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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
PBLS1503Y，115	-	RFQ	6866	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBLS15				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PSMN1R5-40PS，127	-	RFQ	2907	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN1				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
BUK7107-55AIE，118	-	RFQ	1416	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的					BUK71				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
BLF2425M7LS140,112	127.3300	RFQ	6	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v			SOT-502B	BLF2425	2.45GHz	ldmos	SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			-	1.3 a	140W	18.5db											-	28 V
PDTB143XT215	-	RFQ	4734	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1
MRF6VP3450HSR5	-	RFQ	5195	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	NI-1230S	MRF6	860MHz	ldmos	NI-1230S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314024178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	1.4 a	90W	22.5dB											-	50 V
PBSS4360Z115	-	RFQ	6638	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1,000
PBSS4350D，125	-	RFQ	2813	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS4				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
MRF8S21200H6	-	RFQ	8123	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-1230	MRF8	2.14GHz	ldmos	NI-1230	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935317162128	5A991G	8541.29.0075	150	双重的		-	1.4 a	48W	18.1db											-	28 V
A3G26D055N-2400	315.0000	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	125 v		表面安装	6-dlfn暴露垫		100MHz〜2.69GHz	甘	6-PDFN （7x6.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1			-	40 MA	8W	13.9db											-	48 v
PSMN8R5-108	0.7000	RFQ	466	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	466
BUK951R8-40EQ	-	RFQ	8946	NXP USA Inc.	-	管子	积极的		-	通过洞	TO-220-3	BUK951		MOSFET （金属 o化物）	TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067634127	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	-		-	-				-	-
MRF6S9130HR3	-	RFQ	6872	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	880MHz	ldmos	NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	950 MA	27W	19.2db											-	28 V
PBRP123YT，215	-	RFQ	8169	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBRP12				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
PSMN014-60L，115	-	RFQ	6377	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）	8 dfn3333 （3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,400		n通道					60 V	40a（TC）	10V	14mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	19.6 NC @ 10 V	±20V	1264 PF @ 30 V	-	65W（TC）
MRFE6VP5600HSR5	132.0164	RFQ	4275	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	130 v		底盘安装	NI-1230-4S	MRFE6	230MHz	ldmos	NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935319677178	Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	100 ma	600W	25DB											-	50 V
MRF6VP121KHSR5	-	RFQ	8948	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v			NI-1230S	MRF6	1.03GHz	ldmos	NI-1230S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310191178	Ear99	8541.29.0095	50	双重的		-	150 ma	1000W	20dB											-	50 V
A3G18D510-04SR3	114.4650	RFQ	6841	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	NI-780S-4L		1.805GHZ〜2.2GHz	-	NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250	-		-	250 MA	56W	16dB											-	48 v
MRF6V4300NBR1	-	RFQ	2993	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	TO-272BB	MRF6	450MHz	ldmos	TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935317035528	Ear99	8541.29.0075	500			-	900 MA	300W	22DB											-	50 V
BUK9245-55A，118	0.3300	RFQ	1	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	28a（TC）	4.5V，10V	40mohm @ 5a，10v	2V @ 1mA	14 NC @ 5 V	±15V	1006 pf @ 25 V	-	70W（TC）
MRF1K50HR5	190.1200	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50 V		底盘安装	SOT-979A	MRF1K50	1.8MHz〜500MHz	ldmos	NI-1230-4H	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-		1500W	22.5dB											-
MRF6S9045MBR1	-	RFQ	7824	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-272-2	MRF6	880MHz	ldmos	TO-272-2	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	350 MA	10W	22.7dB											-	28 V
A2T08VD021NT1	-	RFQ	3525	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				-	A2T08	-	-	-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935361777528	Ear99	8541.29.0095	1,000	-		-		-	-											-
BUK9237-55,118	-	RFQ	9546	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Buk92		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	32A（TC）		33mohm @ 15a，10v	2V @ 1mA	17.6 NC @ 5 V		1236 pf @ 25 V	-	-
BUK6240-75C，118	-	RFQ	6515	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	Buk62		MOSFET （金属 o化物）	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					75 v	22a（TC）	4.5V，10V	46mohm @ 10a，10v	2.8V @ 1mA	21.4 NC @ 10 V	±16V	1280 pf @ 25 V	-	60W（TC）
MRF8HP21130HR3	-	RFQ	8179	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8	2.17GHz	ldmos	NI-780-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310682128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	360 MA	28W	14dB											-	28 V
AFM907NT1	3.1800	RFQ	499	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30 V		表面安装	16-vdfn暴露垫	AFM907	136MHz〜941MHz	ldmos	16-DFN （4x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000			10µA	100 ma	8.4W	-											-	10.8 v
AFT18S260W31GSR3	-	RFQ	9485	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780GS-2L2LA	AFT18	1.88GHz	ldmos	NI-780GS-2L2LA	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935312554128	Ear99	8541.29.0075	250			-	1.8 a	50W	19.6dB											-	28 V
PMN40UPE，115	-	RFQ	2936	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457			MOSFET （金属 o化物）	6-TSOP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	4.7a（ta）	1.8V，4.5V	43mohm @ 3A，4.5V	950mv @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±8V	1820 PF @ 10 V	-	500MW（TA），8.33W（tc）
PIMN31,115	-	RFQ	2569	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PIMN3				下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²