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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BC807-16/6215	0.0200	RFQ	339	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PH6530AL115	0.1800	RFQ	4	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1,500		n通道					30 V	-		-	-				-	-
PDTD113EU115	-	RFQ	4055	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK7905-40AIE，127	-	RFQ	7293	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk79					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
MRF7S19080HSR3	-	RFQ	6781	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	1.99GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935319237128	Ear99	8541.29.0075	250			-	750 MA	24W	18db											-			28 V
MPSA42,116	-	RFQ	6226	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA42			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		300 v	100 ma		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
MRF6P9220HR3	-	RFQ	2989	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-860C3	MRF6	880MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.6 a	47W	20dB											-			28 V
MRFE6VS25LR5	76.8700	RFQ	7077	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		底盘安装	NI-360	MRFE6	512MHz	ldmos		NI-360	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50			-	10 MA	25W	25.9db											-			50 V
MRF8HP21130HSR5	-	RFQ	3355	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780S-4L	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	360 MA	28W	14dB											-			28 V
PMDXB950UPE147	-	RFQ	5599	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
PHB55N03LTA，118	-	RFQ	4559	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB55		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					25 v	55A（TC）	5V，10V	14mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	20 nc @ 5 V	±20V	950 pf @ 25 V	-	85W（TC）
PHB45NQ10T，118	-	RFQ	5158	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHB45					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
MRF19030LSR5	-	RFQ	1502	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	Ni-400s	MRF19	1.96GHz	ldmos		Ni-400s	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50			-	300 MA	30W	13DB											-			26 V
J2A012YXS/T1AY403，	-	RFQ	5258	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	-	-	J2A0				-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935296266118	过时的	0000.00.0000	12,500		-												-
PDTC143ET235	-	RFQ	3530	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
2PA1576S/ZLX	-	RFQ	8907	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	2PA15				SC-70	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BCW60B，215	0.0300	RFQ	36	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCW60					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK958R5-40E，127	-	RFQ	3037	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	5V，10V	6.6mohm @ 20a，10v	2.1V @ 1mA	20.9 NC @ 5 V	±10V	2600 PF @ 25 V	-	96W（TC）
BUK9Y59-60E/GFX	-	RFQ	9584	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					buk9					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
MMRF1310HR5	115.0100	RFQ	50	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		底盘安装	NI-780-4	MMRF1310	230MHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	100 ma	300W	26.5db											-			50 V
BST16,115	-	RFQ	6891	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BST1			1.3 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																		300 v	200 ma		100NA（ICBO）	PNP	750mv @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	15MHz
PBHV9515QA147	0.0800	RFQ	55	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,974
MBC13900T1	-	RFQ	9617	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	MBC13			188MW	SOT-343	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8541.21.0075	3,000						15DB〜22DB												6.5V	20mA			NPN		100 @ 5mA，2V	15GHz	0.8db〜1.1db @ 900MHz〜1.9GHz
BF420,112	-	RFQ	8505	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF420			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																		300 v	50 mA		10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
2N5551,116	-	RFQ	6708	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N55			630兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		160 v	300 MA		50NA（iCBO）	NPN	200mv @ 5mA，50mA	80 @ 10mA，5V	300MHz
PDTC114EQA147	0.0300	RFQ	48	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
AFT23H201-24SR6	-	RFQ	4541	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	ACP-1230S-4L2L	AFT23	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos		ACP-1230S-4L2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320889128	Ear99	8541.29.0075	150			10µA	500 MA	210W	15.6dB											-			28 V
MRF101AN启动	-	RFQ	9286	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的	133 v		通过洞	TO-220-3	MRF101	1.8MHz〜250MHz	ldmos		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			10µA	100 ma	115W	21.1db											-			50 V
BUK954R4-40B127	0.7200	RFQ	2	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	64 NC @ 5 V	±15V	7124 PF @ 25 V	-	254W（TC）
BUK7Y25-40B/C3115	-	RFQ	9326	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²