SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -测试
A2T18S260-12SR3 NXP USA Inc. A2T18S260-12SR3 -
RFQ
ECAD 7537 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780-2S2L A2T18 1.805GHZ〜1.995GHz ldmos NI-780-2S2L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935318801128 Ear99 8541.29.0075 250 10µA 1.4 a 257W 18.9db - 28 V
A2T18S262W12NR3 NXP USA Inc. A2T18S262W12NR3 -
RFQ
ECAD 3406 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 OM-880X-2L2L A2T18 1.805GHZ〜1.88GHz ldmos OM-880X-2L2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 10µA 1.6 a 231W 19.3db - 28 V
A2T21S260W12NR3 NXP USA Inc. A2T21S260W12NR3 -
RFQ
ECAD 9301 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 OM-880X-2L2L A2T21 2.11GHz〜2.2GHz ldmos OM-880X-2L2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935339757528 Ear99 8541.29.0075 250 10µA 1.6 a 218W 17.9db - 28 V
A2T27S007NT1 NXP USA Inc. A2T27S007NT1 -
RFQ
ECAD 7529 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 28 V 表面安装 16-vdfn暴露垫 A2T27 728MHz〜3.6GHz ldmos 16-DFN (4x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 - 28.8dbm - -
A2V07H525-04NR6 NXP USA Inc. A2V07H525-04NR6 98.0779
RFQ
ECAD 9206 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 105 v 表面安装 OM-1230-4L A2V07 595MHz〜851MHz ldmos OM-1230-4L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935339924528 Ear99 8541.29.0075 150 10µA 700 MA 120W 17.5db - 48 v
A2V09H400-04NR3 NXP USA Inc. A2V09H400-04NR3 96.6966
RFQ
ECAD 3828 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 105 v 表面安装 OM-780-4L A2V09 720MHz〜960MHz ldmos OM-780-4L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 10µA 688 MA 107W 17.9db - 48 v
A2V09H525-04NR6 NXP USA Inc. A2V09H525-04NR6 110.3487
RFQ
ECAD 3941 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 105 v 表面安装 OM-1230-4L A2V09 720MHz〜960MHz ldmos OM-1230-4L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935330045528 Ear99 8541.29.0075 150 10µA 688 MA 120W 18.9db - 48 v
AFIC31025NR1 NXP USA Inc. AFIC31025NR1 45.0303
RFQ
ECAD 8614 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 32 v 表面安装 TO-270-17变体,平面线 AFIC31025 2.7GHz〜3.1GHz ldmos TO-270WB-17 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935343962528 Ear99 8541.29.0075 500 - 25W 30dB -
AFT23H201-24SR6 NXP USA Inc. AFT23H201-24SR6 -
RFQ
ECAD 4541 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 ACP-1230S-4L2L AFT23 2.3GHz〜2.4GHz ldmos ACP-1230S-4L2L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935320889128 Ear99 8541.29.0075 150 10µA 500 MA 210W 15.6dB - 28 V
AFT27S012NT1 NXP USA Inc. AFT27S012NT1 12.8987
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 65 v 表面安装 PLD-1.5W AFT27 728MHz〜2.7GHz ldmos PLD-1.5W 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935347325515 Ear99 8541.29.0075 1,000 10µA 90 MA 13W 20.9db - 28 V
AFV10700HSR5 NXP USA Inc. AFV10700HSR5 503.6126
RFQ
ECAD 1060 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 105 v 表面安装 NI-780S-4L AFV10700 1.03GHz〜1.09GHz ldmos NI-780S-4L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 双重的 10µA 100 ma 770W 19.2db - 50 V
MMRF5017HSR5 NXP USA Inc. MMRF5017HSR5 229.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - 托盘 积极的 150 v 表面安装 NI-400S-2S MMRF5017 30MHz〜2.2GHz hemt NI-400S-2S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 200 ma 125W 18.4db - 50 V
PMN23UN,165 NXP USA Inc. PMN23Un,165 -
RFQ
ECAD 1948年 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 PMN2 MOSFET (金属 o化物) SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10,000 n通道 20 v 6.3a(TC) 1.8V,4.5V 28mohm @ 2A,4.5V 700mv @ 1MA(typ) 10.6 NC @ 4.5 V ±8V 740 pf @ 10 V - 1.75W(TC)
PMN25UN,115 NXP USA Inc. PMN25UN,115 -
RFQ
ECAD 7744 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-74,SOT-457 PMN2 MOSFET (金属 o化物) SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6a(6a) 1.8V,4.5V 27mohm @ 6a,4.5V 1V @ 250µA 10 NC @ 4.5 V ±8V 470 pf @ 10 V - 530mw(TA),6.25W(tc)
PMT21EN,135 NXP USA Inc. PMT21en,135 -
RFQ
ECAD 8722 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA PMT2 MOSFET (金属 o化物) SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 7.4a(ta) 4.5V,10V 21mohm @ 7.4a,10v 2.5V @ 250µA 14.4 NC @ 10 V ±20V 588 pf @ 15 V - 820MW(TA),8.33W(tc)
