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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PDTA114TT，215	-	RFQ	6368	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA11					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRF8P20140WHR3	-	RFQ	2326	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8P20140	1.88GHz〜1.91GHz	ldmos		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310716128	5A991G	8541.29.0075	250	双重的		-	500 MA	24W	16dB											-			28 V
PMGD290UCEA/DG/B2115	1.0000	RFQ	7877	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
PBSS5230QA147	-	RFQ	7261	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
BSV52,215	-	RFQ	8639	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BSV5					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BF545A，215	-	RFQ	5567	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	30 V		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF545	-	JFET		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		6.5mA		-	-											-
BC807-40/6215	-	RFQ	6901	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BC847AW	-	RFQ	4678	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载						0000.00.0000	1																		45 v	100 ma		15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
MRF6S19060MBR1	-	RFQ	7325	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-272-4	MRF6	1.93GHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	610 MA	12W	16dB											-			28 V
NMBT3904215	0.0200	RFQ	2	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BUK653R5-55C，127	-	RFQ	9522	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	120A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	191 NC @ 10 V	±16V	11516 PF @ 25 V	-	263W（TC）
PDTD114EQA147	0.0300	RFQ	40	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
MHT2025GNR1	-	RFQ	6389	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					MHT2025					-	rohs3符合条件		到达不受影响	935341633528	过时的	0000.00.0000	500
BUK9618-55A，118	-	RFQ	6336	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	61A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	34 NC @ 5 V	±15V	2210 PF @ 25 V	-	136W（TC）
PBSS5350X，115	-	RFQ	7825	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
MRF19085LR3	-	RFQ	2458	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF19	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	250			-	850 MA	18W	13DB											-			26 V
BUK9637-100E，118	0.5600	RFQ	5896	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1		n通道					100 v	31a（TC）	5V，10V	36mohm @ 10a，10v	2.1V @ 1mA	22.8 NC @ 5 V	±10V	2681 PF @ 25 V	-	96W（TC）
BF909A215	0.1800	RFQ	2342	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的	7 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA		800MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1,474	n通道双门		40mA		-	-											2DB
PMBT2222A/DG，215	1.0000	RFQ	7072	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBT2222					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
Ph9030al，115	-	RFQ	2505	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	SC-100，SOT-669	PH90		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	61A（TC）		8mohm @ 15a，10v	2.15V @ 1mA	17.8 NC @ 10 V		1006 pf @ 12 V	-	-
MRF5S9101NR1	-	RFQ	1383	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	TO-270AB	MRF5	960MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	700 MA	100W	17.5db											-			26 V
AFT18S290-13SR3	-	RFQ	2043	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-880XS-2L4	AFT18	1.96GHz	ldmos		NI-880XS-2L4	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935317893128	5A991G	8541.29.0040	250			-	2 a	63W	18.2db											-			28 V
BS108/01,126	-	RFQ	4910	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BS10		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					200 v	300mA（TA）	2.8V	5ohm @ 100mA，2.8V	1.8V @ 1mA		±20V	120 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BUK7524-55A，127	-	RFQ	4840	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	47A（TC）	10V	24mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	1310 PF @ 25 V	-	106W（TC）
BCW72,215	-	RFQ	1959年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCW72					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
MRF8S18260HSR6	-	RFQ	6240	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-111110B	MRF8	1.81GHz	ldmos		NI1230S-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935319642128	5A991G	8541.29.0075	150	双重的		-	1.6 a	74W	17.9db											-			30 V
AFT09S200W02GNR3	-	RFQ	8295	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		底盘安装	OM-780-2G	AFT09	960MHz	ldmos		OM-780-2鸥	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935320369528	Ear99	8541.29.0075	250			-	1.4 a	56W	19.2db											-			28 V
AFM912NT1	2.9754	RFQ	9766	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30 V		表面安装	16-vdfn暴露垫		136MHz〜941MHz	ldmos		16-DFN （4x6）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	568-AFM912NT1TR	Ear99	8541.29.0095	1,000	-		10µA		-	13.3db											-
PDTB113EU135	0.0400	RFQ	59	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000
MRF8S21120HSR3	-	RFQ	1489	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314227128	Ear99	8541.29.0075	250			-	850 MA	28W	17.6dB											-			28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²