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（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PBSS4620PA，115	-	RFQ	5876	NXP半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn			2.1 w	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4620PA，115-954			1												20 v	6 a	100NA	NPN	275mv @ 300mA，6a	260 @ 2a，2v	80MHz
BC859BW，115	-	RFQ	4466	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			200兆	SOT-323	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BC859BW，115-954			1												30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PDTA113ZU，115	0.0200	RFQ	240	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA113ZU，115-954			1
BC847cm，315	-	RFQ	2710	NXP半导体	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC847CM，315-954			1
BUK7Y98-80E，115	-	RFQ	6769	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载			到达不受影响	2156-BUK7Y98-80E，115-954			1
PQMH11147	-	RFQ	1700	NXP半导体	-	大部分	积极的								-				2156-PQMH11147			1
PHB29N08T，118	0.4000	RFQ	2	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHB29N08T，118-954			812	n通道	75 v	27a（TC）	11V	50mohm @ 14a，11V	5V @ 2mA	19 nc @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	88W（TC）
PMST4401,115	-	RFQ	1398	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			200兆	SOT-323	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMST4401,115-954			1												40 V	600 MA	50NA（iCBO）	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
PHPT60610PYX	-	RFQ	8194	NXP半导体	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			1.5 w	LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0075	1												60 V	10 a	100NA	PNP	470MV @ 1A，10A	120 @ 500mA，2V	85MHz
BC55-16PA，115	-	RFQ	1284	NXP半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn			650兆	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC55-16PA，115-954			1												60 V	1 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	180MHz
PEMH13,315	1.0000	RFQ	4656	NXP半导体	-	大部分	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMH13		300MW	SOT-666	下载						0000.00.0000	1												50V	100mA	1µA	2 NPN- 预偏（双重）	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v	-	4.7kohms	47kohms
BUK6E3R2-55C，127	0.9700	RFQ	4	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6E3R2-55C，127-954			1	n通道	55 v	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	258 NC @ 10 V	±16V	15300 PF @ 25 V	-	306W（TC）
BUK625R0-40C，118	-	RFQ	3532	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK625R0-40C，118-954	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	40 V	90A（ta）		5mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	88 NC @ 10 V	±16V	5200 pf @ 25 V	-	158W（TA）
BC807-25	-	RFQ	2139	NXP半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC807-25-954			1												45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	80MHz
PDTA144WT，215	0.0200	RFQ	107	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA144WT，215-954			1
MRF085HR5178	146.7100	RFQ	100	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MRF085HR5178-954			1
BCP51	-	RFQ	3460	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1 w	SOT-223	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BCP51-954			1												45 v	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
BUK7225-55A，118	0.2700	RFQ	9	NXP半导体	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BUK7225-55A，118	Ear99	8541.29.0075	1	n通道	55 v	43A（ta）	10V	25mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	1310 PF @ 25 V	-	94W（ta）
PMCM4401VPEZ	-	RFQ	8918	NXP半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP		MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（0.78x0.78）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMCM4401VPEZ-954	Ear99	8541.29.0095	1	P通道	12 v	3.9a（ta）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	415 pf @ 6 V	-	400MW（TA），12.5W（tc）
PHPT61006PYX	-	RFQ	9296	NXP半导体	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			1.3 w	LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT61006PYX-954	Ear99	8541.29.0075	1												100 v	6 a	100NA	PNP	130mv @ 50mA，1a	170 @ 500mA，2V	116MHz
PDTA123TT，215	0.0200	RFQ	108	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA123TT，215-954			1
BUK7675-55A，118	0.3900	RFQ	75	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK7675-55A，118-954			763	n通道	55 v	20.3A（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA		±20V	483 pf @ 25 V	-	62W（TC）
MRF6VP2600HR5,178	-	RFQ	3283	NXP半导体	*	大部分	积极的				MRF6VP2600	-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1										-
PDTC123EU，115	-	RFQ	4024	NXP半导体	PDTC123E	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323			200兆	SC-70	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTC123EU，115-954			1												50 V	100 ma	1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms
PUMH19,115	-	RFQ	2418	NXP半导体	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PUMH19,115-954			1
BUK7E4R6-60E，127	0.6400	RFQ	2	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		不适用	到达不受影响	2156-BUK7E4R6-60E，127-954			1	n通道	60 V	100A（TC）	10V	4.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	82 NC @ 10 V	±20V	6230 PF @ 25 V	-	234W（TC）
A7101CLTK2/T0BC2WJ	0.9700	RFQ	112	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-A7101CLTK2/T0BC2WJ-954			311
BCV62,215	0.0800	RFQ	9	NXP半导体	*	大部分	积极的				BCV62				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV62,215-954			1
PHPT61006NYX	-	RFQ	1263	NXP半导体	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			1.3 w	LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT61006NYX-954	Ear99	8541.29.0075	1												100 v	6 a	100NA	NPN	340mv @ 600mA，6a	140 @ 500mA，2V	170MHz
BC817RA147	0.0400	RFQ	10	NXP半导体	*	大部分	积极的				BC817				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BC817RA147-954			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²