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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 电压 -故障( v br(br)GSS) 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID 当前 -收集器截止(最大) 电阻-RDS((在) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
PEMB18,115 NXP USA Inc. PEMB18,115 -
RFQ
ECAD 8907 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PEMB1 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000
MRF6S21140HR5 NXP USA Inc. MRF6S21140HR5 -
RFQ
ECAD 6775 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 SOT-957A MRF6 2.12GHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.2 a 30W 15.5db - 28 V
BLT80,115 NXP USA Inc. BLT80,115 -
RFQ
ECAD 5252 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BLT8 2W SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 - 10V 250mA NPN 25 @ 150mA,5V 900MHz -
BC817-25/DG/B4215 NXP USA Inc. BC817-25/DG/B4215 -
RFQ
ECAD 1873年 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BC817 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
BC857C/DG/B4235 NXP USA Inc. BC857C/DG/B4235 0.0800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BC857 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 10,000
BFU550WF NXP USA Inc. BFU550WF 0.6000
RFQ
ECAD 27 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BFU550 450MW SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 12DB 12V 50mA NPN 60 @ 15mA,8v 11GHz 1.3db @ 1.8GHz
AFT09MS031NR1528 NXP USA Inc. AFT09MS031NR1528 1.0000
RFQ
ECAD 9562 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.29.0075 1
PSMN7R0-30YL115/BKN NXP USA Inc. PSMN7R0-30YL115/BKN 1.0000
RFQ
ECAD 1171 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1
MX0912B351Y,114 NXP USA Inc. MX0912B351Y,114 266.6200
RFQ
ECAD 121 0.00000000 NXP USA Inc. * 托盘 积极的 MX09 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 32
BUK9C2R2-60EJ NXP USA Inc. BUK9C2R2-60EJ -
RFQ
ECAD 5339 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) buk9c2 MOSFET (金属 o化物) D2PAK-7 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067485118 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V - - - - -
MRF7S19210HR3 NXP USA Inc. MRF7S19210HR3 -
RFQ
ECAD 7430 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF7 1.99GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.4 a 63W 20dB - 28 V
2PC4081S/ZLX NXP USA Inc. 2PC4081S/ZLX -
RFQ
ECAD 4835 0.00000000 NXP USA Inc. * 胶带和卷轴((tr) 过时的 2PC40 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
PHE13009/DG,127 NXP USA Inc. PHE13009/DG,127 0.3200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 80 W TO-220AB 下载 Ear99 8541.29.0095 902 400 v 12 a 100µA NPN 2V @ 1.6a,8a 8 @ 5a,5v -
PMBFJ310,215 NXP USA Inc. PMBFJ310,215 -
RFQ
ECAD 6267 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PMBFJ3 250兆 SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 25 v 5pf @ 10V 25 v 24 mA @ 10 V 2 V @ 1 µA 50欧姆
MPSA14,116 NXP USA Inc. MPSA14,116 -
RFQ
ECAD 3533 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) MPSA14 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 MA 100NA(ICBO) npn-达灵顿 1.5V @ 100µA,100mA 20000 @ 100mA,5V 125MHz
MRF7S38010HSR5 NXP USA Inc. MRF7S38010HSR5 -
RFQ
ECAD 9298 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 表面安装 NI-400S-2S MRF7 3.4GHz〜3.6GHz ldmos NI-400S-2S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 160 MA 2W 15DB - 30 V
MRF5S21100HR5 NXP USA Inc. MRF5S21100H5 -
RFQ
ECAD 5844 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF5 2.16GHz〜2.17GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 50 - 1.05 a 23W 13.5dB - 28 V
BLF6G10LS-135R,112 NXP USA Inc. BLF6G10LS-135R,112 87.9100
RFQ
ECAD 24 0.00000000 NXP USA Inc. - 托盘 过时的 65 v 底盘安装 SOT-502B 871.5MHz〜891.5MHz ldmos SOT502B 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0075 20 32a 950 MA 26.5W 21dB - 28 V
PDTA143TM,315 NXP USA Inc. PDTA143TM,315 0.0300
RFQ
ECAD 159 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA14 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000
PDTA113ZE,115 NXP USA Inc. PDTA113ZE,115 -
RFQ
ECAD 4813 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTA113 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 35 @ 5mA,5v 1 kohms 10 kohms
PSMN9R0-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN9R0-25YLC,115 -
RFQ
ECAD 1348 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PSMN9 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 25 v 46A(TC) 4.5V,10V 9.1mohm @ 15a,10v 1.95V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±20V 694 pf @ 12 V - 34W(TC)
MRF6S19200HR3 NXP USA Inc. MRF6S19200HR3 -
RFQ
ECAD 9104 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 66 v 底盘安装 SOT-957A MRF6 1.93GHZ〜1.99GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.6 a 56W 17.9db - 28 V
MRF8S21100HSR3 NXP USA Inc. MRF8S21100HSR3 -
RFQ
ECAD 6554 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF8 2.17GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 5A991G 8541.29.0095 250 - 700 MA 24W 18.3db - 28 V
BUK9635-55,118 NXP USA Inc. BUK9635-55,118 -
RFQ
ECAD 8948 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Buk96 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 34A(TC) 5V 35mohm @ 17a,5v 2V @ 1mA ±10V 1400 pf @ 25 V - 85W(TC)
J113,126 NXP USA Inc. J113,126 -
RFQ
ECAD 3096 0.00000000 NXP USA Inc. - (CT) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) J113 400兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 40 V 6pf @ 10V(vgs) 40 V 2 ma @ 15 V 500 mV @ 1 µA 100欧姆
2N7002BK,215 NXP USA Inc. 2N7002BK,215 -
RFQ
ECAD 4606 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2N7002 MOSFET (金属 o化物) SOT-23 下载 Ear99 8541.21.0095 1 n通道 60 V 350mA(ta) 10V 1.6ohm @ 500mA,10v 2.1V @ 250µA 0.6 NC @ 4.5 V ±20V 50 pf @ 10 V - 370MW(TA)
BUK7Y113-100E115 NXP USA Inc. BUK7Y113-100E115 1.0000
RFQ
ECAD 4437 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 0000.00.0000 1
MRF372R3 NXP USA Inc. MRF372R3 -
RFQ
ECAD 7726 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 NI-860C3 MRF37 857MHz〜863MHz ldmos NI-860C3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 250 17a 800 MA 180W 17dB - 32 v
BLD6G21L-50,112 NXP USA Inc. BLD6G21L-50,112 92.1400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. - 托盘 过时的 65 v 底盘安装 SOT-1130A 2.02GHz ldmos CDFM4 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0075 20 双重,共同来源 10.2a 170 MA 8W 14.5db - 28 V
PMK30EP518 NXP USA Inc. PMK30EP518 -
RFQ
ECAD 2981 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-so 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 14.9a(TC) 10V 19mohm @ 9.2a,10v 3V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 2240 pf @ 25 V - 6.9W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库