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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头
PSMN1R6-30PL,127 NXP USA Inc. PSMN1R6-30PL,127 1.1600
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ECAD 12 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 PSMN1 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
BLF6G20-110,112 NXP USA Inc. BLF6G20-110,112 -
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ECAD 第1486章 0.00000000 恩智浦 - 托盘 过时的 65V 安装结构 SOT-502A 1.93GHz~1.99GHz LDMOS SOT502A 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.29.0075 20 29A 900毫安 25W 19分贝 - 28V
MRF24G300HS-2STG NXP USA Inc. MRF24G300HS-2STG 900.0000
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ECAD 2 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 125V 表面贴装 NI-780S-4L 2.4GHz~2.5GHz N化镓 NI-780S-4L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 568-MRF24G300HS-2STG EAR99 8541.29.0075 1 - 336W 15.3分贝 - 48V
PMZB370UNE,315 NXP USA Inc. PMZB370UNE,315 -
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ECAD 3565 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 3-XFDFN MOSFET(金属O化物) DFN1006B-3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 10,000 N沟道 30V 900mA(塔) 1.8V、4.5V 490毫欧@500毫安,4.5伏 1.05V@250μA 1.16nC@15V ±8V 78pF@25V - 360mW(Ta)、2.7W(Tc)
BUK7K134-100EX NXP USA Inc. BUK7K134-100EX -
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ECAD 第1443章 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SOT-1205、8-LFPAK56 山毛凹7K134 MOSFET(金属O化物) 32W LFPAK56D 下载 EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 100V 9.8A 121mOhm@5A,10V 4V@1mA 10.5nC@10V 564pF@25V -
PMDXB550UNE,147 NXP USA Inc. PMDXB550UNE,147 1.0000
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ECAD 1879年 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PMDXB550 - 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 1 -
BSP31,115 NXP USA Inc. BSP31,115 0.1700
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ECAD 4 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 1.3W SOT-223 下载 EAR99 8541.29.0075 1,750 60V 1A 100nA(ICBO) 国民党 500毫伏@50毫安,500毫安 100@100mA,5V 100兆赫兹
BUK7214-75B,118 NXP USA Inc. BUK7214-75B,118 -
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ECAD 9154 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 山毛凹72 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人
BF1102R,135 NXP USA Inc. BF1102R,135 -
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ECAD 4804 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 7V 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 BF110 800兆赫 场效应管 6-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934055823135 EAR99 8541.21.0095 10,000 N 沟道双感应 40毫安 15毫安 - - 2分贝 5V
MRFG35005MR5 NXP USA Inc. MRFG35005MR5 -
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ECAD 3403 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 15V 表面贴装 PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz pHEMT场效应管 PLD-1.5 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 80毫安 4.5W 11分贝 - 12V
BC847CT,115 NXP USA Inc. BC847CT,115 -
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ECAD 2277 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 BC84 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 400毫伏@5毫安、100毫安 420@2mA,5V 100兆赫兹
PHE13005,127 NXP USA Inc. PHE13005,127 -
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ECAD 8169 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PHE13 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
2PC1815GR,126 NXP USA Inc. 2PC1815GR,126 -
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ECAD 1982年 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 2PC18 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 50V 150毫安 100nA(ICBO) NPN 300毫伏@10毫安,100毫安 200@2mA,6V 80兆赫
PMN34UN,135 NXP USA Inc. PMN34UN,135 -
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ECAD 2155 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 中性粒细胞N3 MOSFET(金属O化物) SC-74 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10,000 N沟道 30V 4.9A(温度) 1.8V、4.5V 46毫欧@2A,4.5V 700mV@1mA(典型值) 9.9nC@4.5V ±8V 790pF@25V - 1.75W(温度)
BSH202,215 NXP USA Inc. 博西首页电202215 -
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ECAD 5824 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BSN2 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
PSMN3R5-80ES,127 NXP USA Inc. PSMN3R5-80ES,127 1.4000
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ECAD 4 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 PSMN3 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 1,000
PMST6428,135 NXP USA Inc. PMST6428,135 0.0200
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ECAD 第688章 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 10nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 250@100μA,5V 700兆赫
A5G26H110NT4 NXP USA Inc. A5G26H110NT4 36.7851
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ECAD 2242 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 125V 表面贴装 6-LDFN 裸露焊盘 2.496GHz~2.69GHz - 6-PDFN (7x6.5) 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.29.0075 2,500人 - - 50毫安 15W 17.7分贝 - 48V
BUK7575-55A,127 NXP USA Inc. BUK7575-55A,127 1.0000
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ECAD 8603 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 符合ROHS3标准 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 20.3A(温度) 10V 75毫欧@10A,10V 4V@1mA ±20V 483pF@25V - 62W(温度)
PDTD113ZT,215 NXP USA Inc. PDTD113ZT,215 0.0300
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ECAD 9940 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTD11 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
IRF640,127 NXP USA Inc. IRF640,127 -
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ECAD 6764 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 IRF64 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 200V 16A(温度) 10V 180mOhm@8A,10V 4V@1mA 63nC@10V ±20V 1850pF@25V - 136W(温度)
BUK7510-55AL127 NXP USA Inc. BUK7510-55AL127 1.0200
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ECAD 4 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛凹7510 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V 75A(温度) 10V 10毫欧@25A,10V 4V@1mA 124nC@10V ±20V 6280pF@25V - 300W(温度)
PSMN012-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN012-25YLC,115 -
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ECAD 1882年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PSMN0 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 25V 33A(温度) 4.5V、10V 12.6毫欧@10A、10V 1.95V@1mA 10V时为8.3nC ±20V 528pF@12V - 26W(温度)
MRF6S27050HR3 NXP USA Inc. MRF6S27050HR3 -
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ECAD 7271 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 SOT-957A MRF6 2.62GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 250 - 500毫安 7W 16分贝 - 28V
ON5224,118 NXP USA Inc. ON5224,118 -
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ECAD 4710 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-263-5、D²Pak(4引脚+接片)、TO-263BB ON52 - - D2PAK - 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 934056731118 EAR99 8541.29.0095 800 - - - - -
MRFG35030R5 NXP USA Inc. MRFG35030R5 -
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ECAD 1207 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 15V HF-600 MRFG35 3.55GHz pHEMT场效应管 - - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 650毫安 3W 12分贝 - 12V
MRF6S19100HR5 NXP USA Inc. MRF6S19100HR5 -
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ECAD 5076 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 SOT-957A MRF6 1.99GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 900毫安 22W 16.1分贝 - 28V
BLF7G27LS-90P,112 NXP USA Inc. BLF7G27LS-90P,112 70.2800
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ECAD 16 0.00000000 恩智浦 - 管子 的积极 65V SOT-1121B BLF7G27 2.5GHz~2.7GHz LDMOS LDMOST 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1 双重、共同来源 18A 720毫安 16W 18.5分贝 - 28V
PEMH13,115 NXP USA Inc. PEMH13,115 -
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ECAD 1197 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PEMH1 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000
A2T07H310-24SR6 NXP USA Inc. A2T07H310-24SR6 -
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ECAD 7187 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 安装结构 NI-1230-4LS2L A2T07 880兆赫 LDMOS NI-1230-4LS2L - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935312272128 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 700毫安 47W 18.6分贝 - 28V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库