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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
BUK652R3-40C，127	-	RFQ	4784	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	120A（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	260 NC @ 10 V	±16V	15100 PF @ 25 V	-	306W（TC）
PN2907A，116	-	RFQ	2751	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN29			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		60 V	600 MA		10NA（ICBO）	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
MRFE6S9125NR1	-	RFQ	1518年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	66 v		表面安装	TO-270AB	MRFE6	880MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	950 MA	27W	20.2dB											-			28 V
BUK7E3R1-40E，127-nxp	-	RFQ	1298	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					40 V	100A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	79 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 25 V	-	234W（TC）
BUK78150-55A，115	-	RFQ	3170	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Buk78		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	5.5A（TC）	10V	150MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA		±20V	230 pf @ 25 V	-	8W（TC）
PMEM4020PD，115	-	RFQ	2889	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMEM4			600兆	SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		40 V	750 MA		100NA	PNP +二极管（隔离）	530mv @ 200mA，2a	300 @ 100mA，5V	150MHz
MRF8S21200HSR6	-	RFQ	2239	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230S	MRF8	2.14GHz	ldmos		NI-1230S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935322971128	5A991G	8541.29.0075	150	双重的		-	1.4 a	48W	18.1db											-			28 V
MRF5S19100HR5	-	RFQ	6995	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-780	MRF5	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50			-	1 a	22W	13.9db											-			28 V
PDTC323TK，115	-	RFQ	6429	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC32			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		15 v	500 MA		500NA	npn-预先偏见	80mv @ 2.5mA，50mA	100 @ 50mA，5V		2.2 kohms
PBLS2001D，115	0.0700	RFQ	57	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBLS20					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
PMV40UN，215	-	RFQ	9616	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV4		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	4.9A（TC）	1.8V，4.5V	47MOHM @ 2A，4.5V	700mv @ 1MA（typ）	9.3 NC @ 4.5 V	±8V	445 pf @ 30 V	-	1.9W（TC）
PMPB23XNE，115	-	RFQ	8787	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN1010B-6	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					20 v	7a（ta）	1.8V，4.5V	22mohm @ 7A，4.5V	900mv @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±12V	1136 PF @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
MRF6S21100MR1	-	RFQ	3747	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-270-4	MRF6	2.11GHZ〜2.16GHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	1.05 a	23W	14.5db											-			28 V
PEMB24,115	0.0700	RFQ	32	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMB2					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
BUK7Y43-60E/GFX	-	RFQ	8018	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					buk7					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
BC869-16115	0.1100	RFQ	32	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0075	1
MRF6V2150NR1	-	RFQ	5224	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		表面安装	TO-270AB	MRF6	220MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	450 MA	150W	25DB											-			50 V
BF908R，235	-	RFQ	8777	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	12 v		表面安装	SOT-143R	BF908	200MHz	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934022610235	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门		40mA	15 ma	-	-											0.6dB			8 V
BSH205,215	-	RFQ	8937	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSH205		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					12 v	750mA（TA）	1.8V，4.5V	400MOHM @ 430mA，4.5V	680mv @ 1MA（类型）	3.8 NC @ 4.5 V	±8V	200 pf @ 9.6 V	-	417MW（TA）
BF556B，215	-	RFQ	3603	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF556	-	JFET		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		13mA		-	-											-
PDTA143TS，126	-	RFQ	8990	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA143			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	200 @ 1mA，5V		4.7科姆斯
MRF6S27085HSR3	-	RFQ	4680	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-780	MRF6	2.66GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	900 MA	20W	15.5db											-			28 V
A3G26H350W17SR3	155.0614	RFQ	6200	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v			NI-780S-4S2S		2.496GHZ〜2.69GHz	-		NI-780S-4S2S	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250	-		-	250 MA	59W	13.3db											-			48 v
PDTA124EU，135	0.0200	RFQ	20	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA124					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
BF421,112	-	RFQ	7067	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF421			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																		300 v	50 mA		10NA（ICBO）	PNP	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
A3T23H450W23SR6	150.1500	RFQ	1890年	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					A3T23					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150
AFT20S015NR1	28.4000	RFQ	441	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	TO-270AA	AFT20	2.17GHz	ldmos		TO-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0040	500			-	132 MA	1.5W	17.6dB											-			28 V
A2T21H450W19SR6	-	RFQ	5096	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230S-4S4S	A2T21	2.11GHz〜2.2GHz	ldmos		NI-1230S-4S4S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935323762128	Ear99	8541.29.0075	150			10µA	800 MA	390W	15.7dB											-			30 V
MRF6S1100NR1	-	RFQ	7815	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	TO-270AB	MRF6	1.99GHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	950 MA	22W	14.5db											-			28 V
BLF8G22LS-310AVJ	-	RFQ	8340	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				-	BLF8	-	-		-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067838118	Ear99	8542.39.0001	100	-		-		-	-											-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²