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（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
TIP42CTU-F129	-	RFQ	6126	NXP半导体	-	大部分	过时的								-				2156-TIP42CTU-F129			1
PDTC114TMB315	0.0300	RFQ	276	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载					Ear99	8541.21.0075	1
BC859B，215	0.0200	RFQ	9	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC859B，215-954			1													30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PDTC143TM，315	0.0200	RFQ	29	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC143TM，315-954			15,000
BCP56-10H，115	-	RFQ	9329	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BCP56-10H，115-954		0000.00.0000	1
PMDPB95XNE2X	0.0900	RFQ	8729	NXP半导体	*	大部分	积极的				PMDPB95	-			下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMDPB95XNE2X-954			1											-
PMPB23XNEZ	0.1000	RFQ	3	NXP半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PMPB23XNEZ	Ear99	8541.21.0075	3,600		n通道	20 v	7a（ta）	1.8V，4.5V	22mohm @ 7A，4.5V	900mv @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±12V	1136 PF @ 10 V	-	1.7W（TA）
BUK6212-40C，118	0.3300	RFQ	5	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6212-40C，118-954			1		n通道	40 V	50a（ta）		11.2MOHM @ 12A，10V	2.8V @ 1mA	33.9 NC @ 10 V	±16V	1900 pf @ 25 V	-	80W
AFV10700HSR5178	538.8700	RFQ	50	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AFV10700HSR5178-954			1
PMZB950UPEL315	0.0500	RFQ	54	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-PMZB950UPEL315-954			1
PSMN2R8-40BS	-	RFQ	8495	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载						0000.00.0000	1
PSMN5R0-100P，127	1.6300	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN5R0-100P，127-954	Ear99	8541.29.0095	184		n通道	100 v	120A（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 50 V	-	338W（TC）
PUMB2,115	0.0200	RFQ	77	NXP半导体	*	大部分	积极的				PUMB2				下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PUMB2,115-954			1
PBSS5320D，115	0.0600	RFQ	23	NXP半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			750兆w	6-TSOP	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS5320D，115-954			1													20 v	3 a	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 300mA，3a	150 @ 2a，2v	100MHz
BC847CMB，315	-	RFQ	4081	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	BC847		250兆	DFN1006B-3	-						0000.00.0000	1													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	200mv @ 500µA，10mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
PDTC143ET，235	0.0200	RFQ	380	NXP半导体	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC143		250兆	SOT-23	下载						0000.00.0000	1													50 V	100 ma	1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	4.7科姆斯
PSMN7R0-100P，127	-	RFQ	9099	NXP半导体	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN7R0-100PS，127-954			1		n通道	100 v	100A（TC）	10V	12mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA	125 NC @ 10 V	±20V	6686 pf @ 50 V	-	269W（TC）
NX3008NBKSH	-	RFQ	3171	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）	280MW（TA），990MW（（TC）	6-TSSOP	-				2156-NX3008NBKSH			1	2 n通道		30V	350mA（ta）		1.4OHM @ 350mA，4.5V	1.1V @ 250µA	0.68nc @ 4.5V		50pf @ 15V	标准
PSMN1R8-30PL，127	1.0000	RFQ	1915年	NXP半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN1R8	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN1R8-30PL，127-954			1		n通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±20V	10180 pf @ 12 V	-	270W（TC）
PDTA114TM315	0.0200	RFQ	450	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载					Ear99	8542.21.0095	15,000
BC52PASX	-	RFQ	7926	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC52PASX-954			1
PUMD14,115	-	RFQ	4001	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PUMD14,115-954			1
NX7002AK215	-	RFQ	3044	NXP半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	-				2156-NX7002AK215			1		n通道	60 V	（190mA ta），300mA tc）	5V，10V	4.5Ohm @ 100mA，10v	2.1V @ 250µA	0.43 NC @ 4.5 V	±20V	20 pf @ 10 V	-	265MW（TA），1.33W（tc）
BLM7G1822S-20PBY	22.8800	RFQ	1	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BLM7G1822S-20PBY-954			14
PMBTA14,215	0.0400	RFQ	99	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMBTA14,215-954			7,378													30 V	500 MA	100NA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
PSMN035-150p，127	0.7500	RFQ	15	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN035-150P，127-954			1		n通道	150 v	50A（TC）	10V	35mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	79 NC @ 10 V	±20V	4720 PF @ 25 V	-	250W（TC）
PBSS4612PA，115	0.1000	RFQ	77	NXP半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn			2.1 w	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4612PA，115-954			1													12 v	6 a	100NA	NPN	275mv @ 300mA，6a	260 @ 2a，2v	80MHz
PSMN009-100P，127	1.5000	RFQ	291	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN009-100P，127-954			217		n通道	100 v	75A（TC）	10V	8.8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	156 NC @ 10 V	±20V	8250 pf @ 25 V	-	230W（TC）
PDTA144VU，115	0.0200	RFQ	117	NXP半导体	*	大部分	积极的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA144VU，115-954			1
BUK6E4R0-75C，127	1.0200	RFQ	19	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6E4R0-75C，127-954			1		n通道	75 v	120A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	234 NC @ 10 V	±16V	15450 pf @ 25 V	-	306W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²