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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BFU520XRR	0.4700	RFQ	2	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-143R	BFU520			450MW	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						20dB												12V	30mA			NPN		60 @ 5mA，8v	10.5GHz			0.65dB @ 900MHz
PMT200en，115	-	RFQ	1743年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PMT2		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	1.8A（ta）	4.5V，10V	235mohm @ 1.5A，10V	2.5V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	475 PF @ 80 V	-	800MW（ta），8.3W（tc）
AFT09S282NR3	-	RFQ	1818年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	OM-780-2	AFT09	960MHz	ldmos		OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0095	250			-	1.4 a	80W	20dB											-			28 V
MRF6S9060MBR1	-	RFQ	1009	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-272-2	MRF6	880MHz	ldmos		TO-272-2	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	450 MA	14W	21.4db											-			28 V
PSMN013-100XS，127	-	RFQ	9994	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	35.2a（TC）	10V	13.9mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	57.5 NC @ 10 V	±20V	3195 PF @ 50 V	-	48.4W（TC）
PBSS4021PZ，115	0.2200	RFQ	17	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000
MMRF1312HR5	652.3000	RFQ	38	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	112 v		底盘安装	SOT-979A	MMRF1312	1.03GHz	ldmos		NI-1230-4H	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	双重的		-	100 ma	1000W	19.6dB											-			50 V
MRF8P20160HR5	-	RFQ	9405	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780-4	MRF8	1.92GHz	ldmos		NI-780-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	550 MA	37W	16.5db											-			28 V
BUK9880-55A，115	-	RFQ	8639	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Buk98		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	7A（TC）	4.5V，10V	73mohm @ 8a，10v	2V @ 1mA	11 NC @ 5 V	±15V	584 pf @ 25 V	-	8W（TC）
BCM847DS，115	-	RFQ	8047	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCM84					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
MRFE6VP8600HR5	298.1700	RFQ	28	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	130 v		底盘安装	NI-1230	MRFE6	860MHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50	双重的		-	1.4 a	125W	19.3db											-			50 V
AFT09MS031GNR1	19.3600	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V		表面安装	TO-270BA	AFT09	870MHz	ldmos		TO-270-2鸥	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			-	500 MA	31W	17.2db											-			13.6 v
PBSS5160QA147	-	RFQ	6287	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	5,000
MRF6S21140HR3	-	RFQ	2630	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	2.12GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.2 a	30W	15.5db											-			28 V
BFU550XVL	0.1553	RFQ	8873	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFU550			450MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067708235	Ear99	8541.21.0075	10,000						15.5db												12V	50mA			NPN		60 @ 15mA，8v	11GHz			1.3db @ 1.8GHz
PDTD123TT，215	-	RFQ	7705	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTD12					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BUK962R6-40E，118	1.2200	RFQ	640	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	246		n通道					40 V	100A（TC）	5V，10V	2.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 250µA	80.6 NC @ 32 V	±10V	10285 PF @ 25 V	-	263W（TC）
BC846BW/DG/B2135	0.0200	RFQ	480	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	10,000																		65 v	100 ma		15NA（icbo）	NPN	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
MRF7S18125BHR3	-	RFQ	6660	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	1.93GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	1.1 a	125W	16.5db											-			28 V
BF550/DG/B2215	1.0000	RFQ	9997	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
MRF5S9070MR1	-	RFQ	4494	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-270-2	MRF5	880MHz	ldmos		TO-270-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	600 MA	14W	17.8db											-			26 V
PHK28NQ03LT，518	-	RFQ	7273	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	PHK28		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	23.7A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 14A，10V	2V @ 1mA	30.3 NC @ 4.5 V	±20V	2800 PF @ 20 V	-	6.25W（TC）
PDTA144EK，135	-	RFQ	2475	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA144			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																		50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V		47科姆斯	47科姆斯
MRF8P8300HSR5	-	RFQ	5713	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	70 v		底盘安装	NI-1230S	MRF8	820MHz	ldmos		NI-1230S	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	2 a	96W	20.9db											-			28 V
MRF8P18265HSR6	-	RFQ	3103	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-111110B	MRF8	1.88GHz	ldmos		NI1230S-8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	935323031128	Ear99	8541.29.0075	150	双重的		-	800 MA	72W	16dB											-			30 V
BFU520R	0.4900	RFQ	93	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFU520			450MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						20dB												12V	30mA			NPN		60 @ 5mA，8v	10.5GHz			0.65dB @ 900MHz
PHU108NQ03LT，127	-	RFQ	2664	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	PHU10		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	6mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	16.3 NC @ 4.5 V	±20V	1375 PF @ 12 V	-	187W（TC）
MRF7S27130HSR5	-	RFQ	1156	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF7	2.7GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.5 a	23W	16.5db											-			28 V
PHD82NQ03LT，118	-	RFQ	5515	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD82		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	75A（TC）	5V，10V	8mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	16.7 NC @ 5 V	±20V	1620 PF @ 25 V	-	136W（TC）
MRF1535NT1	-	RFQ	3368	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		底盘安装	TO-272AA	MRF15	520MHz	ldmos		TO-272-6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			6a	500 MA	35W	13.5dB											-			12.5 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²