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晶体管（（4039）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
BUK7506-55A127	-	RFQ	8755	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	6.3MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA		±20V	6000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BUK6E2R0-30C127	0.9100	RFQ	4	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	229 NC @ 10 V	±16V	14964 PF @ 25 V	-	306W（TC）
PSMN4R3-100ES，127	-	RFQ	2460	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）	i2pak	-	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	120A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 50 V	-	338W（TC）
AFT21S232SR5	-	RFQ	6854	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	AFT21	2.11GHz	ldmos	NI-780	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0095	50			-	1.5 a	50W	16.7dB											-	28 V
PMN49en，135	-	RFQ	7237	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN4		MOSFET （金属 o化物）	SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					30 V	4.6A（TC）	4.5V，10V	47MOHM @ 2A，10V	2V @ 1mA	8.8 NC @ 4.5 V	±20V	350 pf @ 30 V	-	1.75W（TC）
PMCPB55330X	1.0000	RFQ	5685	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0095	1
MRF6S19120HSR3	-	RFQ	1227	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-780	MRF6	1.99GHz	ldmos	NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1 a	19w	15DB											-	28 V
BF909AWR，115	-	RFQ	3254	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF909	800MHz	MOSFET	CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		40mA	15 ma	-	-											2DB	5 v
BC51-10PAS115	1.0000	RFQ	2605	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BF904AR，215	-	RFQ	4053	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SOT-143R	BF904	200MHz	MOSFET	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	-											1dB	4 V
PSMN7R8-120PSQ	-	RFQ	2412	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）	i2pak	下载					Ear99	8541.29.0095	177		n通道					120 v	70A（TC）	10V	7.9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	167 NC @ 10 V	±20V	9473 PF @ 60 V	-	349W（TC）
BUK7608-40B，118	0.7600	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk76				-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
BUK9875-100A/C1115	-	RFQ	1885年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7514-55A，127	-	RFQ	6366	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2464 PF @ 25 V	-	166W（TC）
BFR505215	0.1600	RFQ	14	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
MRF7S18125AHR5	-	RFQ	5185	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	1.88GHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.1 a	125W	17dB											-	28 V
CLF1G0035-100,112	-	RFQ	2135	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	150 v		底盘安装	SOT-467C		3GHz	甘姆特	SOT467C	下载						0000.00.0000	1			-	330 MA	100W	12DB											-	50 V
MRF24G300HSR5	136.8900	RFQ	153	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF24	2.4GHz〜2.5GHz	MOSFET	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	2 n 通道（双）		-		300W	15.3db											-	48 v
MRF372R5	-	RFQ	3144	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-860C3	MRF37	857MHz〜863MHz	ldmos	NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			17a	800 MA	180W	17dB											-	32 v
PDTC123JQA147	0.0300	RFQ	143	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTC123				下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
BUK9516-55A，127	-	RFQ	9062	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	66A（TC）	5V，10V	15mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	3085 pf @ 25 V	-	138W（TC）
BCX51-10115	1.0000	RFQ	3209	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
PSMN6R0-30YLB，115	1.0000	RFQ	8064	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）	LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	71A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	1.95V @ 1mA	19 nc @ 10 V	±20V	1088 pf @ 15 V	-	58W（TC）
PHD16N03LT，118	-	RFQ	5240	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD16		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	16A（TC）	4.5V，10V	67mohm @ 16a，10v	2V @ 1mA	8.5 NC @ 10 V	±15V	210 pf @ 30 V	-	32.6W（TC）
MRF6VP21KHR5	883.3100	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	225MHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	150 ma	1000W	24dB											-	50 V
PSMN030-150p，127	-	RFQ	5355	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN0				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
MRFE6VP61K25GNR6	195.5361	RFQ	8842	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		底盘安装	OM-1230G-4L	MRFE6	230MHz	ldmos	OM-1230G-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935315986528	Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	100 ma	1250W	23dB											-	50 V
BUK9E4R9-60E，127	-	RFQ	3068	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）	i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	100A（TC）	5V，10V	4.5MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	65 NC @ 5 V	±10V	9710 PF @ 25 V	-	234W（TC）
PSMN1RS-40ES127	-	RFQ	7331	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4039）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²