PSMN012-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN012-25YLC,115 -
RFQ
ECAD 1882年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PSMN0 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 25 v 33A(TC) 4.5V,10V 12.6mohm @ 10a,10v 1.95V @ 1mA 8.3 NC @ 10 V ±20V 528 pf @ 12 V - 26W(TC)
MRF6V13250HR3 NXP USA Inc. MRF6V13250HR3 -
RFQ
ECAD 1068 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 120 v 底盘安装 SOT-957A MRF6 1.3GHz ldmos NI-780H-2L - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 100 ma 250W 22.7dB - 50 V
MRF6V13250HSR5 NXP USA Inc. MRF6V13250HSR5 -
RFQ
ECAD 9553 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 120 v 底盘安装 NI-780 MRF6 1.3GHz ldmos NI-780 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935323152178 Ear99 8541.29.0075 50 - 100 ma 250W 22.7dB - 50 V
MRF6VP3091NR1 NXP USA Inc. MRF6VP3091NR1 -
RFQ
ECAD 8018 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 115 v 表面安装 TO-270AB MRF6 860MHz ldmos TO-270 WB-4 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935314619528 Ear99 8541.29.0075 500 双重的 - 350 MA 18W 22DB - 50 V
MRF8HP21130HR5 NXP USA Inc. MRF8HP21130HR5 -
RFQ
ECAD 7232 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780-4 MRF8 2.17GHz ldmos NI-780-4 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 双重的 - 360 MA 28W 14dB - 28 V
MRF8HP21130HSR3 NXP USA Inc. MRF8HP21130HSR3 -
RFQ
ECAD 6037 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-780S-4L MRF8 2.17GHz ldmos NI-780S-4L - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935321595128 Ear99 8541.29.0075 250 双重的 - 360 MA 28W 14dB - 28 V
MRF8HP21130HSR5 NXP USA Inc. MRF8HP21130HSR5 -
RFQ
ECAD 3355 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-780S-4L MRF8 2.17GHz ldmos NI-780S-4L - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 双重的 - 360 MA 28W 14dB - 28 V
MRF8P29300HSR6 NXP USA Inc. MRF8P29300HSR6 -
RFQ
ECAD 6068 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-1230S MRF8 2.9GHz ldmos NI-1230S - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935310588128 Ear99 8541.29.0075 150 双重的 - 100 ma 320W 13.3db - 30 V
MRF8P8300HSR6 NXP USA Inc. MRF8P8300HSR6 -
RFQ
ECAD 1022 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 70 v 底盘安装 NI-1230S MRF8P8300 820MHz ldmos NI-1230S - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 150 双重的 - 2 a 96W 20.9db - 28 V
MRF8S8260HSR3 NXP USA Inc. MRF8S8260HSR3 -
RFQ
ECAD 1485 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 NI-880S MRF8 895MHz ldmos NI-880S - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935310533128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.5 a 70W 21.1db - 28 V
MRF8S9102NR3 NXP USA Inc. MRF8S9102NR3 -
RFQ
ECAD 2105 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 OM-780-2 MRF8 920MHz ldmos OM-780-2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 750 MA 28W 23.1db - 28 V
MRFE6VP5600HSR6 NXP USA Inc. MRFE6VP5600HSR6 -
RFQ
ECAD 7384 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 130 v 底盘安装 NI-1230-4S MRFE6 230MHz ldmos NI-1230-4S - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 150 双重的 - 100 ma 600W 25DB - 50 V
MRF8P20140WHR5 NXP USA Inc. MRF8P20140WHR5 -
RFQ
ECAD 1100 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 65 v 底盘安装 NI-780-4 MRF8 1.88GHz〜1.91GHz ldmos NI-780-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 50 双重的 - 500 MA 24W 16dB - 28 V
MRF8P20165WHR3 NXP USA Inc. MRF8P20165WHR3 -
RFQ
ECAD 7118 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780-4 MRF8P20165 1.98GHz〜2.01GHz ldmos NI-780-4 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935314476128 Ear99 8541.29.0075 250 双重的 - 550 MA 37W 14.8db - 28 V
MRF8P20165WHSR3 NXP USA Inc. MRF8P20165WHSR3 -
RFQ
ECAD 6590 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-780S-4L MRF8 1.98GHz〜2.01GHz ldmos NI-780S-4L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935314475128 Ear99 8541.29.0075 250 双重的 - 550 MA 37W 14.8db - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库