RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BC51PASX	0.0600	RFQ	54	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W	DFN2020d-3	下载					Ear99	8541.29.0075	1																		45 v	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
BCP51-10,135	-	RFQ	5939	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP51			1 w	SOT-223	下载						0000.00.0000	1																		45 v	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
BC869-16115	0.1100	RFQ	67	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0075	1
PDTD123YQAZ	0.0300	RFQ	24	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTD123					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTD123YQAZ-954	Ear99	8541.21.0075	1
BUK7509-55A，127	0.5600	RFQ	3	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7509-55A，127-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	62 NC @ 0 V	±20V	3271 PF @ 25 V	-	211W（TC）
PBSS4240Y，115	-	RFQ	2824	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363				430兆	6-TSSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4240Y，115-954			1																		40 V	2 a		100NA（ICBO）	NPN	320mv @ 200mA，2a	300 @ 1A，2V	230MHz
BCV62C，215	0.1400	RFQ	2	NXP半导体	*	大部分	积极的					BCV62					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV62C，215-954	Ear99	8541.21.0075	1
PBSS5220T，215	-	RFQ	8901	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				480兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS5220T，215-954			1																		20 v	2 a		100NA（ICBO）	PNP	225mv @ 200mA，2a	200 @ 1A，2V	100MHz
PBSS5330PASX	-	RFQ	3171	NXP半导体	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				600兆	DFN2020d-3	下载					Ear99	8541.29.0075	1																		30 V	3 a		100NA	PNP	320mv @ 300mA，3a	175 @ 1A，2V	165MHz
PMMT591A，215	0.0400	RFQ	4937	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMMT591A，215-954	Ear99	8541.21.0075	3,740																		40 V	1 a		100NA	PNP	500mv @ 100mA，1a	300 @ 100mA，5V	150MHz
PHPT60406NYX	-	RFQ	1984	NXP半导体	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.35 w	LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT60406NYX-954	Ear99	8541.29.0075	1																		40 V	6 a		100NA	NPN	380mv @ 300mA，6a	230 @ 500mA，2V	153MHz
BC51PA，115	-	RFQ	5795	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn				420兆W	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC51PA，115-954			1																		45 v	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
BLC8G27LS-180AVY	-	RFQ	7434	NXP半导体	-	大部分	积极的										-				2156-BLC8G27LS-180AVY			1
PBLS4003D，115	0.0700	RFQ	66	NXP半导体	*	大部分	积极的					PBLS4003					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBLS4003D，115-954			4,473
BC68-25PA，115	0.0700	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn				420兆W	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC68-25PA，115-954			1																		20 v	2 a		100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 200mA，2a	160 @ 500mA，1V	170MHz
BUK6610-75C，118	0.4100	RFQ	7	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6610-75C，118-954			1		n通道					75 v	78A（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TC）
BC54-10PASX	0.0600	RFQ	146	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W	DFN2020d-3	下载					Ear99	8541.29.0075	1																		45 v	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
BUK6218-40C，118	0.2200	RFQ	2350	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6218-40C，118-954			1		n通道					40 V	42A（TC）	10V	16mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±16V	1170 pf @ 25 V	-	60W（TC）
PBLS6005D，115	-	RFQ	8192	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	PBLS6005			600MW	6-TSOP	下载						0000.00.0000	1																		50V，60V	100mA，700mA		1µA，100NA	1 NPN预偏，1 pnp	150mv @ 500µA，10mA / 340mv @ 100mA，1a	80 @ 5mA，5v / 150 @ 500mA，5V	185MHz	47kohms	47kohms
PDTC114EM，315	-	RFQ	8997	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883				250兆	DFN1006-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTC114EM，315-954			1																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	230 MHz	10 kohms	10 kohms
A2I22D050NR1	51.7500	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	TO-270WB-15		1.8GHz〜2.2GHz	LDMO （双）		TO-270WB-15	-				2156-A2I22D050NR1			6	2 n通道		10µA	520 MA	5.3W	31.1db @ 1.88GHz											-			28 V
MRF300AN	-	RFQ	4595	NXP半导体	-	大部分	积极的	133 v		通过洞	TO-247-3		1.8MHz〜250MHz	ldmos		TO-247-3	-				2156-MRF300AN			1	n通道		10µA	100 ma	300W	28.2db											-			50 V
PDTA123YM，315	-	RFQ	5284	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA123			250兆	DFN1006-3	下载						0000.00.0000	1																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	35 @ 5mA，5v		2.2 kohms	10 kohms
PDTC144WM，315	0.0300	RFQ	120	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC144			250兆	DFN1006-3	下载					Ear99	8541.21.0095	15,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5v		47科姆斯	22 KOHMS
BUK763R1-40B，118	1.1900	RFQ	12	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK763R1-40B，118-954			1		n通道					40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	6808 PF @ 25 V	-	300W（TC）
2PD601ASL，235	-	RFQ	7114	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2PD601			250兆	TO-236AB	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	100 ma		10NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	290 @ 2mA，10v	100MHz
PMXB65ENEZ	0.0900	RFQ	3	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMXB65ENEZ-954		0000.00.0000	1
BC55-16PASX	-	RFQ	1555年	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W	DFN2020d-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC55-16PASX-954	Ear99	8541.21.0075	1																		60 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
PMPB20EN/S500X	0.0700	RFQ	5	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	2156-PMPB20EN/S500X	Ear99	8541.21.0075	1		n通道					30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	19.5mohm @ 7a，10v	2V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	435 pf @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
BUK7675-55A，118	0.3900	RFQ	75	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK7675-55A，118-954			763		n通道					55 v	20.3A（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA		±20V	483 pf @ 25 V	-	62W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²