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（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PDTC123EMB，315	-	RFQ	8441	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	3-XFDFN	PDTC123				250兆	DFN1006B-3	下载					0000.00.0000	1																					50 V	100 ma							1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5V	230 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
BCW30,215	-	RFQ	2289	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	SOT-23	-					0000.00.0000	1																					32 v	100 ma							100NA（ICBO）	PNP	150mv @ 2.5mA，50mA	215 @ 2mA，5v	100MHz
PDTC114EMB，315	-	RFQ	1308	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC114				250兆	DFN1006B-3	下载					0000.00.0000	1																					50 V	100 ma							1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	230 MHz	10 kohms	10 kohms
PDTA123EU，115	1.0000	RFQ	7226	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	PDTA123				200兆	SOT-323	下载					0000.00.0000	1																					50 V	100 ma							1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms
PEMZ1,115	-	RFQ	9747	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMZ1				300MW	SOT-666	下载					0000.00.0000	1																					40V	100mA							100NA（ICBO）	NPN，PNP	200mv @ 5mA，50mA	120 @ 1mA，6v	100MHz
NX2301P，215	1.0000	RFQ	2299	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载				Ear99	8541.29.0095	1		P通道						20 v	2A（TA）	2.5V，4.5V	120MOHM @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±8V	380 pf @ 6 V	-	400MW（TA），2.8W（TC）
PMPB15XN，115	-	RFQ	7468	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫				MOSFET （金属 o化物）		DFN1010B-6	-					0000.00.0000	1		n通道						20 v	7.3a（ta）	1.8V，4.5V	21mohm @ 7.3a，4.5V	900mv @ 250µA	20.2 NC @ 4.5 V	±12V	1240 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
PMPB43XPE，115	1.0000	RFQ	6272	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMPB43			MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载					0000.00.0000	1		P通道						20 v	5A（5A）	1.8V，4.5V	48mohm @ 5A，4.5V	900mv @ 250µA	23.4 NC @ 4.5 V	±12V	1550 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
BLM6G22-30G，118	-	RFQ	8447	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	SOT-822-1			2.1GHz〜2.2GHz	LDMO （双）		16-HSOP	-			2156-BLM6G22-30G，118			1	-		3a，9a		280 MA	30W	30dB											-										28 V
STGWT20V60DF	1.5200	RFQ	600	NXP半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准			167 w	TO-3P-3	-			2156-STGWT20V60DF			198				400V，20A，15V															40 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	200µJ（在）上，130µJ（OFF）	116 NC	38NS/149NS
MD7IC2755NR1	114.3900	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	TO-270-14变体，平面线			2.5GHz〜2.7GHz	LDMO （双）		TO-270 WB-14	-			2156-MD7IC2755NR1			3	2 n通道		10µA		275 MA	10W	25DB											-										28 V
A3G35H100-04SR3	95.6100	RFQ	137	NXP半导体	-	大部分	积极的	125 v		表面安装	NI-780S-4L			3.4GHz〜3.6GHz	甘		NI-780S-4L	-			2156-A3G35H100-04SR3			4	2 n通道		-		80 ma	14W	14dB @ 3.6GHz											-										48 v
MRFX600GSR5	139.9300	RFQ	100	NXP半导体	-	大部分	积极的	179 v		表面安装	NI-780GS-4L			1.8MHz〜400MHz	LDMO （双）		NI-780GS-4L	-			2156-MRFX600GSR5			3	2 n通道		10µA		100 ma	600W	26.4db @ 230MHz											-										65 v
BFU520XRR	0.1200	RFQ	51	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-143R					450MW	SOT-143R	-			2156-BFU520XRR			2,515							17.5db														12V	30mA								NPN		60 @ 5mA，8v	10GHz			0.65dB @ 900MHz
PQMD13147	-	RFQ	5836	NXP半导体	-	大部分	积极的											-			2156-PQMD13147			1
PBSS5220PAPSX	-	RFQ	9176	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫					370MW	DFN2020d-6	-			2156-PBSS5220PAPSX			1																					20V	2a							100NA（ICBO）	2 PNP	390mv @ 200mA，2a	160 @ 1A，2V	95MHz
PBSS4160PANP，115	-	RFQ	5380	NXP半导体	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PBSS4160				510MW	6-Huson（2x2）	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4160PANP，115-954			1																					60V	1a							100NA（ICBO）	NPN，PNP	120MV @ 50mA，500mA	150 @ 500mA，2V	175MHz
MRF300亿	-	RFQ	8346	NXP半导体	-	大部分	积极的	133 v		通过洞	TO-247-3			1.8MHz〜250MHz	ldmos		TO-247-3	-			2156-MRF3000亿			1	n通道		10µA		100 ma	300W	20.4dB											-										50 V
BUK7107-55AIE，118	1.7400	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7107-55AIE，118-954			1		n通道						55 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	116 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	电流感应	272W（TC）
PMG85XPH	-	RFQ	7317	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-PMG85XPH-954			1
PMN48XPAX	-	RFQ	2032	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457				MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,260		P通道						20 v	4.1a（ta）	2.5V，4.5V	55mohm @ 2.4a，4.5V	1.25V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±12V	1000 pf @ 10 V	-	530mw（TA），6.25W（tc）
2PD601BRL，215	0.0200	RFQ	9154	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-2PD601BRL，215-954			1																					50 V	200 ma							100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	250MHz
MMBT3906,215	0.0200	RFQ	74	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-MMBT3906,215-954			1																					40 V	200 ma							50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
PQMD2147	0.0300	RFQ	13	NXP半导体	*	大部分	积极的					PQMD2						下载	供应商不确定	供应商不确定	2156-PQMD2147-954			1
BC869,115	0.1000	RFQ	43	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					1.2 w	SOT-89	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC869,115-954			1																					20 v	1 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	140MHz
PMZ950UPEYL	0.0400	RFQ	356	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883				MOSFET （金属 o化物）		SOT-883	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMZ950UPEYL-954	Ear99	8541.29.0095	1		P通道						20 v	500mA（ta）	1.2V，4.5V	1.4OHM @ 500mA，4.5V	950mv @ 250µA	2.1 NC @ 4.5 V	±8V	43 pf @ 10 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
PMZB1200UPEYL	0.0400	RFQ	604	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN				MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMZB1200UPEYL-954	Ear99	8541.21.0095	1		P通道						30 V	410mA（ta）	1.5V，4.5V	1.4OHM @ 410mA，4.5V	950mv @ 250µA	1.2 NC @ 4.5 V	±8V	43.2 pf @ 15 V	-	310MW（TA），1.67W（tc）
PDTC123TU115	0.0200	RFQ	4136	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTC123						下载				Ear99	8541.21.0095	1
PSMN8R7-80PS，127	0.7500	RFQ	6	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN8R7-80PS，127-954	Ear99	0000.00.0000	398		n通道						80 V	90A（TC）	10V	8.7MOHM @ 10a，10v	4V @ 1mA	52 NC @ 10 V	±20V	3346 pf @ 40 V	-	170W（TC）
BUK9E08-55B，127	-	RFQ	4466	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK9E08-55B，127-954			1		n通道						55 v	75A（TC）	5V，10V	7mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	45 NC @ 5 V	±15V	5280 pf @ 25 V	-	203W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²