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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PH16030L，115	-	RFQ	4965	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH16		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	38A（TC）	4.5V，10V	16.9mohm @ 15a，10v	2V @ 1mA	8.2 NC @ 4.5 V	±15V	680 pf @ 12 V	-	41.6W（TC）
AFT26H160-4S4R3	-	RFQ	2716	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-880X-4L4S-8	AFT26	2.5GHz	ldmos		NI-880X-4L4S-8	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935317925128	Ear99	8541.29.0075	250			-	500 MA	32W	14.9db											-			28 V
BCW60D，215	0.0300	RFQ	15	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0075	11,493																		32 v	100 ma		20NA（ICBO）	NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
PDTC124EQA147	0.0300	RFQ	256	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
BUK7908-40AIE127	0.9000	RFQ	1	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-5	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					40 V	75A（TC）	10V	8mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	84 NC @ 10 V	±20V	3140 pf @ 25 V	电流感应	221W（TC）
MRF1550NT1,528	-	RFQ	1983	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0075	1
Buj103a，127	0.3200	RFQ	76	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					buj1					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7Y72-80EX	-	RFQ	3237	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					80 V	16A（TC）	10V	72MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	9.8 NC @ 10 V	±20V	633 PF @ 25 V	-	45W（TC）
BCW61d，215	0.0300	RFQ	538	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCW61					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK9675-55A118	0.4800	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0095	683
MRF7S19210HSR5	-	RFQ	1011	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	1.99GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.4 a	63W	20dB											-			28 V
MRF8P20100HSR3,128	1.0000	RFQ	6904	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
PBSS9110D，115	0.0700	RFQ	15	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457				700兆	6-TSOP	下载					Ear99	8541.21.0075	4,092																		100 v	1 a		100NA	PNP	320mv @ 100mA，1a	150 @ 500mA，5V	100MHz
A2T21H100-25SR3	94.1572	RFQ	1176	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A2T21		MOSFET			-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320549128	Ear99	8541.29.0075	250	n通道
PHX45NQ11T，127	-	RFQ	9593	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PHX45		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					110 v	30.4A（TC）	10V	25mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	61 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	62.5W（TC）
MRF19045LSR5	-	RFQ	5309	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			Ni-400s	MRF19	1.93GHz	ldmos		NI-400S-240	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50			-	550 MA	9.5W	14.5db											-			26 V
MHT1003NR3	-	RFQ	2886	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	32 v		表面安装	OM-780-2	MHT10	2.4GHz〜2.5GHz	ldmos		OM-780-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935312454528	Ear99	8541.29.0075	250			-		250W	15.9db											-
PDTC124XE/DG/B2115	0.0500	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	6,662
AFV141KGSR5	606.2932	RFQ	7028	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	105 v		表面安装	NI-1230-4S GW	AFV141	1.4GHz	ldmos		NI-1230-4S海鸥	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935318921178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	100 ma	1000W	17.7dB											-			50 V
BUK7210-55B/C1,118	-	RFQ	3061	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜185°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	BUK7210		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934062108118	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	35 NC @ 10 V	±20V	2453 PF @ 25 V	-	167W（TC）
BUK762R4-60E，118	-	RFQ	8011	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	158 NC @ 10 V	±20V	11180 pf @ 25 V	-	357W（TC）
PSMN3R0-60BS	-	RFQ	7983	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0095	1
PHB225NQ04T，118	-	RFQ	4245	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB22		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	75A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BUK768R1-100E，118	-	RFQ	6225	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	100A（TC）	10V	8.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	108 NC @ 10 V	±20V	7380 pf @ 25 V	-	263W（TC）
BF1100R，235	-	RFQ	2013	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	14 V		表面安装	SOT-143R	BF110	800MHz	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934036560235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	-											2DB			9 V
A2T18H100-25SR3	141.2360	RFQ	6878	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	65 v		底盘安装	NI-780-4S4	A2T18	1.81GHz	ldmos		NI-780-4S4	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935312027128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	230 MA	18W	18.1db											-			28 V
BSS84AKW/DG/B2215	0.0500	RFQ	81	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
PDTB123YS，126	-	RFQ	7763	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTB123			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	500 MA		500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V		2.2 kohms	10 kohms
PMN38en，165	-	RFQ	2429	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN3		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934060023165	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					30 V	5.4A（TC）	4.5V，10V	38mohm @ 3a，10v	2V @ 1mA	6.1 NC @ 4.5 V	±20V	495 pf @ 25 V	-	1.75W（TC）
MRF8S9220HR5	-	RFQ	3418	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		底盘安装	SOT-957A	MRF8	960MHz	ldmos		NI-780H-2L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.6 a	65W	19.4dB											-			28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²