESFQ	0.6900	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN8R5-100ESFQ-954			1		n通道					100 v	97A（ta）	7V，10V	8.8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	44.5 NC @ 10 V	±20V	3181 PF @ 50 V	-	183w（ta）
BSP100,135	0.2000	RFQ	28	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BSP100,135-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.2a，10v	2.8V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 20 V	-	8.3W（TC）
2PD601ASL，235	-	RFQ	7114	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2PD601			250兆	TO-236AB	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	100 ma		10NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	290 @ 2mA，10v	100MHz
PMPB20EN/S500X	0.0700	RFQ	5	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	2156-PMPB20EN/S500X	Ear99	8541.21.0075	1		n通道					30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	19.5mohm @ 7a，10v	2V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	435 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
PMCM4401VPEZ	-	RFQ	8918	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP			MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（0.78x0.78）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMCM4401VPEZ-954	Ear99	8541.29.0095	1		P通道					12 v	3.9a（ta）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	415 pf @ 6 V	-	400MW（TA），12.5W（tc）
BC55-16PASX	-	RFQ	1555年	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W	DFN2020d-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC55-16PASX-954	Ear99	8541.21.0075	1																		60 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
PBSS5220T，215	-	RFQ	8901	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				480兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS5220T，215-954			1																		20 v	2 a		100NA（ICBO）	PNP	225mv @ 200mA，2a	200 @ 1A，2V	100MHz
BLS7G2729L-350P，11	-	RFQ	1733年	NXP半导体	-	大部分	积极的										-				2156-BLS7G2729L-350P，11			1
PBSS4021PX，115	1.0000	RFQ	1763年	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				2.5 w	SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4021PX，115-954	Ear99	8541.21.0095	1																		20 v	6.2 a		100NA	PNP	265MV @ 345mA，6.9a	150 @ 4A，2V	105MHz
PUMB24,115	0.0200	RFQ	365	NXP半导体	*	大部分	积极的					PUMB24					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PUMB24,115-954			1
PSMN2R0-60PS，127	1.0000	RFQ	5598	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN2R0		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN2R0-60PS，127-954			1		n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	137 NC @ 10 V	±20V	9997 PF @ 30 V	-	338W（TC）
BUK6213-30C，118	0.2400	RFQ	17	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6213-30C，118-954			1		n通道					30 V	47A（TC）	10V	14mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	19.5 NC @ 10 V	±16V	1108 PF @ 25 V	-	60W（TC）
PHPT60610PYX	-	RFQ	8194	NXP半导体	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.5 w	LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0075	1																		60 V	10 a		100NA	PNP	470MV @ 1A，10A	120 @ 500mA，2V	85MHz
BUK7Y59-60EX	-	RFQ	7909	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK7Y59-60EX-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					60 V	17a（TC）	10V	59mohm @ 5a，10v	4V @ 1mA	7.8 NC @ 10 V	±20V	494 pf @ 25 V	-	37W（TC）
PQMH2147	-	RFQ	5002	NXP半导体	-	大部分	积极的										-				2156-PQMH2147			1
BUK763R1-40B，118	1.1900	RFQ	12	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK763R1-40B，118-954			1		n通道					40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	6808 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BUK9608-55A，118	0.7800	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载			到达不受影响	2156-BUK9608-55A，118-954			1		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	7.5mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	92 NC @ 5 V	±15V	6021 PF @ 25 V	-	253W（TC）
PDTC143ZU，115	-	RFQ	6330	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC143ZU，115-954			1
PHP23NQ11T，127	0.6600	RFQ	6	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PHP23NQ11T，127-954			496		n通道					110 v	23A（TC）	10V	70MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	830 pf @ 25 V	-	100W（TC）
BC54PAS115	0.0600	RFQ	15	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BC54PAS115-954			1
PBLS1504Y，115	0.0700	RFQ	74	NXP半导体	*	大部分	积极的					PBLS1504					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBLS1504Y，115-954			4,873
AFT21S230SR3	192.4100	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-6		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-780S-6	-				2156-AFT21S230SR3			2	n通道		-	1.5 a	50W	16.7db @ 2.11GHz											-			28 V
PHPT610030PKX	-	RFQ	9811	NXP半导体	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	PHPT610030			1.25W	LFPAK56D	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PHPT610030PKX	Ear99	8541.29.0075	1																		100V	3a		100NA	2 PNP （双）	360mv @ 200mA，2a	150 @ 500mA，10v	125MHz
BC51-16PA，115	1.0000	RFQ	2956	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn	BC51			420兆W	3-Huson（2x2）	下载						0000.00.0000	1																		45 v	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
PEMD12,115	0.0700	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMD12,115-954			4,699
PBLS6004D，115	0.0600	RFQ	63	NXP半导体	*	大部分	积极的					PBLS6004					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBLS6004D，115-954			1
BLF8G20LS-220J	-	RFQ	3448	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	SOT-502B		1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		SOT502B	-				2156-BLF8G20LS-220J			1	n通道		4.2µA	1.6 a	55W	18.9db											-			28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²