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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
AFT21S140W02SR3	-	RFQ	7532	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	AFT21	2.14GHz	ldmos		NI-780	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250			-	800 MA	32W	19.3db											-			28 V
PMR290UNE，115	-	RFQ	4400	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	PMR2		MOSFET （金属 o化物）		SC-75	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	700mA（TA）	1.8V，4.5V	380MOHM @ 500mA，4.5V	950mv @ 250µA	0.68 NC @ 4.5 V	±8V	83 pf @ 10 V	-	250MW（TA），770MW（（TC）
MRF7S16150HSR5	-	RFQ	2434	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	1.6GHz〜1.66GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.5 a	32W	19.7db											-			28 V
BUK9510-55A，127	-	RFQ	2320	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	68 NC @ 5 V	±15V	4307 PF @ 25 V	-	200W（TC）
MRF6S21060NR1	-	RFQ	1476	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	TO-270AB	MRF6	2.12GHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	610 MA	14W	15.5db											-			28 V
SI4420DY，518	-	RFQ	2273	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Si4		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	12.5A（TJ）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.5a，10V	1V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V		-	2.5W（TA）
MRFG35010R5	-	RFQ	3303	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v		底盘安装	NI-360HF	MRFG35	3.55GHz	Phemt fet		NI-360HF	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	180 MA	10W	10dB											-			12 v
PBSS4130QA147	-	RFQ	8105	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
BLF6G27LS-100,118	-	RFQ	3304	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A	BLF6	2.5GHz〜2.7GHz	ldmos		最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934064318118	Ear99	8541.29.0095	100			29a	900 MA	14W	17dB											-			28 V
A3G35H100-04SR3	96.8086	RFQ	6166	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	上次购买					A3G35					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
BUK9237-55A/C1,118	-	RFQ	3614	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	BUK9237		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	934061634118	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	32A（TC）	4.5V，10V	33mohm @ 15a，10v	2V @ 1mA	17.6 NC @ 5 V	±15V	1236 pf @ 25 V	-	77W（TC）
SI4800,518	-	RFQ	6206	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Si4		MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	9a（9a）	4.5V，10V	18.5mohm @ 9a，10v	800MV @ 250µA	11.8 NC @ 5 V	±20V		-	2.5W（TA）
PMN35en，115	-	RFQ	2233	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN3		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	5.1a（ta）	4.5V，10V	31MOHM @ 5.1A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	334 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
MRFX600HSR5	140.6500	RFQ	30	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	179 v		表面安装	NI-780S-4L	MRFX600	1.8MHz〜400MHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		10µA	100 ma	600W	26.4db											-			65 v
BUK653R4-40C，127	-	RFQ	1638年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	125 NC @ 10 V	±16V	8020 PF @ 25 V	-	204W（TC）
MRF6V12500HSR5	580.3800	RFQ	2047	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	110 v		底盘安装	NI-780	MRF6V12500	1.03GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314145178	Ear99	8541.29.0075	50			-	200 ma	500W	19.7db											-			50 V
ON5448,518	-	RFQ	3568	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				-	ON5448	-	-		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935288029518	Ear99	8541.29.0095	600	-		-		-	-											-
PHP21N06LT，127	-	RFQ	7273	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP21		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	19a（tc）	5V，10V	70mohm @ 10a，10v	2V @ 1mA	9.4 NC @ 5 V	±15V	650 pf @ 25 V	-	56W（TC）
PDTB143EQA147	0.0300	RFQ	13	NXP USA Inc.	PDTB143	大部分	积极的			表面安装	3-XDFN暴露垫	PDTB143			325兆	DFN1010D-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1																		50 V	500 MA		500NA	pnp-预先偏见	100mV @ 2.5mA，50mA	60 @ 50mA，5V	150 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
PDTA114YT，215	-	RFQ	9352	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA11					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BUK7513-75B，127	0.4400	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk75					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK664R6-40C，118	0.4400	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk66					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	800
PMMT591A，235	-	RFQ	8661	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMMT5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
PHB66NQ03LT	0.4000	RFQ	800	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0095	800
PUMH13/ZL115	0.0500	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BC807-25QAZ	0.0300	RFQ	505	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫				900兆	DFN1010D-3	下载					Ear99	8541.21.0095	9,306																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，1V	80MHz
MMRF1004NR1	31.9300	RFQ	449	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	TO-270AA	MMRF1004	2.17GHz	ldmos		TO-270-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	130 MA	10W	15.5db											-			28 V
BUK663R7-75C，118	-	RFQ	9920	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					75 v	120A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	234 NC @ 10 V	±16V	15450 pf @ 25 V	-	306W（TC）
BUK663R5-55C，118	0.7200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk66					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	800
PMN28UN，135	0.1700	RFQ	16	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					12 v	5.7A（TC）	1.8V，4.5V	34mohm @ 2A，4.5V	700mv @ 1MA（typ）	10.1 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 10 V	-	1.75W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²