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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PMZB420UN，315	0.0900	RFQ	116	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883			MOSFET （金属 o化物）		DFN1006B-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					30 V	900mA（ta）	1.8V，4.5V	490MOHM @ 200MA，4.5V	950mv @ 250µA	0.98 NC @ 4.5 V	±8V	65 pf @ 25 V	-	360MW（TA），2.7W（TC）
BC807-16W135	-	RFQ	9118	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.21.0095	1
PBSS4350SPN，115	0.1500	RFQ	5764	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PBSS4350			750MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	189																		50V	2.7a		100NA	NPN，PNP	340mv @ 270mA，2.7a / 370mv @ 270mA，2.7a	300 @ 1A，2V / 180 @ 1A，2V	-
PMV22en，215	-	RFQ	2304	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV2		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	5.2a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 5.2a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 15 V	-	510MW（TA）
PMV90en，215	-	RFQ	1550	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV9		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	1.9a（ta）	4.5V，10V	84mohm @ 1.9a，10v	2.5V @ 250µA	4 NC @ 10 V	±20V	132 pf @ 15 V	-	310MW（TA），2.09W （TC）
BLF7G10L-250,112	111.1200	RFQ	78	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v			SOT-502A	BLF7G10	920MHz〜960MHz	ldmos		最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			-	1.8 a	60W	19.5db											-			30 V
BCX55,135	-	RFQ	6148	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					SOT-89	下载					Ear99	8541.29.0075	1																		60 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
PHD63NQ03LT，118	-	RFQ	7959	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					30 V	68.9a（TC）	5V，10V	13mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	9.6 NC @ 5 V	±20V	920 PF @ 25 V	-	111W（TC）
AFT20P140-4WGNR3	-	RFQ	8705	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	OM-780G-4L	AFT20	1.88GHz〜1.91GHz	ldmos		OM-780G-4L	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935320319528	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	500 MA	24W	17.8db											-			28 V
MRF8P20100HSR3	-	RFQ	8451	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF8	2.03GHz	ldmos		NI-780S-4L	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310291128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	400 MA	20W	16dB											-			28 V
PDTB123YT，215	0.0300	RFQ	81	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTB12					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PMT200en，135	-	RFQ	4358	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PMT2		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					100 v	1.8A（ta）	4.5V，10V	235mohm @ 1.5A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	475 PF @ 80 V	-	800MW（ta），8.3W（tc）
PMV77EN215	0.0500	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PMF3800SN，115	-	RFQ	3059	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMF38		MOSFET （金属 o化物）		SC-70	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					60 V	260mA ta）	4.5V，10V	4.5OHM @ 500mA，10V	3.3V @ 1mA	0.85 NC @ 10 V	±15V	40 pf @ 10 V	-	560MW（TC）
MPSA56,116	-	RFQ	1516年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA56			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		80 V	500 MA		50NA（iCBO）	PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	50MHz
2PA1774R，135	-	RFQ	7710	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2PA17			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																		50 V	150 ma		100NA（ICBO）	PNP	200mv @ 5mA，50mA	180 @ 1mA，6v	100MHz
BUK7Y41-80E/GFX	-	RFQ	7199	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					buk7					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
2N7002E，215	-	RFQ	3055	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2N70					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
J2A012YXZ/S1AY731J	-	RFQ	8326	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					J2A0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
MMRF2005GNR1	-	RFQ	8019	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					MMRF2					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500
SI4410DY，518	-	RFQ	4830	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Si4		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	10a（TJ）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 10A，10V	1V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±20V		-	2.5W（TA）
BUK7506-55B，127	-	RFQ	1235	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	75A（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	254W（TC）
PMBTA06/6235	0.0200	RFQ	170	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
BF1202WR，135	-	RFQ	5832	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	10 v		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF120	400MHz	MOSFET		CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000	n通道双门		30mA	12 ma	-	30.5db											0.9dB			5 v
PMBTA06,215	0.0200	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBTA					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BF245A，112	-	RFQ	4129	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF245	100MHz	JFET		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道		6.5mA		-	-											1.5dB			15 v
BSP254A，126	-	RFQ	3583	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BSP2		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道					250 v	200ma（ta）	10V	15ohm @ 200mA，10v	2.8V @ 1mA		±20V	90 pf @ 25 V	-	1W（ta）
MRF300亿	52.0000	RFQ	211	NXP USA Inc.	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	MRF300	27MHz〜250MHz	ldmos		TO-247	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	30			-		300W	18.7dB											-			50 V
BUK7504-40A，127	-	RFQ	4794	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	10V	4.5MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	117 NC @ 10 V	±20V	5730 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MRF9135LR3	-	RFQ	8862	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF91	880MHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	250			-	1.1 a	25W	17.8db											-			26 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²