晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
PBHV9115Z,115	-	询价	6995	恩智浦	*	大部分	的积极					PBHV9					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000
BCW61C/DG/B2215	0.0200	询价	117	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
PSMN8R5-100XSQ	-	询价	4908	恩智浦	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全封装，隔离片	PSMN8		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					100V	49A（天）	10V	8.5毫欧@10A、10V	4V@1mA	100nC@10V	±20V	5512pF@50V	-	55W（温度）
PHD34NQ10T,118	-	询价	9369	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	博士34		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道					100V	35A（温度）	10V	40毫欧@17A，10V	4V@1mA	40nC@10V	±20V	1704pF@25V	-	136W（温度）
MRF8S21100HSR3,128	-	询价	6770	恩智浦	*	大部分	的积极					MRF8S21100		-			下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1															-
PSMN2R4-30MLD115	-	询价	9137	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,500人
BF1105,215	-	询价	6128	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	7V		表面贴装	TO-253-4、TO-253AA	BF110	800兆赫	场效应管		SOT-143B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安		-	20分贝											1.7分贝			5V
BUK662R7-55C	-	询价	6957	恩智浦	*	大部分	的积极										-						0000.00.0000	1
ON5213,118	-	询价	4336	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	TO-263-5、D²Pak（4引脚+接片）、TO-263BB	ON52	-	-		D2PAK	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	934056669118	EAR99	8541.29.0095	800	-		-		-	-											-
BF1108215	-	询价	6481	恩智浦	-	大部分	的积极	3V		表面贴装	TO-253-4、TO-253AA		-	场效应管		SOT-143B	-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1	N沟道		10毫安		-	-											-
MRFE6VS25LR5	76.8700	询价	7077	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	133伏		安装结构	NI-360	MRFE6	512兆赫	LDMOS		NI-360	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50			-	10毫安	25W	25.9分贝											-			50V
PMBT3946YPN,125	-	询价	8939	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	PMBT3946			350毫W	SOT-363	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		40V	200毫安		50nA（ICBO）	NPN、PNP	300mV @ 5mA、50mA / 400mV @ 5mA、50mA	100@10mA，1V	300兆赫、250兆赫
泵11,135	1.0000	询价	8128	恩智浦	-	大部分	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	PUMB11			300毫W	SOT-363	下载					EAR99	8541.21.0095	1																		50V	100毫安		1微安	2 PNP - 预偏置（双）	150mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	-	10k欧姆	10k欧姆
MRF6S27050HSR5	-	询价	8775	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		安装结构	NI-780S	MRF6	2.62GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	50			-	500毫安	7W	16分贝											-			28V
BC640,126	-	询价	7198	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC64			830毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																		80V	1A		100nA（ICBO）	国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	63@150mA，2V	145兆赫
BCX17,235	0.0300	询价	133	恩智浦	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				250毫W	SOT-23	下载					EAR99	8541.21.0095	10,927																		45V	500毫安		100nA（ICBO）	国民党	620mV@50mA、500mA	100@100mA，1V	80兆赫
MRF24301HR5178	1.0000	询价	9953	恩智浦	*	大部分	的积极										下载						0000.00.0000	1
MRFE6VP8600HSR5	-	询价	3050	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	130伏		安装结构	NI-1230S	MRFE6	860兆赫	LDMOS		NI-1230S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50	双重的		-	1.4A	125W	19.3分贝											-			50V
PSMN004-55W,127	-	询价	8607	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	PSMN0		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25		N沟道					55V	100A（温度）	4.5V、10V	4.2毫欧@25A，10V	2V@1mA	226nC@5V	±15V	13000pF@25V	-	300W（温度）
MRF8S18120HSR3	-	询价	7139	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-780S	MRF8	1.81GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250			-	800毫安	72W	18.2分贝											-			28V
BUK9E04-40A,127	-	询价	7608	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	84		N沟道					40V	75A（温度）	4.3V、10V	4mOhm@25A，10V	2V@1mA	128nC@5V	±15V	8260pF@25V	-	300W（温度）
MRF7S21210HSR3	-	询价	4188	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-780S	MRF7	2.17GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	250			-	1.4A	63W	18.5分贝											-			28V
BC69-16PASX	0.0700	询价	63	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	3-UDFN 裸露焊盘				420毫W	DFN2020D-3	下载					EAR99	8541.29.0075	1																		20V	2A		100nA（ICBO）	国民党	600mV@200mA，2A	85@500mA，1V	140兆赫
AFT18S230-12NR3	-	询价	3805	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	OM-780-2L2L	AFFT18	1.88GHz	LDMOS		OM-780-2L2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935312781528	EAR99	8541.29.0075	250			-	1.4A	50W	17.6分贝											-			28V
PDTA143EU,115	-	询价	8257	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTA14					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
PMDPB28UN,115	-	询价	4161	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	聚甲基二苯醚		MOSFET（金属O化物）	510毫W	6-休森 (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）						20V	4.6A		37毫欧@4.6A，4.5V	1V@250μA	4.7nC@4.5V		265pF@10V	逻辑电平门
A2T18S260-12SR3	-	询价	7537	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	NI-780-2S2L	A2T18	1.805GHz～1.995GHz	LDMOS		NI-780-2S2L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935318801128	EAR99	8541.29.0075	250			10微安	1.4A	257W	18.9分贝											-			28V
AFT26P100-4WGSR3	-	询价	7289	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的					AF26					-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935323496128	EAR99	8541.29.0075	250
PDTA123EMB,315	0.0300	询价	139	恩智浦	-	大部分	的积极			表面贴装	SC-101、SOT-883	PDTA123			250毫W	DFN1006B-3	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		50V	100毫安		1微安	PNP - 预偏置	150mV@500μA，10mA	30@20mA，5V	180兆赫	2.2欧姆	2.2欧姆
2PA1576S,115	0.0200	询价	7813	恩智浦	*	大部分	的积极					2PA15					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²