SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
MRF7S18125BHR5 NXP USA Inc. MRF7S18125BHR5 -
RFQ
ECAD 7658 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF7 1.93GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.1 a 125W 16.5db - 28 V
MRF6S27050HR5 NXP USA Inc. MRF6S27050HR5 -
RFQ
ECAD 9230 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 SOT-957A MRF6 2.62GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 50 - 500 MA 7W 16dB - 28 V
MRF9060NR1 NXP USA Inc. MRF9060NR1 -
RFQ
ECAD 6123 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 TO-270AA MRF90 945MHz ldmos TO-270-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 500 - 450 MA 60W 18db - 26 V
MMRF1008HR5 NXP USA Inc. MMRF1008HR5 402.9538
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ECAD 4501 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 100 v 底盘安装 SOT-957A MMRF1008 1.03GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 100 ma 275W 20.3db - 50 V
PHB73N06T,118 NXP USA Inc. PHB73N06T,118 -
RFQ
ECAD 9636 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB PHB73 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 73A(TC) 10V 14mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 54 NC @ 10 V ±20V 2464 PF @ 25 V - 166W(TC)
MRF8S26120HSR3 NXP USA Inc. MRF8S26120HSR3 -
RFQ
ECAD 8492 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF8 2.69GHz ldmos NI-780 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 935310363128 Ear99 8541.29.0075 250 - 900 MA 28W 15.6dB - 28 V
BS108/01,126 NXP USA Inc. BS108/01,126 -
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ECAD 4910 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BS10 MOSFET (金属 o化物) TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 200 v 300mA(TA) 2.8V 5ohm @ 100mA,2.8V 1.8V @ 1mA ±20V 120 pf @ 25 V - 1W(ta)
PHP152NQ03LTA,127 NXP USA Inc. PHP152NQ03LTA,127 -
RFQ
ECAD 3825 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP15 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 25 v 75A(TC) 5V,10V 4mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 36 NC @ 5 V ±20V 3140 pf @ 25 V - 150W(TC)
MRF21085LSR5 NXP USA Inc. MRF21085LSR5 -
RFQ
ECAD 3550 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v NI-780 MRF21 2.11GHZ〜2.17GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.31.0001 50 - 1 a 19w 13.6dB - 28 V
ON5447,518 NXP USA Inc. ON5447,518 -
RFQ
ECAD 3721 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - ON5447 - - - - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935288028518 Ear99 8541.29.0095 600 - - - - -
AFT05MS031NR1 NXP USA Inc. AFT05MS031NR1 13.7900
RFQ
ECAD 76 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 40 V 表面安装 TO-270AA AFT05 520MHz ldmos TO-270-2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 - 10 MA 31W 17.7dB - 13.6 v
BFU550WF NXP USA Inc. BFU550WF 0.6000
RFQ
ECAD 27 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BFU550 450MW SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 12DB 12V 50mA NPN 60 @ 15mA,8v 11GHz 1.3db @ 1.8GHz
MRF6V10250HSR5 NXP USA Inc. MRF6V10250HSR5 -
RFQ
ECAD 4818 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 100 v 底盘安装 NI-780 MRF6 1.09GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 250 MA 250W 21dB - 50 V
BUK9Y43-60E/GFX NXP USA Inc. BUK9Y43-60E/GFX -
RFQ
ECAD 5034 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 buk9 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1,500
PSMN014-60LS,115 NXP USA Inc. PSMN014-60L,115 -
RFQ
ECAD 6377 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 PSMN0 MOSFET (金属 o化物) 8 dfn3333 (3.3x3.3) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,400 n通道 60 V 40a(TC) 10V 14mohm @ 10a,10v 4V @ 1mA 19.6 NC @ 10 V ±20V 1264 PF @ 30 V - 65W(TC)
PSMN7R6-60XSQ NXP USA Inc. PSMN7R6-60XSQ -
RFQ
ECAD 9771 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 PSMN7 MOSFET (金属 o化物) TO-220F - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 51.5A(TC) 10V 7.8mohm @ 25a,10v 4.6V @ 1mA 38.7 NC @ 10 V ±20V 2651 PF @ 30 V - 46W(TC)
PHP222NQ04LT,127 NXP USA Inc. PHP222NQ04LT,127 -
RFQ
ECAD 6006 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP22 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 75A(TC) 4.5V,10V 2.8mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 93.6 NC @ 5 V ±15V 7880 pf @ 25 V - 300W(TC)
PDTA144TT,215 NXP USA Inc. PDTA144TT,215 0.0200
RFQ
ECAD 102 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA14 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
MRF8P20140WHSR5 NXP USA Inc. MRF8P20140WHSR5 -
RFQ
ECAD 9860 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 65 v 表面安装 NI-780S-4L MRF8 1.88GHz〜1.91GHz ldmos NI-780S-4L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 50 双重的 - 500 MA 24W 16dB - 28 V
BLT80,115 NXP USA Inc. BLT80,115 -
RFQ
ECAD 5252 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BLT8 2W SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 - 10V 250mA NPN 25 @ 150mA,5V 900MHz -
2PB709AQ,115 NXP USA Inc. 2PB709AQ,115 -
RFQ
ECAD 2353 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2pb70 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 ma 10NA(ICBO) PNP 500mv @ 10mA,100mA 160 @ 2mA,10v 60MHz
BC327,116 NXP USA Inc. BC327,116 -
RFQ
ECAD 3354 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC32 625兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 45 v 500 MA 100NA(ICBO) PNP 700mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,1V 80MHz
PDTC144ET/DG/B4215 NXP USA Inc. PDTC144ET/DG/B4215 0.0200
RFQ
ECAD 57 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
MRF9060LSR5 NXP USA Inc. MRF9060LSR5 -
RFQ
ECAD 6702 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-360S MRF90 945MHz ldmos NI-360S - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8541.21.0075 50 - 450 MA 60W 17dB - 26 V
BFG540/X,215 NXP USA Inc. BFG540/X,215 -
RFQ
ECAD 1316 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFG54 400MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 120mA NPN 60 @ 40mA,8v 9GHz 1.3db〜2.4dB @ 900MHz
BC557,112 NXP USA Inc. BC557,112 -
RFQ
ECAD 4278 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC55 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 125 @ 2mA,5V 100MHz
PDTA113ZK,115 NXP USA Inc. PDTA113ZK,115 -
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTA113 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 35 @ 5mA,5v 1 kohms 10 kohms
BUK952R8-30B,127 NXP USA Inc. BUK952R8-30B,127 -
RFQ
ECAD 6530 0.00000000 NXP USA Inc. * 管子 积极的 Buk95 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000
PMST5401,115 NXP USA Inc. PMST5401,115 -
RFQ
ECAD 5336 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 PMST5 200兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 150 v 300 MA 50NA(iCBO) PNP 500mv @ 5mA,50mA 60 @ 10mA,5V 300MHz
A2I20H060NR1 NXP USA Inc. A2I20H060NR1 25.9164
RFQ
ECAD 4916 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 65 v 表面安装 TO-270-15,平面线,平面线 A2i20 1.84GHz ldmos TO-270WB-15 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935318716528 Ear99 8542.33.0001 500 双重的 - 24 ma 12W 28.9db - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库