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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大
PHP176NQ04T，127	-	RFQ	8027	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	PHP17	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		40 V	75A（TC）	10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	68.9 NC @ 10 V	±20V	3620 PF @ 25 V	-	250W（TC）
BUK9518-55,127	-	RFQ	2577	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	Buk95	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		55 v	57A（TC）	5V	18mohm @ 25a，5v	2V @ 1mA		±10V	2600 PF @ 25 V	-	125W（TC）
PHPT61010PY115	-	RFQ	2201	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
PHD66NQ03LT，118	-	RFQ	6619	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD66	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		25 v	66A（TC）	5V，10V	10.5MOHM @ 25A，10V	2V @ 1mA	12 nc @ 5 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	93W（TC）
CLF1G0035S-100	-	RFQ	5708	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1
PMF87en，115	-	RFQ	4369	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323	PMF87	MOSFET （金属 o化物）		SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		30 V	1.7A（TA）	4.5V，10V	80Mohm @ 1.7A，10V	2.5V @ 250µA	4.7 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 15 V	-	275MW（TA）
2PB1424,115	0.0800	RFQ	20	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						2PB14				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000
BUK764R0-75C，118	-	RFQ	3523	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		75 v	100A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	142 NC @ 10 V	±20V	11659 PF @ 25 V	-	333W（TC）
PSMN2R6-60PSQ127	-	RFQ	8011	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1	n通道		60 V	150a（ta）		2.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	140 NC @ 10 V	±20V	7629 PF @ 25 V	-	326W（TA）
BUK9275-100A，118	-	RFQ	8015	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk92				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500
BC858W，115	1.0000	RFQ	2509	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323			200兆	SOT-323	下载				Ear99	8541.21.0075	1													30 V	100 ma				15NA（icbo）		PNP	600mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
BF820,235	1.0000	RFQ	3703	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23	下载					0000.00.0000	1													300 v	50 mA				10NA（ICBO）		NPN	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
BUK7Y15-100EX	-	RFQ	5637	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					0000.00.0000	1	n通道		100 v	68A（TC）	10V	15mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	54.5 NC @ 10 V	±20V	3958 pf @ 25 V	-	（195W）（TC）
BUK78150-55A115	-	RFQ	5434	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1,000
PHB108NQ03LT，118	-	RFQ	2166	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	PHB10	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		25 v	75A（TC）	5V，10V	6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	16.3 NC @ 4.5 V	±20V	1375 PF @ 12 V	-	187W（TC）
PSMN1R9-25YLC，115	-	RFQ	5097	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	SC-100，SOT-669	PSMN1R9	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500	n通道		25 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.05mohm @ 25a，10v	1.95V @ 1mA	57 NC @ 10 V	±20V	3504 pf @ 12 V	-	141W（TC）
PMBFJ109,215	-	RFQ	3287	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ1		250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		25 v							30pf @ 10V（vgs）					25 v	40 mA @ 15 V	6 V @ 1 µA		12欧姆
PMBFJ620,115	-	RFQ	1494	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMBFJ6		190兆	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		25 v							5pf @ 10V					25 v	24 mA @ 10 V	2 V @ 1 µA		50欧姆
BSR58,215	-	RFQ	9109	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR5		250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		40 V							-					40 V	8 ma @ 15 V	800 mV @ 0.5 na		60欧姆
PMBF4391,215	-	RFQ	4454	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBF4		250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		40 V							14pf @ 20V					40 V	50 mA @ 20 V	4 V @ 1 na		30欧姆
PMBFJ308,215	-	RFQ	9690	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ3		250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		25 v							5pf @ 10V					25 v	12 ma @ 10 V	1 V @ 1 µA		50欧姆
PHX18NQ20T，127	-	RFQ	1895年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX18	MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道		200 v	8.2A（TC）	10V	180mohm @ 8a，10v	4V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 25 V	-	30W（TC）
BFT46,215	-	RFQ	8664	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFT46		250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		25 v							5pf @ 10V						200 µA @ 10 V	1.2 V @ 0.5 na							10 MA
J174,126	-	RFQ	7330	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J174		400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000	P通道		30 V							8pf @ 10v（vgs）					30 V	20 ma @ 15 V	5 V @ 10 na		85欧姆
J176,126	-	RFQ	7035	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J176		400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000	P通道		30 V							8pf @ 10v（vgs）					30 V	2 ma @ 15 V	1 V @ 10 na		250欧姆
J177,126	-	RFQ	3147	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J177		400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000	P通道		30 V							8pf @ 10v（vgs）					30 V	1.5 ma @ 15 V	800 mv @ 10 na		300欧姆
PMD4001K，115	-	RFQ	3129	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40V		门驱动程序	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMD40			SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	3,000		100mA																		NPN +基本发射机二极管
PMD5001K，115	-	RFQ	1210	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40V		门驱动程序	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMD50			SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	3,000		100mA																		PNP +基本发射机二极管
PMD5002K，115	-	RFQ	1040	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40V		门驱动程序	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMD50			SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	3,000		600mA																		PNP +基本发射机二极管
PMD9010D，115	-	RFQ	5681	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	45V NPN，45V NPN		MOSFET驾驶员	表面安装	SC-74，SOT-457	PMD90			SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	过时的	0000.00.0000	3,000		100mA NPN，100mA NPN																		2 NPN （图腾杆）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²