SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
J2A012YXZ/S1AY7UZJ NXP USA Inc. J2A012YXZ/S1AY7UZJ -
RFQ
ECAD 9476 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 J2A0 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 2,500
PDTA144EK,115 NXP USA Inc. PDTA144EK,115 -
RFQ
ECAD 2970 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTA144 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 80 @ 5mA,5V 47科姆斯 47科姆斯
BUK961R6-40E,118 NXP USA Inc. BUK961R6-40E,118 -
RFQ
ECAD 9661 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 40 V 120A(TC) 5V 1.4mohm @ 25a,10v 2.1V @ 1mA 120 NC @ 5 V ±10V 16400 PF @ 25 V - 357W(TC)
BFG505,215 NXP USA Inc. BFG505,215 -
RFQ
ECAD 5504 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFG50 150MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 18mA NPN 60 @ 5mA,6v 9GHz 1.2db〜2.1dB @ 900MHz
BUK761R6-40E,118 NXP USA Inc. BUK761R6-40E,118 -
RFQ
ECAD 6331 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Ear99 8541.29.0095 64 n通道 40 V 120A(TC) 10V 1.6mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 145 NC @ 10 V ±20V 11340 pf @ 25 V - 349W(TC)
BUK724R5-30C118 NXP USA Inc. BUK724R5-30C118 0.4100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 75A(TC) 10V 4.5MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 62 NC @ 10 V ±20V 3760 pf @ 25 V - 157W(TC)
BUK78150-55A,115 NXP USA Inc. BUK78150-55A,115 -
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA Buk78 MOSFET (金属 o化物) SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 5.5A(TC) 10V 150MOHM @ 5A,10V 4V @ 1mA ±20V 230 pf @ 25 V - 8W(TC)
MRF6S21100MR1 NXP USA Inc. MRF6S21100MR1 -
RFQ
ECAD 3747 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v TO-270-4 MRF6 2.11GHZ〜2.16GHz ldmos TO-270 WB-4 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 1.05 a 23W 14.5db - 28 V
BC52-16PASX NXP USA Inc. BC52-16PASX 0.0600
RFQ
ECAD 5020 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-udfn裸露的垫子 420兆W DFN2020d-3 下载 Ear99 8541.29.0075 1 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 145MHz
PSMN8R0-30YL,115 NXP USA Inc. psmn8r0-30yl,115 -
RFQ
ECAD 3295 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PSMN8 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 62A(TC) 4.5V,10V 8.3mohm @ 15a,10v 2.15V @ 1mA 18.3 NC @ 10 V ±20V 1005 pf @ 15 V - 56W(TC)
MRFE6VP8600HSR6 NXP USA Inc. MRFE6VP8600HSR6 -
RFQ
ECAD 6927 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 130 v 底盘安装 NI-1230S MRFE6 860MHz ldmos NI-1230S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 150 双重的 - 1.4 a 125W 19.3db - 50 V
BUK7Y28-75B,115 NXP USA Inc. BUK7Y28-75B,115 0.4000
RFQ
ECAD 2672 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 Ear99 8541.29.0095 166 n通道 75 v 35.5A(TC) 10V 28mohm @ 15a,10v 4V @ 1mA 21.2 NC @ 10 V ±20V 1417 PF @ 25 V - 85W(TC)
PMV65UN,215 NXP USA Inc. PMV65UN,215 -
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PMV6 MOSFET (金属 o化物) SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 2.2A(ta) 1.8V,4.5V 76MOHM @ 2A,4.5V 1V @ 250µA 3.9 NC @ 4.5 V ±8V 183 pf @ 10 V - 310MW(TA),2.17W(tc)
BCW66F215 NXP USA Inc. BCW66F215 1.0000
RFQ
ECAD 9065 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
BCX71J,215 NXP USA Inc. BCX71J,215 0.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCX71 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
BC547C,126 NXP USA Inc. BC547C,126 -
RFQ
ECAD 9198 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC54 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 400mv @ 5mA,100mA 420 @ 2mA,5V 100MHz
BC817-16W,115 NXP USA Inc. BC817-16W,115 0.0200
RFQ
ECAD 51 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BC817 200兆 SOT-323 下载 Ear99 8541.21.0075 1 45 v 500 MA 100NA(ICBO) NPN 700mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,1V 100MHz
MRF7S38010HSR5 NXP USA Inc. MRF7S38010HSR5 -
RFQ
ECAD 9298 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-400S-2S MRF7 3.4GHz〜3.6GHz ldmos NI-400S-2S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 160 MA 2W 15DB - 30 V
BFU730LXZ NXP USA Inc. BFU730LXZ 0.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 3-XFDFN BFU730 160MW DFN1006C-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 15.8db 3V 30mA NPN 205 @ 2mA,3v 53GHz 0.75dB @ 6GHz
PDTA123TU,115 NXP USA Inc. PDTA123TU,115 0.0200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA12 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
BUK962R6-40E,118 NXP USA Inc. BUK962R6-40E,118 1.2200
RFQ
ECAD 640 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Ear99 8541.29.0095 246 n通道 40 V 100A(TC) 5V,10V 2.4mohm @ 25a,10v 2.1V @ 250µA 80.6 NC @ 32 V ±10V 10285 PF @ 25 V - 263W(TC)
PDTC124TMB315 NXP USA Inc. PDTC124TMB315 0.0300
RFQ
ECAD 190 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.21.0075 1
AFT23S160W02GSR3 NXP USA Inc. AFT23S160W02GSR3 -
RFQ
ECAD 9836 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-780GS-2L AFT23 2.4GHz ldmos NI-780GS-2L - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935315216128 Ear99 8541.29.0095 250 - 1.1 a 45W 17.9db - 28 V
PUMH11/ZL135 NXP USA Inc. PUMH11/ZL135 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 10,000
PHPT61003PY115 NXP USA Inc. PHPT61003PY115 -
RFQ
ECAD 1446 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1
MMRF1316NR1 NXP USA Inc. MMRF1316NR1 82.6800
RFQ
ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 133 v 表面安装 TO-270-4 MMRF1316 230MHz ldmos TO-270 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 双重的 - 100 ma 300W 27dB - 50 V
BFU530XRVL NXP USA Inc. BFU530XRVL 0.1380
RFQ
ECAD 6461 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-143R BFU530 450MW SOT-143R 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 93406712235 Ear99 8541.21.0075 10,000 16.5db 12V 40mA NPN 60 @ 10mA,8v 11GHz 1.1db @ 1.8GHz
PEMH4115 NXP USA Inc. PEMH4115 1.0000
RFQ
ECAD 8811 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 4,000
BC807-40/6215 NXP USA Inc. BC807-40/6215 -
RFQ
ECAD 6901 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
BF1107,235 NXP USA Inc. BF1107,235 -
RFQ
ECAD 2384 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 3 V 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BF110 - MOSFET SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934055157235 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 10mA - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库