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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) | 噪声图( db typ @ f) |
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![]() | PEMB18,115 | - | ![]() | 8907 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PEMB1 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF6S21140HR5 | - | ![]() | 6775 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | SOT-957A | MRF6 | 2.12GHz | ldmos | NI-880H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.2 a | 30W | 15.5db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLT80,115 | - | ![]() | 5252 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | BLT8 | 2W | SC-73 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | - | 10V | 250mA | NPN | 25 @ 150mA,5V | 900MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC817-25/DG/B4215 | - | ![]() | 1873年 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BC817 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857C/DG/B4235 | 0.0800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BC857 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU550WF | 0.6000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BFU550 | 450MW | SC-70 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 12DB | 12V | 50mA | NPN | 60 @ 15mA,8v | 11GHz | 1.3db @ 1.8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT09MS031NR1528 | 1.0000 | ![]() | 9562 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN7R0-30YL115/BKN | 1.0000 | ![]() | 1171 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX0912B351Y,114 | 266.6200 | ![]() | 121 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 托盘 | 积极的 | MX09 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9C2R2-60EJ | - | ![]() | 5339 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | buk9c2 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK-7 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 934067485118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 60 V | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S19210HR3 | - | ![]() | 7430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | MRF7 | 1.99GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.4 a | 63W | 20dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2PC4081S/ZLX | - | ![]() | 4835 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 2PC40 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHE13009/DG,127 | 0.3200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 80 W | TO-220AB | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 902 | 400 v | 12 a | 100µA | NPN | 2V @ 1.6a,8a | 8 @ 5a,5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBFJ310,215 | - | ![]() | 6267 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | PMBFJ3 | 250兆 | SOT-23(TO-236AB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 5pf @ 10V | 25 v | 24 mA @ 10 V | 2 V @ 1 µA | 50欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA14,116 | - | ![]() | 3533 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | MPSA14 | 500兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 500 MA | 100NA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 20000 @ 100mA,5V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S38010HSR5 | - | ![]() | 9298 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 表面安装 | NI-400S-2S | MRF7 | 3.4GHz〜3.6GHz | ldmos | NI-400S-2S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 160 MA | 2W | 15DB | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
MRF5S21100H5 | - | ![]() | 5844 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-957A | MRF5 | 2.16GHz〜2.17GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | - | 1.05 a | 23W | 13.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G10LS-135R,112 | 87.9100 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 托盘 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-502B | 871.5MHz〜891.5MHz | ldmos | SOT502B | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 32a | 950 MA | 26.5W | 21dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143TM,315 | 0.0300 | ![]() | 159 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | PDTA14 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA113ZE,115 | - | ![]() | 4813 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | PDTA113 | 150兆 | SC-75 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 1µA | pnp-预先偏见 | 150MV @ 500µA,10mA | 35 @ 5mA,5v | 1 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
PSMN9R0-25YLC,115 | - | ![]() | 1348 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | PSMN9 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK56,Power-SO8 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n通道 | 25 v | 46A(TC) | 4.5V,10V | 9.1mohm @ 15a,10v | 1.95V @ 1mA | 12 nc @ 10 V | ±20V | 694 pf @ 12 V | - | 34W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
MRF6S19200HR3 | - | ![]() | 9104 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 66 v | 底盘安装 | SOT-957A | MRF6 | 1.93GHZ〜1.99GHz | ldmos | NI-780H-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.6 a | 56W | 17.9db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
MRF8S21100HSR3 | - | ![]() | 6554 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | NI-780 | MRF8 | 2.17GHz | ldmos | NI-780 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 5A991G | 8541.29.0095 | 250 | - | 700 MA | 24W | 18.3db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9635-55,118 | - | ![]() | 8948 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Buk96 | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 55 v | 34A(TC) | 5V | 35mohm @ 17a,5v | 2V @ 1mA | ±10V | 1400 pf @ 25 V | - | 85W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | J113,126 | - | ![]() | 3096 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | (CT) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | J113 | 400兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n通道 | 40 V | 6pf @ 10V(vgs) | 40 V | 2 ma @ 15 V | 500 mV @ 1 µA | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002BK,215 | - | ![]() | 4606 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | n通道 | 60 V | 350mA(ta) | 10V | 1.6ohm @ 500mA,10v | 2.1V @ 250µA | 0.6 NC @ 4.5 V | ±20V | 50 pf @ 10 V | - | 370MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7Y113-100E115 | 1.0000 | ![]() | 4437 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF372R3 | - | ![]() | 7726 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 68 v | 底盘安装 | NI-860C3 | MRF37 | 857MHz〜863MHz | ldmos | NI-860C3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 250 | 17a | 800 MA | 180W | 17dB | - | 32 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
BLD6G21L-50,112 | 92.1400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 托盘 | 过时的 | 65 v | 底盘安装 | SOT-1130A | 2.02GHz | ldmos | CDFM4 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 双重,共同来源 | 10.2a | 170 MA | 8W | 14.5db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMK30EP518 | - | ![]() | 2981 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos™ | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-so | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 14.9a(TC) | 10V | 19mohm @ 9.2a,10v | 3V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 2240 pf @ 25 V | - | 6.9W(TC) |
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