晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
MRF9080LR3	-	询价	1939年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	SOT-957A	MRF90	960兆赫	LDMOS		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	250			-	600毫安	70W	18.5分贝											-			26V
PMBT3946YPN,125	-	询价	8939	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	PMBT3946			350毫W	SOT-363	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		40V	200毫安		50nA（ICBO）	NPN、PNP	300mV @ 5mA、50mA / 400mV @ 5mA、50mA	100@10mA，1V	300兆赫、250兆赫
BF1208,115	-	询价	8171	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	6V		表面贴装	SOT-563、SOT-666	BF120	400兆赫	场效应管		SOT-666	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000	N 沟道双感应		30毫安	19毫安	-	32分贝											1.3分贝			5V
PMDXB950UPE147	-	询价	5599	恩智浦	*	大部分	的积极										-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	5,000
BUK7619-100B,118	-	询价	6862	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	山毛洼76		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道					100V	64A（温度）	10V	19毫欧@25A，10V	4V@1mA	53nC@10V	±20V	3400pF@25V	-	200W（温度）
PSMN057-200B,118	-	询价	3831	恩智浦	*	大部分	的积极					PSMN0					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800
BC53-16PAS115	1.0000	询价	3238	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
BUK7608-40B,118	0.7600	询价	1	恩智浦	*	大部分	的积极					山毛洼76					-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800
PDTC123TMB,315	0.0300	询价	100	恩智浦	-	大部分	的积极			表面贴装	SC-101、SOT-883	PDTC123			250毫W	DFN1006B-3	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		50V	100毫安		1微安	NPN - 预偏置	150mV@500μA，10mA	30@20mA，5V	230兆赫	2.2欧姆
BLF988S,112	509.2500	询价	20	恩智浦	-	管子	的积极	110V			SOT539B		860兆赫	LDMOS		SOT539B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1	双重、共同来源		-	1.3A	250W	20.8分贝											-			50V
PHP54N06T,127	-	询价	5698	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	PHP54		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	54A（温度）	10V	20毫欧@25A，10V	4V@1mA	36nC@10V	±20V	1592pF@25V	-	118W（温度）
BFU550215	0.2500	询价	6	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	3,000
BUK7230-55A	-	询价	5164	恩智浦	*	大部分	的积极					山毛凹7230		-			下载	不适用	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1															-
PDTC123JQA147	0.0300	询价	143	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTC123					下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	5,000
MRF8P23080HSR3	-	询价	7619	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	NI-780S-4L	MRF8	2.3GHz	LDMOS		NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935321471128	EAR99	8541.29.0075	250	双重的		-	280毫安	16W	14.6分贝											-			28V
PHP45NQ15T,127	-	询价	4535	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	PHP45		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					150伏	45.1A（温度）	10V	42毫欧@20A，10V	4V@1mA	32nC@10V	±20V	1770pF@25V	-	230W（温度）
BUK762R6-40E118	-	询价	3400	恩智浦	*	大部分	的积极										-						0000.00.0000	1
BUK9508-55B,127	-	询价	5827	恩智浦	*	管子	的积极					山毛洼95					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000
BC807-25/6215	0.0200	询价	21	恩智浦	*	大部分	的积极										下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	15,000
BUK9609-75A,118	1.5200	询价	第760章	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	198		N沟道					75V	75A（温度）	4.5V、10V	8.5毫欧@25A，10V	2V@1mA		±10V	8840pF@25V	-	230W（温度）
PEMH17,115	0.0400	询价	24	恩智浦	-	大部分	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	PEMH17			300毫W	SOT-666	下载					EAR99	8541.21.0095	1																		50V	100毫安		1微安	2 NPN - 预偏置（双）	150mV@500μA，10mA	60@5mA，5V	-	47k欧姆	22k欧姆
BUK653R7-30C,127	-	询价	4875	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛凹65		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					30V	100A（温度）	4.5V、10V	3.9毫欧@25A，10V	2.8V@1mA	78nC@10V	±16V	4707pF@25V	-	158W（温度）
PSMN7R6-60BS118	-	询价	8977	恩智浦	*	大部分	的积极										下载					EAR99	8541.29.0095	1
PBSS4032ND,115	0.1500	询价	31	恩智浦	*	大部分	的积极					PBSS4					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000
PBSS4420D,115	-	询价	4950	恩智浦	*	大部分	的积极					PBSS4					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
PHK12NQ03LT,518	-	询价	3662	恩智浦	*	大部分	的积极					PHK12					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人
PSMN1R9-40PL127	1.6700	询价	2	恩智浦	*	大部分	的积极					PSMN1R9					下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	194
BUK969R0-60E,118	-	询价	8852	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道					60V	75A（温度）	5V	8毫欧@20A，10V	2.1V@1mA	29.8nC@5V	±10V	4350pF@25V	-	137W（温度）
MMRF1007HSR5	679.4412	询价	8500	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	110V			NI-1230-4S	MMRF1007	1.03GHz	LDMOS		NI-1230-4S	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935320316178	EAR99	8541.29.0075	50	双重的		-	150毫安	1000W	20分贝											-			50V
MRF8S19140HR3	-	询价	2512	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	SOT-957A	MRF8	1.96GHz	LDMOS		NI-780H-2L	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	935321462128	EAR99	8541.29.0075	250			-	1.1安	34W	19.1分贝											-			28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²