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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PDTA124EM，315	0.0300	RFQ	130	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA124					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	10,000
BUK7Y20-30B115	1.0000	RFQ	7818	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					0000.00.0000	1
BUK7Y65-100EX	-	RFQ	6099	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	BUK7Y65		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载				Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	19a（tc）	10V	65mohm @ 5A，10V	4V @ 1mA	17.8 NC @ 10 V	±20V	1023 PF @ 25 V	-	64W（TC）
PBSS5130PAP，115	-	RFQ	8857	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PBSS5130			510MW	6-Huson（2x2）	下载				Ear99	8541.29.0075	1																		30V	1a		100NA（ICBO）	2 PNP （双）	280mv @ 50mA，1a	170 @ 500mA，2V	125MHz
PEMB11,115	-	RFQ	3258	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMB1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	4,000
2PD1820AS，115	0.0300	RFQ	16	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载				Ear99	8541.21.0075	10,724																		50 V	500 MA		10NA（ICBO）	NPN	600mv @ 30mA，300mA	170 @ 150mA，10v	150MHz
BUK7606-55B，118	-	RFQ	1447	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	254W（TC）
PMMT591A，215	-	RFQ	7320	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMMT5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
BF550,215	-	RFQ	6379	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BF550					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000
MRF24301HR5178	1.0000	RFQ	9953	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					0000.00.0000	1
PBSS4230PANP，115	0.1600	RFQ	21	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PBSS4230			510MW	6-Huson（2x2）	下载				Ear99	8541.29.0075	1,868																		30V	2a		100NA（ICBO）	NPN，PNP	290mv @ 200mA，2a	200 @ 1A，2V	120MHz
PMP5501V，115	-	RFQ	6787	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMP5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	4,000
BCX51-10115	1.0000	RFQ	3209	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					0000.00.0000	1
MW7IC2020NT1528	-	RFQ	1347	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					MW7IC					下载					0000.00.0000	1
AFT18HW355SR5,178	1.0000	RFQ	2872	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					0000.00.0000	1
PSMN1R2-30YLC，115	-	RFQ	4700	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500
BUK7Y7R2-60EX	-	RFQ	2919	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					0000.00.0000	1		n通道					60 V	-	10V	-	-		±20V		-	167W（TC）
PSMN028-100YS，115	-	RFQ	5277	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN0					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500
PH2625L，115	0.3000	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PH26					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500
PHK12NQ03LT，518	-	RFQ	3662	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PHK12					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500
BUK7575-100A，127	0.3300	RFQ	10	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	23a（23A）		75MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA		±20V	1210 pf @ 25 V	-	99w（ta）
BUK9506-40B，127	0.5200	RFQ	6	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk95					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK7520-100A，127	-	RFQ	1638年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	296		n通道					100 v	63A（TC）	10V	20mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	4373 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BUK754R0-55B，127	0.7700	RFQ	959	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	75A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	86 NC @ 10 V	±20V	6776 PF @ 25 V	-	300W（TC）
MRF6V2300NR5578	-	RFQ	2038	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					MRF6V2300		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1															-
MRF8S18120HSR3,128	-	RFQ	2731	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					MRF8S18120		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1															-
PHP45NQ11T，127	0.4100	RFQ	11	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					PHP45					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000
MRFE6VP5150GNR1,528	35.4100	RFQ	475	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	133 v		表面安装	TO-270BB		1.8MHz〜600MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1	双重的		5µA	100 ma	150W	26.1db											-			50 V
BUK7508-55A，127	-	RFQ	6763	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					55 v	75a（ta）		8mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	76 NC @ 0 V	±20V	4352 PF @ 25 V	-	254W（TA）
AFT26HW050GSR3-NXP	115.4500	RFQ	250	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0040	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²