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（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
PH3120L，115	0.2500	RFQ	17	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PH3120L，115-954			1		n通道					20 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.65mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48.5 NC @ 4.5 V	±20V	4457 PF @ 10 V	-	62.5W（TC）
PDTC124EM，315	0.0300	RFQ	1	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC124EM，315-954			15,000
BC52-10PASX	0.0600	RFQ	59	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W	DFN2020d-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC52-10PASX-954	Ear99	8541.21.0075	1																		60 V	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
PBSS4230QAZ	0.0700	RFQ	335	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫				325兆	DFN1010D-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4230QAZ-954	Ear99	8541.29.0075	4,480																		30 V	2 a		100NA（ICBO）	NPN	190MV @ 50mA，1a	100 @ 2a，2v	190MHz
PDTC124TU，115	-	RFQ	5646	NXP半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	PDTC124			200兆	SOT-323	-						0000.00.0000	1																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	100 @ 1mA，5V		22 KOHMS
PSMN8R5-100PSFQ	-	RFQ	3291	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN8R5-100PSFQ-954			1		n通道					100 v	98a（ta）	7V，10V	8.7MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	44.5 NC @ 10 V	±20V	3181 PF @ 50 V	-	183w（ta）
PBSS4260PANP，115	1.0000	RFQ	2332	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBSS4260PANP，115-954			1
BLF8G27LS-100PJ	-	RFQ	4497	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	SOT-1121b		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos （双），普通来源		最多	-				2156-BLF8G27LS-100PJ			1	2 n通道		-	860 MA	25W	18db											-			28 V
PDTC143ZMB，315	0.0300	RFQ	126	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTC143ZMB，315-954			1
BUK9880-55/CU135	-	RFQ	9969	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK9880-55/CU135-954			1
PDTD113ZT，215	0.0300	RFQ	39	NXP半导体	*	大部分	积极的					PDTD113					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTD113ZT，215-954	Ear99	8541.21.0095	10,764
BF824,215	-	RFQ	2584	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载						0000.00.0000	1																		30 V	25 ma		50NA（iCBO）	PNP	-	25 @ 4mA，10v	450MHz
PMST5550,135	0.0300	RFQ	15	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMST5550,135-954			1																		140 v	300 MA		100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
BLF6G22LS-180RN	-	RFQ	4998	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	SOT-502B		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		SOT502B	-				2156-BLF6G22LS-180RN			1	n通道		5µA	1.4 a	40W	16dB											-			30 V
PSMN085-150K，518	0.3300	RFQ	9	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN085-150K，518-954			1		n通道					150 v	3.5A（TC）	10V	85MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1310 PF @ 25 V	-	3.5W（TC）
PH2525L，115	0.2400	RFQ	4	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PH2525L，115-954			1,268		n通道					25 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 25A，10V	2.15V @ 1mA	34.7 NC @ 4.5 V	±20V	4470 pf @ 12 V	-	62.5W（TC）
BUK7506-55A，127	-	RFQ	1400	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	6.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA		±20V	6000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BCM847BV，315	-	RFQ	2044	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	BCM847			300MW	SOT-666	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCM847BV，315-954			1																		45V	100mA		15NA（icbo）	2（NPN （双）	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BF570,215	0.0500	RFQ	55	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BF570,215-954			1																		15 v	100 ma		400NA（ICBO）	NPN	-	40 @ 10mA，1V	490MHz
PMZB600UNEL315	0.0400	RFQ	150	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-PMZB600UNEL315-954			1
NX7002BKS115	-	RFQ	7235	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.21.0095	1
PMT560ENEAX	-	RFQ	1293	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMT560ENEAX-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	1.1A（TA）	4.5V，10V	715MOHM @ 1.1A，10V	2.7V @ 250µA	4.4 NC @ 10 V	±20V	112 PF @ 50 V	-	750MW（TA）
BC860B，235	0.0200	RFQ	100	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC860B，235-954			1																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PSMN6R0-25YLD115	0.2200	RFQ	9	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN6R0-25YLD115-954			1,340
BCV61C，215	0.1300	RFQ	354	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BCV61C，215-954			1
PMCXB1000UEZ	0.0900	RFQ	7	NXP半导体	*	大部分	积极的					PMCXB1000		-			下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMCXB1000UEZ-954			1															-
PSMN6R3-120PS	2.0100	RFQ	319	NXP半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PSMN6R3-120PS	Ear99	8541.29.0075	162		n通道					120 v	70a（ta）	10V	6.7MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	207.1 NC @ 10 V	±20V	11384 PF @ 60 V	-	405W（TA）
PMST2222,115	0.0200	RFQ	540	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PMST2222,115-954			1																		30 V	600 MA		10NA（ICBO）	NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz
NX7002AK2,215	-	RFQ	3433	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-NX7002AK2,215-954			1
CLF1G0035S-100	-	RFQ	2110	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-CLF1G0035S-100-954			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²