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（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PDTC114ET215	0.0200	RFQ	235	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.21.0075	1
PDTD123ET，215	-	RFQ	4805	NXP半导体	PDTD123E	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PDTD123ET，215-954			1																		50 V	500 MA		500NA	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	40 @ 50mA，5V		2.2 kohms	2.2 kohms
MHT1004NR3	124.8400	RFQ	158	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		底盘安装	OM-780-2		-	ldmos		OM-780-2	-				2156-MHT1004NR3			3	n通道		10µA	100 ma	280W	15.2db											-			32 v
BF620,115	-	RFQ	7826	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1.1 w	SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BF620,115-954	Ear99	8541.29.0075	1																		300 v	50 mA		10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
PDTA143ZM，315	1.0000	RFQ	6664	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA143			250兆	DFN1006-3	下载						0000.00.0000	1																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		4.7科姆斯	47科姆斯
PHP225,118	0.2100	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PHP225,118-954			1
BC53-16PASX	-	RFQ	3565	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W	DFN2020d-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC53-16PASX-954	Ear99	8541.21.0075	1																		80 V	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
PMV130ENEAR	-	RFQ	5510	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMV130-NER-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					40 V	2.1a（ta）	4.5V，10V	120MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 250µA	3.6 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 20 V	-	460MW（ta），5W（（（（（（（（（（（
PZT4403,115	0.0900	RFQ	3	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.15 w	SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PZT4403,115-954			1																		40 V	600 MA		50NA（iCBO）	PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	200MHz
BUK9614-60E，118	-	RFQ	1845年	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK9614-60E，118-954			1		n通道					60 V	56A（TC）	5V	12.8mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	20.5 NC @ 5 V	±10V	2651 PF @ 25 V	-	96W（TC）
PDTA114EMB，315	-	RFQ	6345	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA114			250兆	DFN1006B-3	下载						0000.00.0000	1																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	180 MHz	10 kohms	10 kohms
BC848B，235	-	RFQ	4135	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1																		30 V	100 ma		15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
BLM7G1822S-20PBY	22.8800	RFQ	1	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BLM7G1822S-20PBY-954			14
BUK762R0-40C，118	-	RFQ	7294	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK762R0-40C，118-954			1		n通道					40 V	100A（TC）	10V	2mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	175 NC @ 10 V	±20V	11323 PF @ 25 V	-	333W（TC）
PHPT61010PYX	-	RFQ	1462	NXP半导体	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.5 w	LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT61010PYX-954	Ear99	8541.29.0075	1																		100 v	10 a		100NA	PNP	800MV @ 1A，10A	180 @ 500mA，2V	90MHz
MRFX600HSR5	138.9000	RFQ	9931	NXP半导体	-	大部分	积极的	179 v		表面安装	NI-780S-4L		1.8MHz〜400MHz	LDMO （双）		NI-780S-4L	-				2156-MRFX600HSR5			2	2 n通道		10µA	100 ma	600W	26.4db @ 230MHz											-			65 v
PSMN7R0-100PS127	-	RFQ	7709	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
PHPT610035PKX	-	RFQ	3836	NXP半导体	*	大部分	积极的					PHPT610035					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT610035PKX-954	Ear99	8541.29.0075	1
PQMH13147	-	RFQ	2526	NXP半导体	-	大部分	积极的										-				2156-PQMH13147			1
PBSS5350D，115	-	RFQ	7066	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457				750兆w	6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS5350D，115-954			1																		50 V	3 a		100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 200mA，2a	100 @ 2a，2v	100MHz
PMCM4401VNE/S500Z	-	RFQ	1093	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMCM4401VNE/S500Z-954			1
BUK6215-75C，118	0.2700	RFQ	6241	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6215-75C，118-954	Ear99	8541.29.0095	720		n通道					75 v	57a（ta）		15mohm @ 15a，10v	2.8V @ 1mA	61.8 NC @ 10 V	±16V	3900 PF @ 25 V	-	128W（TA）
PHPT60410PYX	0.2100	RFQ	40	NXP半导体	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.3 w	LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PHPT60410PYX-954	Ear99	8541.29.0095	1,550																		40 V	10 a		100NA	PNP	800mv @ 500mA，10a	240 @ 500mA，2V	97MHz
BUK9Y11-80EX	-	RFQ	8848	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK9Y11-80EX-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					80 V	84A（TC）	5V	10mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	44.2 NC @ 5 V	±10V	6506 pf @ 25 V	-	（194W）（TC）
BCP56-16HX	-	RFQ	3505	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCP56-16HX-954		8541.29.0075	1																		80 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
PUMF12,115	0.0300	RFQ	122	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PUMF12,115-954			1
PUMH2,115	0.0300	RFQ	393	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PUMH2,115-954			1
PMV30XPEA215	-	RFQ	9535	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMV30XPEA215-954			1
PBSS4260PANPSX	-	RFQ	1672年	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4260PANPSX-954	Ear99	8541.21.0075	1
BC55-10PA，115	1.0000	RFQ	5909	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn				650兆	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC55-10PA，115-954			1																		60 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²