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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BCV63B，215	0.0800	RFQ	14	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCV63					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
MRF6S27085HSR5	-	RFQ	7051	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-780	MRF6	2.66GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	900 MA	20W	15.5db											-			28 V
PDTA143EM，315	0.0300	RFQ	189	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA14					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
MRF7P20040HSR5	-	RFQ	8023	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF7	2.03GHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	150 ma	10W	18.2db											-			32 v
PDTC115TMB315	0.0200	RFQ	129	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.21.0075	1
PH1825AL，115	-	RFQ	6437	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH18		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934063226115	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					25 v	100A（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	31 NC @ 4.5 V	±20V	4300 PF @ 12 V	-	104W（TC）
PBSS5240x115	0.0500	RFQ	56	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1,000
PDTC144TM315	1.0000	RFQ	9629	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载						0000.00.0000	1
PDTA143TM，315	0.0300	RFQ	159	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA14					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
PDTC114ET/YA215	0.0200	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PBSS303PX，115	-	RFQ	6145	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000
BFU710F，115	0.6100	RFQ	9	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F	BFU710			136MW	4-DFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-												2.8V	10mA							NPN		200 @ 1mA，2V	43GHz	0.85db〜1.45dB @ 5.8GHz〜12GHz
MRF8S21100HSR3	-	RFQ	6554	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0095	250			-	700 MA	24W	18.3db											-			28 V
BUK9635-55,118	-	RFQ	8948	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	34A（TC）	5V	35mohm @ 17a，5v	2V @ 1mA		±10V	1400 pf @ 25 V	-	85W（TC）
2N7002BK，215	-	RFQ	4606	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载					Ear99	8541.21.0095	1		n通道					60 V	350mA（ta）	10V	1.6ohm @ 500mA，10v	2.1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	50 pf @ 10 V	-	370MW（TA）
PMK30EP518	-	RFQ	2981	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	14.9a（TC）	10V	19mohm @ 9.2a，10v	3V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2240 pf @ 25 V	-	6.9W（TC）
MRF372R3	-	RFQ	7726	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-860C3	MRF37	857MHz〜863MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250			17a	800 MA	180W	17dB											-			32 v
BLD6G21L-50,112	92.1400	RFQ	10	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-1130A		2.02GHz	ldmos		CDFM4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20	双重，共同来源		10.2a	170 MA	8W	14.5db											-			28 V
PUMT1,115	0.0300	RFQ	270	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PUMT1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
PMDPB42UN，115	-	RFQ	6612	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫	PMDPB		MOSFET （金属 o化物）	510MW	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	3.9a		50mohm @ 3.9a，4.5V	1V @ 250µA	3.5nc @ 4.5V		185pf @ 10V	逻辑级别门
BUK7K89-100EX	1.0000	RFQ	3505	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-12205，8-LFPAK56	BUK7K89		MOSFET （金属 o化物）	38W	LFPAK56D	下载					Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						100V	13a		82.5MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	13.6nc @ 10V		811pf @ 25V	-
BUK762R7-30B118	0.8500	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.29.0095	1
2PB709AQ，115	-	RFQ	2353	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2pb70			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		45 v	100 ma					10NA（ICBO）		PNP	500mv @ 10mA，100mA	160 @ 2mA，10v	60MHz
A5G35H110NT4	34.6764	RFQ	5350	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	6-dlfn暴露垫		3.3GHz〜3.7GHz	-		6-PDFN （7x6.5）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	2,500	-		-	70 MA	15.1W	15.3db											-			48 v
MRF7S16150HR5	-	RFQ	9958	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	1.6GHz〜1.66GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.5 a	32W	19.7db											-			28 V
MRF8HP21080HR5	-	RFQ	2411	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	150 ma	16W	14.4db											-			28 V
BLF6G10LS-135R，112	87.9100	RFQ	24	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B		871.5MHz〜891.5MHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	20			32a	950 MA	26.5W	21dB											-			28 V
PBSS5330X，135	1.0000	RFQ	9808	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1.6 w	SOT-89	下载					Ear99	8541.29.0075	1																		30 V	3 a					100NA（ICBO）		PNP	320mv @ 300mA，3a	175 @ 1A，2V	100MHz
BUK7880-55A，115	-	RFQ	8947	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Buk78		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	7A（TC）	10V	80Mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	12 nc @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	8W（TC）
J113,126	-	RFQ	3096	NXP USA Inc.	-	（CT）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J113			400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					40 V							6pf @ 10V（vgs）							40 V	2 ma @ 15 V	500 mV @ 1 µA		100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²