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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PMN30UN115	-	RFQ	7786	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000
PMV20EN215	-	RFQ	9520	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000
PMT200EPEA115	1.0000	RFQ	2407	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1,000
BUK6E4R0-75C，127	-	RFQ	7591	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					buk6					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000
BLF6G15L-40BRN，112	58.2600	RFQ	82	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v			SOT-1112A	BLF6G15	1.47GHz〜1.51GHz	ldmos		CDFM6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	双重，共同来源		11a	330 MA	2.5W	22DB											-			28 V
PBSS4021SP	-	RFQ	5446	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1
MRF6V2300NBR5,578	-	RFQ	9389	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					MRF6V2300		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1															-
BLA6H1011-600	634.9400	RFQ	17	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BLA6H1011		-			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1															-
BUK7510-100B，127	0.8200	RFQ	779	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BUK7510		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道					100 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±20V	6773 PF @ 25 V	-	300W（TC）
PSMN1R4-40YLD，115	-	RFQ	3385	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1,500		n通道					40 V	100A（TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 25a，10v			±20V			238W（TC）
BLF6G15L-250PBRN，1	-	RFQ	6000	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	65 v			SOT-1110A	BLF6G15	1.47GHz〜1.51GHz	ldmos		最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	2			64a	1.41 a	60W	18.5db											-			28 V
MHT1000HR5178	150.2600	RFQ	49	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					MHT1000		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1															-
2PA1576R，115	-	RFQ	5248	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					2PA15					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
PEMB3,115	-	RFQ	4481	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMB3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	4,000
PUMH4,115	-	RFQ	7074	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PUMH4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
PSMN4R5-30YLC，115	-	RFQ	9887	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,500
BC51-10PA，115	0.0600	RFQ	77	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn				420兆W	3-Huson（2x2）	下载				Ear99	8541.29.0075	1																		45 v	1 a		100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
PDTC124XMB315	-	RFQ	6993	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					0000.00.0000	1
BUK762R9-40E118	-	RFQ	7307	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载				Ear99	8541.29.0095	1
BCP54-16,135	0.0600	RFQ	3270	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				960兆	SOT-223	下载				Ear99	8541.29.0075	3200																		45 v	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	180MHz
BSH114,215	-	RFQ	1264	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BSH1					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
BCV27,215	0.0400	RFQ	160	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCV27					-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000
BC856B，235	0.0200	RFQ	26	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856			250兆	SOT-23	下载				Ear99	8541.21.0075	1																		65 v	100 ma		15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PDTC143XMB315	0.0300	RFQ	159	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载				Ear99	8541.21.0075	1
PBSS2515MB，315	1.0000	RFQ	3685	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883				250兆	DFN1006B-3	下载					0000.00.0000	1																		15 v	500 MA		100NA（ICBO）	NPN	25mv @ 500µA，10mA	200 @ 10mA，2V	420MHz
PBSS4021SN，115	0.4200	RFQ	3	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000
BUK761R6-40E，118	-	RFQ	6331	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载				Ear99	8541.29.0095	64		n通道					40 V	120A（TC）	10V	1.6mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	145 NC @ 10 V	±20V	11340 pf @ 25 V	-	349W（TC）
PDTC144WM315	1.0000	RFQ	7506	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载				Ear99	8541.21.0095	1
PDTA123TU，115	0.0200	RFQ	24	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA12					下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000
PMDPB70XP，115	1.0000	RFQ	1741年	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PMDPB70		MOSFET （金属 o化物）	490MW	6-Huson（2x2）	下载				Ear99	8541.29.0095	1	2（p 通道（双）						30V	2.9a		87MOHM @ 2.9a，4.5V	1V @ 250µA	7.8NC @ 5V		680pf @ 15V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²