晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
BUK6C2R1-55C,118-NX	-	询价	1965年	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）			MOSFET（金属O化物）		D2PAK-7	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道					55V	228A（TC）	10V	2.3毫欧@90A，10V	2.8V@1mA	253nC@10V	±16V	16000pF@25V	-	300W（温度）
BUK9E1R8-40E,127	-	询价	3772	恩智浦	-	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	山毛洼9E1R8		MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934066586127	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					40V	120A（温度）	5V、10V	1.7毫欧@25A，10V	2.1V@1mA	120nC@5V	±10V	16400pF@25V	-	349W（温度）
A2V09H525-04NR6	110.3487	询价	3941	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	OM-1230-4L	A2V09	720MHz～960MHz	LDMOS		OM-1230-4L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935330045528	EAR99	8541.29.0075	150			10微安	第688章	120W	18.9分贝											-			48V
MRF21045LSR3	-	询价	7349	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-400S	MRF21	2.17GHz	LDMOS		NI-400S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		5A991G	8542.31.0001	250			-	500毫安	10W	15分贝											-			28V
BCP56-16H,115	-	询价	5006	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1,000
MRF18085BLR3	-	询价	2443	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			NI-780	MRF18	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS		NI-780	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250			-	800毫安	90W	12.5分贝											-			26V
MMRF5016HSR5	-	询价	7750	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	48V		表面贴装	NI-400S-2S	MMRF5	1.8GHz～2.2GHz	HEMT		NI-400S-2S	-		1（无限制）	REACH 不出行	935331343528	过时的	0000.00.0000	250			-		32W	-											-
ON5239,135	-	询价	2729	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	ON52	-	-		SC-73	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	934056911135	EAR99	8541.29.0095	4,000	-		-		-	-											-
BSN304,126	-	询价	9918	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BSN3		MOSFET（金属O化物）		TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					300伏	300mA（塔）	2.4V、10V	6欧姆@250mA，10V	2V@1mA		±20V	120pF@25V	-	1W（塔）
IRF640,127	-	询价	6764	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRF64		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					200V	16A（温度）	10V	180mOhm@8A，10V	4V@1mA	63nC@10V	±20V	1850pF@25V	-	136W（温度）
BUK7575-55A,127	1.0000	询价	8603	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	20.3A（温度）	10V	75毫欧@10A，10V	4V@1mA		±20V	483pF@25V	-	62W（温度）
2PC1815GR,126	-	询价	1982年	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2PC18			500毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000																		50V	150毫安		100nA（ICBO）	NPN	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
A5G26H110NT4	36.7851	询价	2242	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	6-LDFN 裸露焊盘		2.496GHz～2.69GHz	-		6-PDFN (7x6.5)	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0075	2,500人	-		-	50毫安	15W	17.7分贝											-			48V
PMN34UN,135	-	询价	2155	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	中性粒细胞N3		MOSFET（金属O化物）		SC-74	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10,000		N沟道					30V	4.9A（温度）	1.8V、4.5V	46毫欧@2A，4.5V	700mV@1mA（典型值）	9.9nC@4.5V	±8V	790pF@25V	-	1.75W（温度）
博西首页电202215	-	询价	5824	恩智浦	*	大部分	的积极					BSN2					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
PSMN3R5-80ES,127	1.4000	询价	4	恩智浦	*	管子	的积极					PSMN3					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000
BUK962R5-60E118	1.0000	询价	6166	恩智浦	*	大部分	的积极										下载					EAR99	8541.29.0095	1
2N7002K,215	-	询价	2954	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2N70		MOSFET（金属O化物）		SOT-23 (TO-236AB)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					60V	340mA（塔）	4.5V、10V	3.9欧姆@500mA，10V	2V@1mA		±15V	40pF@10V	-	830毫W（塔）
BUK762R6-60E,118	-	询价	6607	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载						0000.00.0000	1		N沟道					60V	120A（温度）	10V	2.6毫欧@25A，10V	4V@1mA	140nC@10V	±20V	10170pF@25V	-	324W（温度）
PBRP123ET,215	-	询价	3083	恩智浦	*	大部分	的积极					PBRP12					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000
PDTD114EU135	0.0400	询价	30	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	10,000
PMP4501Y,115	-	询价	9797	恩智浦	*	大部分	的积极					项目管理计划4					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000
BC807-25/6215	0.0200	询价	21	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	15,000
PDTC144TMB315	0.0200	询价	189	恩智浦	*	大部分	的积极										下载					EAR99	8541.21.0075	1
BLF7G24L-100,112	62.7300	询价	37	恩智浦	-	管子	过时的	65V		安装结构	SOT-502A		2.3GHz～2.4GHz	LDMOS		SOT502A	下载	符合ROHS3标准				5A991G	8541.29.0075	20			28A	900毫安	20W	18分贝											-			28V
BC53-16PAS115	1.0000	询价	3238	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
PSMN057-200B,118	-	询价	3831	恩智浦	*	大部分	的积极					PSMN0					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800
BUK7619-100B,118	-	询价	6862	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	山毛洼76		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					100V	64A（温度）	10V	19毫欧@25A，10V	4V@1mA	53nC@10V	±20V	3400pF@25V	-	200W（温度）
MRF8P23080HSR3	-	询价	7619	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	2.3GHz	LDMOS		NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935321471128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的		-	280毫安	16W	14.6分贝											-			28V
BLF988S,112	509.2500	询价	20	恩智浦	-	管子	的积极	110V			SOT539B		860兆赫	LDMOS		SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	双重、共同来源		-	1.3A	250W	20.8分贝											-			50V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²