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（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BCW32,215	0.0200	RFQ	204	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCW32,215-954			1												32 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	210mv @ 2.5mA，50mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
PMV40UN2R	-	RFQ	2975	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载				Ear99	8541.29.0095	1
PEMB18,115	0.0400	RFQ	12	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMB18,115-954			1
PBSS4230PAN，115	-	RFQ	3391	NXP半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PBSS4230		510MW	6-Huson-EP（2x2）	-					0000.00.0000	1												30V	2a	100NA（ICBO）	-	290mv @ 200mA，2a	200 @ 1A，2V	120MHz
BCX70J，215	-	RFQ	8888	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCX70J，215-954			1												45 v	100 ma	20NA（ICBO）	NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	250MHz
PMV160UP235	-	RFQ	8538	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载	供应商不确定	供应商不确定	2156-PMV160UP235-954			1
BLF1046,112	67.6000	RFQ	20	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-BLF1046,112-954			1
BUK6E2R3-40C，127	0.8900	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6E2R3-40C，127-954			1	n通道	40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	260 NC @ 10 V	±16V	15100 PF @ 25 V	-	306W（TC）
PQMD16147	-	RFQ	1730	NXP半导体	*	大部分	积极的				PQMD16				下载	供应商不确定	供应商不确定	2156-PQMD16147-954			1
MMBT2222A，215	-	RFQ	2521	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2222		250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-MMBT2222A，215-954			1												40 V	600 MA	10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
PMV42ENE215	-	RFQ	1454	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载	供应商不确定	供应商不确定	2156-PMV42ENE215-954			1
PDTD113EQAZ	0.0300	RFQ	30	NXP半导体	*	大部分	积极的				PDTD113				下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTD113EQAZ-954	Ear99	8541.21.0075	1
BUK7508-55A，127	0.9300	RFQ	10	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7508-55A，127-954	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	75a（ta）		8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	76 NC @ 0 V	±20V	4352 PF @ 25 V	-	254W（TA）
BCV65,215	0.0800	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV65,215-954			1
BUK752R3-40E，127	0.9000	RFQ	1	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK752R3-40E，127-954	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	40 V	120a（ta）		2.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	109.2 NC @ 10 V	±20V	8500 PF @ 25 V	-	293W（ta）
2PB709BSL，215	0.0300	RFQ	416	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-2PB709BSL，215-954			1												50 V	200 ma	10NA（ICBO）	PNP	250mv @ 10mA，100mA	210 @ 2mA，10v	200MHz
CLF1G0060S-10	1.0000	RFQ	7738	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-CLF1G0060S-10-954			1
BUK764R0-75C，118	-	RFQ	1887年	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK764R0-75C，118-954			1	n通道	75 v	100A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	142 NC @ 10 V	±20V	11659 PF @ 25 V	-	333W（TC）
PH4030DLV115	-	RFQ	7942	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-PH4030DLV115-954			1
2PD601BSL，215	0.0200	RFQ	16	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-2PD601BSL，215-954			1												50 V	200 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	290 @ 2mA，10v	250MHz
BUK7E4R6-60E，127	0.6400	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	不适用	到达不受影响	2156-BUK7E4R6-60E，127-954			1	n通道	60 V	100A（TC）	10V	4.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±20V	6230 PF @ 25 V	-	234W（TC）
A7101CLTK2/T0BC2WJ	0.9700	RFQ	112	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-A7101CLTK2/T0BC2WJ-954			311
BCV62,215	0.0800	RFQ	9	NXP半导体	*	大部分	积极的				BCV62				下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV62,215-954			1
PHPT61006NYX	-	RFQ	1263	NXP半导体	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			1.3 w	LFPAK56，Power-SO8	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT61006NYX-954	Ear99	8541.29.0075	1												100 v	6 a	100NA	NPN	340mv @ 600mA，6a	140 @ 500mA，2V	170MHz
BUK769R6-80E，118	0.8600	RFQ	486	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK769R6-80E，118-954	Ear99	8541.29.0095	348	n通道	80 V	75A（TC）	10V	9.6mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	59.8 NC @ 10 V	±20V	4682 PF @ 25 V	-	182W（TC）
BC817RA147	0.0400	RFQ	10	NXP半导体	*	大部分	积极的				BC817				下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-BC817RA147-954			1
2PA1774SM，315	0.0200	RFQ	149	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			430兆	SOT-883	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-2PA1774SM，315-954			1												40 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	200mv @ 5mA，50mA	270 @ 1mA，6v	100MHz
PEMH18,115	-	RFQ	1354	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PEMH18,115-954			1
PHP20NQ20T，127	0.9500	RFQ	8	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	到达不受影响	2156-PHP20NQ20T，127-954		0000.00.0000	341	n通道	200 v	20A（TC）	10V	130mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	65 NC @ 10 V	±20V	2470 pf @ 25 V	-	150W（TC）
PHPT60415PYX	0.2300	RFQ	53	NXP半导体	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			1.5 w	LFPAK56，Power-SO8	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT60415PYX-954	Ear99	8541.29.0075	1,280												40 V	15 a	100NA	PNP	850mv @ 1.5a，15a	200 @ 500mA，2V	80MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²