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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PSMN015-60PS,127 | - | ![]() | 8129 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | 2156-PSMN015-60PS,127-954 | 1 | n通道 | 60 V | 50A(TC) | 10V | 14.8mohm @ 15a,10v | 4V @ 1mA | 20.9 NC @ 10 V | ±20V | 1220 pf @ 30 V | - | 86W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5330PASX | - | ![]() | 3171 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | 3-udfn裸露的垫子 | 600兆 | DFN2020d-3 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 30 V | 3 a | 100NA | PNP | 320mv @ 300mA,3a | 175 @ 1A,2V | 165MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC56-10PA,115 | 0.0600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-Powerudfn | 420兆W | 3-Huson(2x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BC56-10PA,115-954 | 1 | 80 V | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857CMB,315 | 0.0200 | ![]() | 178 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-XFDFN | BC857 | 250兆 | DFN1006B-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BC857CMB,315-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 300mv @ 500µA,10mA | 420 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBHV8115TLHR | - | ![]() | 4414 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT23-3(TO-236) | - | 2156-PBHV8115TLHR | 1 | 150 v | 1 a | 100NA | NPN | 60mv @ 10mA,100mA | 70 @ 50mA,10v | 30MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4240Y,115 | - | ![]() | 2824 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 430兆 | 6-TSSOP | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PBSS4240Y,115-954 | 1 | 40 V | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 320mv @ 200mA,2a | 300 @ 1A,2V | 230MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40,235 | - | ![]() | 4637 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BC807-40,235-954 | 1 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7C10-75AITE,118 | 1.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK-7 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BUK7C10-75AITE,118-954 | 1 | n通道 | 75 v | 75A(TC) | 10V | 10mohm @ 50a,10v | 4V @ 1mA | 121 NC @ 10 V | ±20V | 4700 PF @ 25 V | 电流感应 | 272W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD123YQAZ | 0.0300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | PDTD123 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PDTD123YQAZ-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC869-16115 | 0.1100 | ![]() | 67 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PB709BRL,215 | 0.0300 | ![]() | 184 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-2PB709BRL,215-954 | 1 | 50 V | 200 ma | 10NA(ICBO) | PNP | 250mv @ 10mA,100mA | 210 @ 2mA,10v | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC68-25PA,115 | 0.0700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-Powerudfn | 420兆W | 3-Huson(2x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BC68-25PA,115-954 | 1 | 20 v | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 600mv @ 200mA,2a | 160 @ 500mA,1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144VU,115 | 0.0200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PDTC144VU,115-954 | 14,990 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX3008PBKV,115 | - | ![]() | 2027 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | NX3008 | - | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-NX3008PBKV,115-954 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R0-60PS,127 | 1.0000 | ![]() | 5598 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | PSMN2R0 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | 2156-PSMN2R0-60PS,127-954 | 1 | n通道 | 60 V | 120A(TC) | 10V | 2.2MOHM @ 25A,10V | 4V @ 1mA | 137 NC @ 10 V | ±20V | 9997 PF @ 30 V | - | 338W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1304NR1 | 25.6700 | ![]() | 410 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 133 v | 表面安装 | TO-270AA | 1.8MHz〜2GHz | ldmos | TO-270-2 | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-MMRF1304NR1 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7µA | 10 MA | 25W | 25.4db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807,215 | 0.0200 | ![]() | 497 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BC807,215-954 | 1 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT21S230SR3 | 192.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-780S-6 | 2.11GHZ〜2.17GHz | ldmos | NI-780S-6 | - | 2156-AFT21S230SR3 | 2 | n通道 | - | 1.5 a | 50W | 16.7db @ 2.11GHz | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7509-55A,127 | 0.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BUK7509-55A,127-954 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 55 v | 75A(TC) | 10V | 9mohm @ 25a,10v | 4V @ 1mA | 62 NC @ 0 V | ±20V | 3271 PF @ 25 V | - | 211W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5160QAZ | - | ![]() | 6848 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-XDFN暴露垫 | 325兆 | DFN1010D-3 | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-PBSS5160QAZ | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 V | 1 a | 100NA | PNP | 460mv @ 50mA,1a | 160 @ 100mA,2V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMP5201V/S711115 | - | ![]() | 5537 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 供应商不确定 | 2156-PMP5201V/S711115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC123EM,315 | 0.0300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | PDTC123 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PDTC123EM,315-954 | 15,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9540-100A,127 | 0.3300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP半导体 | Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BUK9540-100A,127-954 | 1 | n通道 | 100 v | 39A(TC) | 4.5V,10V | 39mohm @ 25a,10v | 2V @ 1mA | 48 NC @ 5 V | ±15V | 3072 PF @ 25 V | - | 158W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN70XPE,115 | 0.0600 | ![]() | 47 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-PMN70XPE,115-954 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC51PA,115 | - | ![]() | 5795 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-Powerudfn | 420兆W | 3-Huson(2x2) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BC51PA,115-954 | 1 | 45 v | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 145MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU550WX | 0.3700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | NXP半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 450MW | SC-70 | 下载 | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-BFU550WX | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 18db | 12V | 50mA | NPN | 60 @ 15mA,8v | 11GHz | 1.3db @ 1.8GHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT2222A,235 | - | ![]() | 4493 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PMBT2222 | 250兆 | TO-236AB | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-PMBT2222A,235-954 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 40 V | 600 MA | 10µA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PRMH9147 | - | ![]() | 8150 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | 325MW | DFN1412-6 | - | 2156-PRMH9147 | 1 | 50V | 100mA | 1µA | 2 NPN-预先偏见 | 100mV @ 250µA,5mA | 100 @ 5mA,5V | 230MHz | 10KOHMS | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6213-30C,118 | 0.2400 | ![]() | 17 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BUK6213-30C,118-954 | 1 | n通道 | 30 V | 47A(TC) | 10V | 14mohm @ 10a,10v | 2.8V @ 1mA | 19.5 NC @ 10 V | ±16V | 1108 PF @ 25 V | - | 60W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM6501VPE/S500Z | 0.1900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-PMCM6501VPE/S500Z-954 | 1 |
每日平均RFQ量
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