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（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PMST4401,115	-	RFQ	1398	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMST4401,115-954			1																		40 V	600 MA		50NA（iCBO）	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
BUK7225-55A，118	0.2700	RFQ	9	NXP半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BUK7225-55A，118	Ear99	8541.29.0075	1		n通道					55 v	43A（ta）	10V	25mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	1310 PF @ 25 V	-	94W（ta）
PMCM4401VPEZ	-	RFQ	8918	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP			MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（0.78x0.78）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMCM4401VPEZ-954	Ear99	8541.29.0095	1		P通道					12 v	3.9a（ta）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	415 pf @ 6 V	-	400MW（TA），12.5W（tc）
BUK7Y98-80E，115	-	RFQ	6769	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载			到达不受影响	2156-BUK7Y98-80E，115-954			1
PHB29N08T，118	0.4000	RFQ	2	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHB29N08T，118-954			812		n通道					75 v	27a（TC）	11V	50mohm @ 14a，11V	5V @ 2mA	19 nc @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	88W（TC）
PHPT60610PYX	-	RFQ	8194	NXP半导体	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.5 w	LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0075	1																		60 V	10 a		100NA	PNP	470MV @ 1A，10A	120 @ 500mA，2V	85MHz
BC55-16PA，115	-	RFQ	1284	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn				650兆	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC55-16PA，115-954			1																		60 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	180MHz
PEMH13,315	1.0000	RFQ	4656	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOT-563，SOT-666	PEMH13			300MW	SOT-666	下载						0000.00.0000	1																		50V	100mA		1µA	2 NPN- 预偏（双重）	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v	-	4.7kohms	47kohms
BUK6E3R2-55C，127	0.9700	RFQ	4	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6E3R2-55C，127-954			1		n通道					55 v	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	258 NC @ 10 V	±16V	15300 PF @ 25 V	-	306W（TC）
BUK625R0-40C，118	-	RFQ	3532	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK625R0-40C，118-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					40 V	90A（ta）		5mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	88 NC @ 10 V	±16V	5200 pf @ 25 V	-	158W（TA）
BC807-25	-	RFQ	2139	NXP半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT23-3（TO-236）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BC807-25-954			1																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	80MHz
PDTA144WT，215	0.0200	RFQ	107	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA144WT，215-954			1
PDTC123YMB，315	0.0300	RFQ	99	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTC123					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC123YMB，315-954			1
BC859BW，115	-	RFQ	4466	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BC859BW，115-954			1																		30 V	100 ma		15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PDTA113ZU，115	0.0200	RFQ	240	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA113ZU，115-954			1
PDTC144VU，115	0.0200	RFQ	14	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC144VU，115-954			14,990
MMRF1304NR1	25.6700	RFQ	410	NXP半导体	-	大部分	过时的	133 v		表面安装	TO-270AA		1.8MHz〜2GHz	ldmos		TO-270-2	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMRF1304NR1	Ear99	8541.29.0075	1			7µA	10 MA	25W	25.4db											-			50 V
PSMN2R0-60PS，127	1.0000	RFQ	5598	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN2R0		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN2R0-60PS，127-954			1		n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	137 NC @ 10 V	±20V	9997 PF @ 30 V	-	338W（TC）
BUK7509-55A，127	0.5600	RFQ	3	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7509-55A，127-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	62 NC @ 0 V	±20V	3271 PF @ 25 V	-	211W（TC）
AFT21S230SR3	192.4100	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-6		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-780S-6	-				2156-AFT21S230SR3			2	n通道		-	1.5 a	50W	16.7db @ 2.11GHz											-			28 V
PHPT60406NYX	-	RFQ	1984	NXP半导体	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.35 w	LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT60406NYX-954	Ear99	8541.29.0075	1																		40 V	6 a		100NA	NPN	380mv @ 300mA，6a	230 @ 500mA，2V	153MHz
BLC8G27LS-180AVY	-	RFQ	7434	NXP半导体	-	大部分	积极的										-				2156-BLC8G27LS-180AVY			1
BUK6610-75C，118	0.4100	RFQ	7	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6610-75C，118-954			1		n通道					75 v	78A（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TC）
BUK6218-40C，118	0.2200	RFQ	2350	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6218-40C，118-954			1		n通道					40 V	42A（TC）	10V	16mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±16V	1170 pf @ 25 V	-	60W（TC）
PBLS6005D，115	-	RFQ	8192	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457	PBLS6005			600MW	6-TSOP	下载						0000.00.0000	1																		50V，60V	100mA，700mA		1µA，100NA	1 NPN预偏，1 pnp	150mv @ 500µA，10mA / 340mv @ 100mA，1a	80 @ 5mA，5v / 150 @ 500mA，5V	185MHz	47kohms	47kohms
PDTC114EM，315	-	RFQ	8997	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883				250兆	DFN1006-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTC114EM，315-954			1																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	230 MHz	10 kohms	10 kohms
A2I22D050NR1	51.7500	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	TO-270WB-15		1.8GHz〜2.2GHz	LDMO （双）		TO-270WB-15	-				2156-A2I22D050NR1			6	2 n通道		10µA	520 MA	5.3W	31.1db @ 1.88GHz											-			28 V
MRF300AN	-	RFQ	4595	NXP半导体	-	大部分	积极的	133 v		通过洞	TO-247-3		1.8MHz〜250MHz	ldmos		TO-247-3	-				2156-MRF300AN			1	n通道		10µA	100 ma	300W	28.2db											-			50 V
PDTA123YM，315	-	RFQ	5284	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA123			250兆	DFN1006-3	下载						0000.00.0000	1																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	35 @ 5mA，5v		2.2 kohms	10 kohms
BUK763R1-40B，118	1.1900	RFQ	12	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK763R1-40B，118-954			1		n通道					40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	6808 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²