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（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
CLF1G0035-200P	-	RFQ	2878	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-CLF1G0035-200P-954	Ear99	8541.29.0095	1
PMZ1000UN，315	0.0500	RFQ	10	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMZ1000UN，315-954			1
PDTA143XU，115	0.0200	RFQ	742	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA143XU，115-954			1
PDTC114TT，215	0.0200	RFQ	570	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载			到达不受影响	2156-PDTC114TT，215-954			1
PSMN035-150B，118	-	RFQ	3385	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN035-150B，118-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					150 v	50A（TC）	10V	35mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	79 NC @ 10 V	±20V	4720 PF @ 25 V	-	250W（TC）
BC857BW/ZL115	0.0200	RFQ	114	NXP半导体	*	大部分	积极的					BC857					下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BC857BW/ZL115-954			1
BCV63,215	0.0800	RFQ	18	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV63,215-954			1
BC856BMYL	0.0200	RFQ	15	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BC856			250兆	SOT-883	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC856BMYL-954	Ear99	8541.21.0075	15,560																		60 V	100 ma		15NA（icbo）	PNP	200mv @ 500µA，10mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PQMD10147	0.0300	RFQ	13	NXP半导体	*	大部分	积极的					PQMD10					下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-PQMD10147-954			1
BCV61A，215	0.0800	RFQ	47	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV61A，215-954			1
MRFX1K80H-230MHz	1.0000	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	过时的	179 v		底盘安装	SOT-979A		1.8MHz〜400MHz	ldmos		NI-1230-4H	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-MRFX1K80H-230MHz	Ear99	8541.29.0075	1	双重的		100mA	1.5 a	1800W	25.1db											-			65 v
MRFE6VP8600HR5	311.0600	RFQ	640	NXP半导体	-	大部分	过时的	130 v		底盘安装	NI-1230		470MHz〜860MHz	ldmos		NI-1230	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MRFE6VP8600HR5	Ear99	8541.29.0075	1	双重，共同来源		20µA	1.4 a	600W	19.3db											-			50 V
MRF6VP11KGSR5	271.3200	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的	110 v		表面安装	NI-1230-4S GW		1.8MHz〜150MHz	LDMO （双）		NI-1230-4S海鸥	-				2156-MRF6VP11KGSR5			2	2 n通道		100µA	150 ma	1000W	26dB @ 130MHz											-			50 V
PDTC115EM，315	1.0000	RFQ	9747	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC115			250兆	DFN1006-3	下载						0000.00.0000	1																		50 V	20 ma		1µA	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5V		100 kohms	100 kohms
PDTC115EMB，315	0.0300	RFQ	189	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTC115			250兆	DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	20 ma		1µA	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5V	230 MHz	100 kohms	100 kohms
PMZB950UPEL315	0.0500	RFQ	54	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-PMZB950UPEL315-954			1
PSMN5R0-100P，127	1.6300	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PSMN5R0-100P，127-954	Ear99	8541.29.0095	184		n通道					100 v	120A（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 50 V	-	338W（TC）
PSMN2R8-40BS	-	RFQ	8495	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
NX138BKR	1.0000	RFQ	3178	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NX138BKR-954	Ear99	8541.21.0095	1		n通道					60 V	265ma（ta）	2.5V，10V	3.5OHM @ 200mA，10v	1.5V @ 250µA	0.49 NC @ 4.5 V	±20V	20.2 pf @ 30 V	-	310MW（TA）
BSR41,115	0.1900	RFQ	25	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1.35 w	SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BSR41,115-954			1																		60 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
2PD2150,115	0.0800	RFQ	8	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				2 w	SOT-89	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-2PD2150,115-954	Ear99	8541.29.0075	1																		20 v	3 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 100mA，2a	180 @ 100mA，2V	220MHz
BLF88888B，112	218.8600	RFQ	25	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载			到达不受影响	2156-BLF8888B，112-954	Ear99	8541.29.0075	1
PHPT60606PYX	-	RFQ	3851	NXP半导体	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669				1.35 w	LFPAK56，Power-SO8	-		供应商不确定	供应商不确定	2156-PHPT60606PYX-954			1																		60 V	6 a		100NA	PNP	525mv @ 600mA，6a	120 @ 500mA，2V	110MHz
BUK9275-100A，118	1.0000	RFQ	9408	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK9275-100A，118-954			1		n通道					100 v	21.7A（TC）	4.5V，10V	72MOHM @ 10a，10v	2V @ 1mA		±10V	1690 pf @ 25 V	-	88W（TC）
BUK6212-40C，118	0.3300	RFQ	5	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6212-40C，118-954			1		n通道					40 V	50a（ta）		11.2MOHM @ 12A，10V	2.8V @ 1mA	33.9 NC @ 10 V	±16V	1900 pf @ 25 V	-	80W
BC857A，215	0.0200	RFQ	69	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857			250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC857A，215-954			1																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
AFV10700HSR5178	538.8700	RFQ	50	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AFV10700HSR5178-954			1
TIP42CTU-F129	-	RFQ	6126	NXP半导体	-	大部分	过时的										-				2156-TIP42CTU-F129			1
PDTA114TMB，315	0.0300	RFQ	668	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA114TMB，315-954			1
PDTA114TM315	0.0200	RFQ	450	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8542.21.0095	15,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²