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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MRFE6P9220HR3	-	RFQ	3089	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		底盘安装	NI-860C3	MRFE6	880MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935314026128	Ear99	8541.29.0075	250			-	1.6 a	47W	20dB											-			28 V
ON5250/A，135	-	RFQ	5248	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ON52	-	-		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934061143135	Ear99	8541.29.0095	4,000	-		-		-	-											-
BUK7616-55A，118	-	RFQ	7979	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk76		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	65.7a（TC）	10V	16mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	2245 PF @ 25 V	-	138W（TC）
BUK761R7-40E/GFJ	-	RFQ	2888	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk76				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	800								-	10V				±20V
BFR93A，215	-	RFQ	8135	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR93			300MW	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												12V	35mA			NPN		40 @ 30mA，5V	6GHz			1.9db〜3db @ 1GHz〜2GHz
BUK9618-55A，118	-	RFQ	6336	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	61A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	34 NC @ 5 V	±15V	2210 PF @ 25 V	-	136W（TC）
PMEM4030PS，115	-	RFQ	7540	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PMEM4			1 w	8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																		50 V	2 a		100NA（ICBO）	PNP +二极管（隔离）	390mv @ 300mA，3a	200 @ 1A，2V	100MHz
MRF6P24190HR5	-	RFQ	6218	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	2.39GHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.9 a	40W	14dB											-			28 V
BLF2425M7LS140,112	127.3300	RFQ	6	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v			SOT-502B	BLF2425	2.45GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			-	1.3 a	140W	18.5db											-			28 V
AFT05MS004-200M	240.5600	RFQ	9164	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	568-AFT05MS004-200M			1
PDTD113ZK，115	-	RFQ	5123	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTD113			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	500 MA		500NA	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V		1 kohms	10 kohms
BUK9E6R1-100E，127	-	RFQ	9121	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	120A（TC）	5V，10V	5.9MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	133 NC @ 5 V	±10V	17460 pf @ 25 V	-	349W（TC）
PSMN020-150W，127	-	RFQ	6235	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					150 v	73A（TC）	10V	20mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	227 NC @ 10 V	±20V	9537 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BF1210,115	-	RFQ	5859	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF121	400MHz	MOSFET		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	19 ma	-	31dB											0.9dB			5 v
MRF7S38075HR3	-	RFQ	3953	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	3.4GHz〜3.6GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	900 MA	12W	14dB											-			30 V
PBSS5230QA147	-	RFQ	7261	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
2PC4081R	-	RFQ	2701	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
BFM505,115	-	RFQ	3187	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BFM50			500MW	6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						-												8V	18mA			2 NPN （双）		60 @ 5mA，6v	9GHz			1.1db〜1.9dB @ 900MHz〜2GHz
MRFX600HR5	156.0300	RFQ	5945	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	179 v		底盘安装	NI-780-4	MRFX600	1.8MHz〜400MHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		10µA	100 ma	600W	26.4db											-			65 v
BUK9E8R5-40E，127	-	RFQ	3483	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	5V，10V	6.6mohm @ 20a，10v	2.1V @ 1mA	20.9 NC @ 5 V	±10V	2600 PF @ 25 V	-	96W（TC）
PDTC143XU，115	0.0200	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTC14					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BLF10M6200112	87.8100	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
BUK6240-75C，118	-	RFQ	6515	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Buk62		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					75 v	22a（TC）	4.5V，10V	46mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	21.4 NC @ 10 V	±16V	1280 pf @ 25 V	-	60W（TC）
BC817-25,235	-	RFQ	3935	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BC817					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
PDTC144EK，115	-	RFQ	4095	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC144			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	9,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V		47科姆斯	47科姆斯
PMV30UN，215	-	RFQ	9868	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	5.7A（TC）	1.8V，4.5V	36mohm @ 2A，4.5V	700mv @ 1MA（typ）	7.4 NC @ 4.5 V	±8V	460 pf @ 20 V	-	1.9W（TC）
MRF7S35015HSR5	-	RFQ	8650	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-400S-2S	MRF7	3.1GHz〜3.5GHz	ldmos		NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	50 mA	15W	16dB											-			32 v
BLP7G07S-140P，118	-	RFQ	6831	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	SOT-1223-1	BLP7	700MHz〜1GHz	ldmos		4-HSOPF	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934066972118	Ear99	8541.29.0075	100	双重的		-		35W	20.6dB											-			28 V
PBSS5630PA，115	-	RFQ	9051	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
A3G26D055N-2110	675.0000	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	125 v		表面安装	6-dlfn暴露垫		100MHz〜2.69GHz	甘		6-PDFN （7x6.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	568-A3G26D055N-2110	Ear99	8541.29.0075	1			-	40 MA	8W	13.9db											-			48 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²