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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
PH9930L，115	-	RFQ	6535	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH99		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	63A（TC）	4.5V，10V	9.9mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	13.3 NC @ 4.5 V	±20V	1565 pf @ 12 V	-	62.5W（TC）
MRF6S27015NR1	-	RFQ	7637	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	TO-270AA	MRF6	2.6GHz	ldmos		TO-270-2	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	935309659528	Ear99	8541.21.0075	500			-	160 MA	3W	14dB											-			28 V
PMCXB900UE147	-	RFQ	1821年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	5,000
J3C145CX1/T0BC732J	-	RFQ	4468	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					J3C1					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
A5G26S004NT6	11.3685	RFQ	1864年	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,000
J2A012YXT/S1AY7HFJ	-	RFQ	6380	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					J2A0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
BUK9K45-100E115	-	RFQ	9021	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BUK9K45					下载					Ear99	8541.29.0095	1
PDTA144WT，215	-	RFQ	3815	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA144			250兆	SOT-23	下载						0000.00.0000	1																		50 V	100 ma					100NA（ICBO）		pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5V		47科姆斯	22 KOHMS
J109,126	-	RFQ	2489	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J109			400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道					25 v							30pf @ 10V（vgs）							25 v	80 ma @ 15 V	2 V @ 1 µA		12欧姆
MMBT3906,215	-	RFQ	4139	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载						0000.00.0000	1																		40 V	200 ma					50NA（iCBO）		PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
PHP101NQ04T，127	-	RFQ	1046	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	10V	8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	36.6 NC @ 10 V	±20V	2020 PF @ 25 V	-	157W（TC）
J2A012YXZ/S1AY7UZJ	-	RFQ	9476	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					J2A0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
J3E082EA4/S0BE5AQJ	-	RFQ	5577	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					J3E0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
BF824235	-	RFQ	8649	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.21.0075	1
PHC21025,118	0.2900	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHC21					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
BUK7230-55A，118	0.4200	RFQ	6	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	BUK7230		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	772		n通道					55 v	38A（TC）	10V	30mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	1152 PF @ 25 V	-	88W（TC）
BLD6G22LS-50,112	90.0800	RFQ	30	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	SOT-1130B		2.14GHz	ldmos		CDFM4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源		10.2a	170 MA	8W	14dB											-			28 V
PBSS5140T，215	-	RFQ	5227	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
AFT05MS004NT1	2.8200	RFQ	2690	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30 V		表面安装	TO-243AA	AFT05	520MHz	ldmos		SOT-89A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000			-	100 ma	4.9W	20.9db											-			7.5 v
PMR280UN，115	-	RFQ	4679	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	PMR2		MOSFET （金属 o化物）		SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	980mA（tc）	1.8V，4.5V	340MOHM @ 200MA，4.5V	1V @ 250µA	0.89 NC @ 4.5 V	±8V	45 pf @ 20 V	-	530MW（TC）
PMZB600Une315	0.0300	RFQ	574	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	10,000
AFT18S230SR3	-	RFQ	3982	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	AFT18	1.88GHz	ldmos		NI-780	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0095	250			-	1.8 a	50W	19db											-			28 V
BUK9635-100A-118	-	RFQ	6322	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	40		n通道					100 v	41A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA		±10V	3573 PF @ 25 V	-	149W（TC）
PDTA114TT，215	-	RFQ	6368	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA11					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRF8P20140WHR3	-	RFQ	2326	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8P20140	1.88GHz〜1.91GHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310716128	5A991G	8541.29.0075	250	双重的		-	500 MA	24W	16dB											-			28 V
PMGD290UCEA/DG/B2115	1.0000	RFQ	7877	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
BSV52,215	-	RFQ	8639	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BSV5					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BF545A，215	-	RFQ	5567	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF545	-	JFET		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		6.5mA		-	-											-
BC807-40/6215	-	RFQ	6901	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
MRF6S19060MBR1	-	RFQ	7325	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-272-4	MRF6	1.93GHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	610 MA	12W	16dB											-			28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²