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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PMZ390UNE/S500315	1.0000	RFQ	1323	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000
A2I25D025GNR1	-	RFQ	1430	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	TO-270-17变体，鸥翼	A2I25	2.69GHz	ldmos		TO-270WBG-17	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	500	双重的		-	59 MA	3.2W	31.9db											-			28 V
BF240,112	-	RFQ	3286	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF240			300MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000						-												40V	25mA			NPN		67 @ 1mA，10v	150MHz			-
BLF8G27LS-100V，118	57.2300	RFQ	74	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	65 v		底盘安装	SOT-1244B		2.5GHz〜2.7GHz	ldmos		CDFM6	下载					Ear99	8541.29.0075	6			-	900 MA	25W	17dB											-			28 V
PMV65XPE215	-	RFQ	7270	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
A2T23H200W23SR6	-	RFQ	6130	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		底盘安装	ACP-1230S-4L2S	A2T23	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos		ACP-1230S-4L2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150			10µA	500 MA	51W	15.5db											-			28 V
PSMN012-80PS，127	-	RFQ	6968	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN0					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
MRF8P20165WHR5	-	RFQ	9260	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8	1.98GHz〜2.01GHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	550 MA	37W	14.8db											-			28 V
MRF8P20100HSR3,128	1.0000	RFQ	6904	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
MRF6S23140HSR5	-	RFQ	5922	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	NI-880S	MRF6	2.39GHz	ldmos		NI-880S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.3 a	28W	15.2db											-			28 V
MRF19045LSR5	-	RFQ	5309	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			Ni-400s	MRF19	1.93GHz	ldmos		NI-400S-240	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50			-	550 MA	9.5W	14.5db											-			26 V
MRF1518NT1	-	RFQ	2563	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		表面安装	PLD-1.5	MRF15	520MHz	ldmos		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000			4a	150 ma	8W	13DB											-			12.5 v
MRF7S19210HSR5	-	RFQ	1011	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	1.99GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.4 a	63W	20dB											-			28 V
AFV141KGSR5	606.2932	RFQ	7028	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	NI-1230-4S GW	AFV141	1.4GHz	ldmos		NI-1230-4S海鸥	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935318921178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	100 ma	1000W	17.7dB											-			50 V
A2T21H100-25SR3	94.1572	RFQ	1176	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A2T21		MOSFET			-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320549128	Ear99	8541.29.0075	250	n通道
PDTC124XE/DG/B2115	0.0500	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	6,662
PHX45NQ11T，127	-	RFQ	9593	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX45		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					110 v	30.4A（TC）	10V	25mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	61 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	62.5W（TC）
PBSS9110D，115	0.0700	RFQ	15	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457				700兆	6-TSOP	下载					Ear99	8541.21.0075	4,092																		100 v	1 a		100NA	PNP	320mv @ 100mA，1a	150 @ 500mA，5V	100MHz
BUK7210-55B/C1,118	-	RFQ	3061	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜185°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	BUK7210		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934062108118	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	35 NC @ 10 V	±20V	2453 PF @ 25 V	-	167W（TC）
PDTC123EK，115	-	RFQ	7375	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC123			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5v		2.2 kohms	2.2 kohms
A3T21H450W23SR6	-	RFQ	2583	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	ACP-1230S-4L2S	A3T21	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos		ACP-1230S-4L2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935352756128	Ear99	8541.29.0075	150			10µA	600 MA	87W	15.4dB											-			30 V
BUK762R4-60E，118	-	RFQ	8011	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	158 NC @ 10 V	±20V	11180 pf @ 25 V	-	357W（TC）
PH3075L，115	-	RFQ	6024	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH30		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					75 v	30A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 15a，10v	2.3V @ 1mA	19 nc @ 5 V	±15V	2070 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BUK954R8-60E，127	1.0000	RFQ	6060	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					60 V	100A（TC）	5V，10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	65 NC @ 5 V	±10V	9710 PF @ 25 V	-	234W（TC）
BUK7628-100A，118	0.6300	RFQ	6	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	47A（TC）	10V	28mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	3100 pf @ 25 V	-	166W（TC）
A2T18S260W12NR3	-	RFQ	7418	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	OM-880X-2L2L	A2T18	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		OM-880X-2L2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935313167528	Ear99	8541.29.0075	250			10µA	1.5 a	280W	18.7dB											-			28 V
BUK9Y11-30B/C1,115	-	RFQ	6143	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					buk9					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500
MRF1K50NR5578	-	RFQ	3983	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0075	1
php34nq11t，127	-	RFQ	5111	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP34		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					110 v	35A（TC）	10V	40mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	136W（TC）
MMRF1317H-1030	1.0000	RFQ	1681年	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	105 v		底盘安装	SOT-979A		1.03GHz〜1.09GHz	LDMO （双）		NI-1230-4H	-	rohs3符合条件		到达不受影响	568-MMRF1317H-1030			1	2 n通道		10µA	100 ma	1500W	18.2db											-			50 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²