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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PMP4201G135	-	RFQ	8521	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	PMP4201		300MW	5-tssop	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	10,000												45V	100mA	15NA（icbo）	2（npn （双）匹配对，常见的发射极，常见的发射极	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
PMXB360ENEA147	1.0000	RFQ	7408	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	5,000
PMN40UPEA115	0.2700	RFQ	46	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	4.7a（ta）	1.8V，4.5V	43mohm @ 3A，4.5V	950mv @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±8V	1820 PF @ 10 V	-	500MW（TA），8.33W（tc）
ON5258215	0.2200	RFQ	696	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	3,000
PMV48XPA215	-	RFQ	1736年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000
PSMN1RS-40ES127	-	RFQ	7331	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
PSMN8R5-100PS127	-	RFQ	7000	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
PSMN1R9-40PL127	1.6700	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PSMN1R9				下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	194
BSR16/DG/B3215	0.0500	RFQ	36	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK7520-100A，127	-	RFQ	1638年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	296	n通道	100 v	63A（TC）	10V	20mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	4373 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BUK6218-40C	-	RFQ	6178	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	40 V	42A（TC）	10V	16mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	22 NC @ 10 V		1170 pf @ 25 V		60W（TC）
BUK6E3R4-40C，127	0.5500	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	管子	积极的				buk6				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
MRF8S18120HSR3,128	-	RFQ	2731	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				MRF8S18120	-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1										-
BUK9E1R9-40E	1.0000	RFQ	1158	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1
PSMN070-200P，127-nxp	-	RFQ	8242	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1,000	n通道	200 v	35A（TC）	10V	70mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±20V	4570 pf @ 25 V	-	250W（TC）
BUK7E5R2-100E，127-nxp	1.0000	RFQ	7907	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	100 v	120A（TC）	10V	5.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	180 NC @ 10 V	±20V	11810 PF @ 25 V	-	349W（TC）
BUK9520-100A，127	0.6100	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	管子	积极的				Buk95				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7909-75AIE，127	0.9200	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	管子	积极的				Buk79				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7575-100A，127	0.3300	RFQ	10	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	100 v	23a（23A）		75MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA		±20V	1210 pf @ 25 V	-	99w（ta）
BUK9506-40B，127	0.5200	RFQ	6	NXP USA Inc.	*	管子	积极的				Buk95				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
PBSS4032SP，115	-	RFQ	7442	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PBSS4				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1,000
BUK9509-40B，127	0.4400	RFQ	6	NXP USA Inc.	*	管子	积极的				Buk95				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
PH2625L，115	0.3000	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PH26				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500
PHK12NQ03LT，518	-	RFQ	3662	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				PHK12				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500
BUK754R0-55B，127	0.7700	RFQ	959	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	55 v	75A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	86 NC @ 10 V	±20V	6776 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BLF184XR112	564.5800	RFQ	80	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1
PSMN4R3-80ES，127	1.1900	RFQ	540	NXP USA Inc.	*	管子	积极的				PSMN4				下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000
BUK7108-40AIE，118	0.8100	RFQ	1	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-5，D²Pak（4引线 +选项卡，TO-263BB		MOSFET （金属 o化物）		SOT-426	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道	40 V	75A（TC）	10V	8mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	84 NC @ 10 V	±20V	3140 pf @ 25 V	电流感应	221W（TC）
PMN70XPE，115	0.0600	RFQ	50	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457		MOSFET （金属 o化物）		6-TSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000	P通道	20 v	3.2A（ta）	2.5V，4.5V	85MOHM @ 2A，4.5V	1.25V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±12V	602 PF @ 10 V	-	500MW（TA），6.25W（TC）
BUK7C10-75AITE，118	-	RFQ	6965	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的				buk7				-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²