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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	（ID） - 最大
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BF909AWR，115	-	RFQ	3254	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF909	800MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		40mA	15 ma	-	-											2DB			5 v
BF998R，215	-	RFQ	7525	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	12 v		表面安装	SOT-143R	BF998	200MHz	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	-											0.6dB			8 V
BFG10W/X，115	-	RFQ	2510	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SOT-343反向固定	BFG10			400MW	4-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000						-												10V	250mA							NPN		25 @ 50mA，5V	1.9GHz	-
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BSN304,126	-	RFQ	9918	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BSN3		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					300 v	300mA（TA）	2.4V，10V	6ohm @ 250mA，10v	2V @ 1mA		±20V	120 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BSR56,215	-	RFQ	6255	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSR5			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					40 V							-							40 V	50 mA @ 15 V	4 V @ 0.5 NA		25欧姆						20 ma
BST72A，112	-	RFQ	3752	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BST7		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道					100 v	（190ma ta）	5V	10ohm @ 150mA，5V	3.5V @ 1mA		20V	40 pf @ 10 V	-	830MW（TA）
BUK7514-55A，127	-	RFQ	6366	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2464 PF @ 25 V	-	166W（TC）
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BUK7880-55,135	-	RFQ	4435	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Buk78		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					55 v	3.5A（ta）	10V	80Mohm @ 5A，10V	4V @ 1mA		±16V	500 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BUK9506-55A，127	-	RFQ	7824	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±15V	8600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BUK9528-100A，127	-	RFQ	9000	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	49A（TC）	4.5V，10V	27mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	4293 PF @ 25 V	-	166W（TC）
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BUK9635-100A，118	-	RFQ	5660	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	41A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	3573 PF @ 25 V	-	149W（TC）
But11apx，127	-	RFQ	2146	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	But11			32 W	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000																		450 v	5 a					1ma		NPN	1.5V @ 600mA，3a	14 @ 500mA，5V	-
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PMBFJ112,215	-	RFQ	8937	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ1			300兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					40 V							6pf @ 10V（vgs）							40 V	5 ma @ 15 V	5 V @ 1 µA		50欧姆
PMBFJ309,215	-	RFQ	7304	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ3			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					25 v							5pf @ 10V							25 v	12 ma @ 10 V	1 V @ 1 µA		50欧姆
PMEM4010ND，115	-	RFQ	1322	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMEM4			600兆	SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																		40 V	1 a					100NA		NPN +二极管（隔离）	210mv @ 100mA，1a	300 @ 500mA，5V	150MHz
PMN28UN，165	-	RFQ	8166	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN2		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					12 v	5.7A（TC）	1.8V，4.5V	34mohm @ 2A，4.5V	700mv @ 1MA（typ）	10.1 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 10 V	-	1.75W（TC）
PMN34LN，135	-	RFQ	2284	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN3		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					20 v	5.7A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 2.5a，10v	2V @ 1mA	13.1 NC @ 10 V	±15V	500 pf @ 20 V	-	1.75W（TC）
PMN34UN，135	-	RFQ	2155	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN3		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					30 V	4.9A（TC）	1.8V，4.5V	46mohm @ 2a，4.5V	700mv @ 1MA（typ）	9.9 NC @ 4.5 V	±8V	790 pf @ 25 V	-	1.75W（TC）
PMR370XN，115	-	RFQ	4559	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	PMR3		MOSFET （金属 o化物）		SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	840ma（tc）	2.5V，4.5V	440MOHM @ 200MA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.65 NC @ 4.5 V	±12V	37 pf @ 25 V	-	530MW（TC）
PMST5401,135	-	RFQ	8793	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMST5			200兆	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	10,000																		150 v	300 MA					50NA（iCBO）		PNP	500mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
PSMN004-55W，127	-	RFQ	8607	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25		n通道					55 v	100A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 25A，10V	2V @ 1mA	226 NC @ 5 V	±15V	13000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
PSMN005-55P，127	-	RFQ	7457	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	103 NC @ 5 V	±15V	6500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
PSMN009-100W，127	-	RFQ	3887	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	100A（TC）	10V	9mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	214 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
PSMN010-55D，118	-	RFQ	8606	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	10.5MOHM @ 25A，10V	2V @ 1mA	55 NC @ 5 V	±15V	3300 PF @ 20 V	-	125W（TC）
PSMN040-200W，127	-	RFQ	5543	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					200 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	183 NC @ 10 V	±20V	9530 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²