RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
PBSS5630PA，115	-	RFQ	9051	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PDTA144VT，215	-	RFQ	4808	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA14					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PBSS5240Y，115	0.0700	RFQ	37	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
BLF2425M8LS140112	-	RFQ	8265	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	65 v					2.45GHz	ldmos			-						0000.00.0000	1			-	1.3 a	140W	19db											-			28 V
PSMN2R2-40PS127	-	RFQ	2911	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN2R2		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1															-
BFU520Y115	-	RFQ	2909	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PVR100AD-B5V0,115	-	RFQ	5806	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PVR10			300兆	SC-74	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		45 v	100 ma		100NA（ICBO）	NPN + Zener	-	160 @ 100mA，1V	-
PBSS4130PANP，115	-	RFQ	5124	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	PBSS4130			510MW	6-Huson（2x2）	下载					Ear99	8541.29.0075	250																		30V	1a		100NA（ICBO）	NPN，PNP	100mV @ 50mA，500mA	210 @ 500mA，2V	165MHz
BUK9E1R6-30E，127	-	RFQ	4035	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	120A（TC）	5V，10V	1.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	113 NC @ 5 V	±10V	16150 pf @ 25 V	-	349W（TC）
PBLS4002D，115	-	RFQ	6469	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBLS40					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PMV117en，215	-	RFQ	1212	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV1		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	2.5A（TC）	4.5V，10V	117MOHM @ 500mA，10V	2V @ 1mA	4.6 NC @ 10 V	±20V	147 pf @ 10 V	-	830MW（TC）
PBSS5240Z115	1.0000	RFQ	3261	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1,000
PDTA123EM，315	0.0300	RFQ	129	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA12					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
BCM857B，135	-	RFQ	8140	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BCM857			300MW	SOT-363	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		45V	100mA		15NA（icbo）	2（PNP （双）	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	175MHz
MRF19125R3	-	RFQ	2743	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-880	MRF19	1.93GHz	ldmos		NI-880	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250			-	1.3 a	24W	13.5dB											-			26 V
MRF6VP3450HR5	199.1900	RFQ	5	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	NI-1230	MRF6	860MHz	ldmos		NI-1230	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50	双重的		-	1.4 a	90W	22.5dB											-			50 V
AFT05MS031NR1	13.7900	RFQ	76	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V		表面安装	TO-270AA	AFT05	520MHz	ldmos		TO-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			-	10 MA	31W	17.7dB											-			13.6 v
BLF10M6200112	87.8100	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
BC847BW/DG，115	0.0200	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000
PSMN005-25D，118	-	RFQ	9756	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	75A（TC）	5V，10V	5.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	60 NC @ 5 V	±15V	3500 PF @ 20 V	-	125W（TC）
PMPB33XP，115	0.0900	RFQ	31	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-xfdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN1010B-6	下载					Ear99	8541.29.0095	3,206		P通道					20 v	5.5A（ta）	1.8V，4.5V	37MOHM @ 5.5A，4.5V	900mv @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±12V	1575 PF @ 10 V	-	1.7W（TA），12.5W（tc）
BCP53,115	-	RFQ	5312	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCP53					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000
PBSS302NX，115	-	RFQ	7948	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000
PDTC123JMB315	0.0300	RFQ	166	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTC123					下载					Ear99	8541.21.0075	1
PHP129NQ04LT，127	-	RFQ	5297	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP12		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	44.2 NC @ 5 V	±15V	3965 PF @ 25 V	-	200W（TC）
MRF24G300HS-2UP	900.0000	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	125 v		表面安装	NI-780S-4L		2.4GHz〜2.5GHz	甘		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	568-MRF24G300HS-2UP	Ear99	8543.70.9860	1			-		336W	15.3db											-			48 v
AFT09H310-04GSR6	-	RFQ	8114	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		底盘安装	NI-1230S-4 GW	AFT09	920MHz	MOSFET		NI-1230S-4	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	150	n通道		-	680 MA	56W	17.9db											-			28 V
MRF6VP3091NBR5	-	RFQ	2697	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	115 v		底盘安装	TO-272BB	MRF6	860MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935319809578	Ear99	8541.29.0095	50	双重的		-	350 MA	18W	22DB											-			50 V
BUK652R6-40C，127	-	RFQ	2814	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk65		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	120A（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	199 NC @ 10 V	±16V	11334 PF @ 25 V	-	263W（TC）
BFU530XRR	0.4000	RFQ	412	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-143R	BFU530			450MW	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						21dB												12V	40mA			NPN		60 @ 10mA，8v	11GHz	0.65dB @ 900MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²