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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	（ID） - 最大
PMD4002K，115	-	RFQ	6984	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40V		门驱动程序	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMD40				SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000			600mA																				NPN +基本发射机二极管
PMD5003K，115	-	RFQ	1869年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40V		门驱动程序	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMD50				SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000			1a																				PNP +基本发射机二极管
PMD9002D，115	-	RFQ	8580	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	50V NPN，45V NPN		MOSFET驾驶员	表面安装	SC-74，SOT-457	PMD90				SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000			100mA NPN，100mA NPN																				2 NPN （图腾杆）
MMRF1016HR5	-	RFQ	5779	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	120 v			底盘安装	SOT-979A	MMRF1	225MHz	ldmos		NI-1230-4H	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935322153178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	2.6 a	125W	25DB											-	50 V
A2I25H060NR1	-	RFQ	3321	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			表面安装	TO-270-17变体，平面线	A2I25	2.59GHz	ldmos		TO-270WB-17	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935322312528	Ear99	8542.33.0001	500	双重的		-	26 ma	10.5W	26.1db											-	28 V
MRFE6VP6600GNR3	93.4822	RFQ	1720年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v			表面安装	OM-780G-4L	MRFE6	230MHz	ldmos		OM-780G-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935323761528	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	100 ma	600W	24.7db											-	50 V
AFV10700GSR5	569.2382	RFQ	8010	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v			底盘安装	NI-780GS-4L	AFV10700	1.03GHz〜1.09GHz	ldmos		NI-780GS-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935362013178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		10µA	100 ma	700W	19.2db											-	50 V
J2A012YXY/S1AY73AJ	-	RFQ	1123	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						J2A0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
j2a012yxy/s1ay7uzj	-	RFQ	9192	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						J2A0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
J2A012YXZ/S1AY73AJ	-	RFQ	7237	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						J2A0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
J2A012ZXS/S1AZ197J	-	RFQ	7723	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						J2A0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
J2A012ZXT/S1AZ312J	-	RFQ	1469	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						J2A0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
J3D016YXV/T1AY599J	-	RFQ	1222	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						J3D0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
J3E082EUA/S0BE503V	-	RFQ	3758	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						J3E0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
BUK7K6R2-40E/CX	-	RFQ	6070	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						buk7k6		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500															-
AFT23H201-24SR6	-	RFQ	4541	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			底盘安装	ACP-1230S-4L2L	AFT23	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos		ACP-1230S-4L2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320889128	Ear99	8541.29.0075	150			10µA	500 MA	210W	15.6dB											-	28 V
PMN25UN，115	-	RFQ	7744	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-74，SOT-457	PMN2		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	6a（6a）	1.8V，4.5V	27mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	470 pf @ 10 V	-	530mw（TA），6.25W（tc）
MRF8S9102NR3	-	RFQ	2105	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v			表面安装	OM-780-2	MRF8	920MHz	ldmos		OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	750 MA	28W	23.1db											-	28 V
MRF8P20165WHSR3	-	RFQ	6590	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			表面安装	NI-780S-4L	MRF8	1.98GHz〜2.01GHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314475128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	550 MA	37W	14.8db											-	28 V
BUK9E15-60E，127	-	RFQ	4254	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	54A（TC）	5V，10V	13mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	20.5 NC @ 5 V	±10V	2651 PF @ 25 V	-	96W（TC）
BSN304,126	-	RFQ	9918	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BSN3		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					300 v	300mA（TA）	2.4V，10V	6ohm @ 250mA，10v	2V @ 1mA		±20V	120 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BSR56,215	-	RFQ	6255	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR5			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					40 V							-					40 V	50 mA @ 15 V	4 V @ 0.5 NA	25欧姆		20 ma
J112,126	-	RFQ	2286	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J112			400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道					40 V							6pf @ 10V（vgs）					40 V	5 ma @ 15 V	1 V @ 1 µA	50欧姆
BUK7624-55,118	-	RFQ	2846	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk76		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	45A（TC）	10V	24mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±16V	1500 pf @ 25 V	-	103W（TC）
PMN28UN，165	-	RFQ	8166	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-74，SOT-457	PMN2		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					12 v	5.7A（TC）	1.8V，4.5V	34mohm @ 2A，4.5V	700mv @ 1MA（typ）	10.1 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 10 V	-	1.75W（TC）
PHD110NQ03LT，118	-	RFQ	3628	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	博士学位		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	4.6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	26.7 NC @ 5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	115W（TC）
PHD78NQ03LT，118	-	RFQ	2348	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD78		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	9mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	11 NC @ 4.5 V	±20V	970 pf @ 12 V	-	107W（TC）
PHK4NQ10T，518	-	RFQ	4658	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PHK4N		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	-	4.5V，10V	70MOHM @ 4A，10V	4V @ 1mA	22 NC @ 10 V	±20V	880 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
PHP174NQ04LT，127	-	RFQ	2807	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	PHP17		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	64 NC @ 5 V	±15V	5345 pf @ 25 V	-	250W（TC）
PMBFJ111,215	-	RFQ	8652	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ1			300兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					40 V							6pf @ 10V（vgs）					40 V	20 ma @ 15 V	10 V @ 1 µA	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²