SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
BC807-40/6215 NXP USA Inc. BC807-40/6215 -
RFQ
ECAD 6901 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
BC847AW NXP USA Inc. BC847AW -
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 200兆 SOT-323 下载 0000.00.0000 1 45 v 100 ma 15NA(icbo) NPN 600mv @ 5mA,100mA 110 @ 2mA,5V 100MHz
MRF6S19060MBR1 NXP USA Inc. MRF6S19060MBR1 -
RFQ
ECAD 7325 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v TO-272-4 MRF6 1.93GHz ldmos TO-272 WB-4 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 610 MA 12W 16dB - 28 V
NMBT3904215 NXP USA Inc. NMBT3904215 0.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
MRF5S9070NR1 NXP USA Inc. MRF5S9070NR1 -
RFQ
ECAD 3445 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 表面安装 TO-270AA MRF5 880MHz ldmos TO-270-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 600 MA 14W 17.8db - 26 V
BUK9E6R1-100E,127 NXP USA Inc. BUK9E6R1-100E,127 -
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ECAD 9121 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA buk9 MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 120A(TC) 5V,10V 5.9MOHM @ 25A,10V 2.1V @ 1mA 133 NC @ 5 V ±10V 17460 pf @ 25 V - 349W(TC)
PMZB600UNE315 NXP USA Inc. PMZB600Une315 0.0300
RFQ
ECAD 574 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 10,000
PBSS5140T,215 NXP USA Inc. PBSS5140T,215 -
RFQ
ECAD 5227 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS5 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
PDTA114EMB,315 NXP USA Inc. PDTA114EMB,315 1.0000
RFQ
ECAD 5798 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 3-XFDFN PDTA114 250兆 DFN1006B-3 - 0000.00.0000 1 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 30 @ 5mA,5V 180 MHz 10 kohms 10 kohms
MRF8S21140HSR3 NXP USA Inc. MRF8S21140HSR3 -
RFQ
ECAD 5670 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF8 2.14GHz ldmos NI-780 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 935310254128 Ear99 8541.29.0075 250 - 970 MA 34W 17.9db - 28 V
PSMN4R4-30MLC,115 NXP USA Inc. PSMN4R4-30MLC,115 1.0000
RFQ
ECAD 8810 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-1210,8-LFPAK33(5铅) MOSFET (金属 o化物) LFPAK33 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 70A(TC) 4.5V,10V 4.65MOHM @ 25A,10V 2.15V @ 1mA 23 NC @ 10 V ±20V 1515 PF @ 15 V - 69W(TC)
MMRF1009HSR5 NXP USA Inc. MMRF1009HSR5 594.7988
RFQ
ECAD 5641 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 110 v 底盘安装 NI-780 MMRF1009 1.03GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935315335178 Ear99 8541.29.0075 50 - 200 ma 500W 19.7db - 50 V
BF1108R,235 NXP USA Inc. BF1108R,235 -
RFQ
ECAD 9259 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 3 V 表面安装 SOT-143R BF110 - MOSFET SOT-143R 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934055641235 过时的 0000.00.0000 10,000 n通道 10mA - - -
MRF6S27015NR1 NXP USA Inc. MRF6S27015NR1 -
RFQ
ECAD 7637 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 表面安装 TO-270AA MRF6 2.6GHz ldmos TO-270-2 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 935309659528 Ear99 8541.21.0075 500 - 160 MA 3W 14dB - 28 V
MRFE6S9130HR5 NXP USA Inc. MRFE6S9130HR5 -
RFQ
ECAD 4332 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 66 v 底盘安装 SOT-957A MRFE6 880MHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 950 MA 27W 19.2db - 28 V
PMPB12UN,115 NXP USA Inc. PMPB12UN,115 -
RFQ
ECAD 9143 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 PMPB12 MOSFET (金属 o化物) 6-DFN2020MD(2x2) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 7.9a(ta) 1.8V,4.5V 18mohm @ 7.9a,4.5V 1V @ 250µA 13 NC @ 4.5 V ±8V 886 pf @ 10 V - 1.7W(TA),12.5W(tc)
PMCXB900UE147 NXP USA Inc. PMCXB900UE147 -
RFQ
ECAD 1821年 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 5,000
MRF19045LSR3 NXP USA Inc. MRF19045LSR3 -
RFQ
ECAD 5336 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v Ni-400s MRF19 1.93GHz ldmos NI-400S-240 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8542.31.0001 250 - 550 MA 9.5W 14.5db - 26 V
MRF6VP41KHSR7 NXP USA Inc. MRF6VP41KHSR7 -
RFQ
ECAD 4695 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 110 v 底盘安装 NI-1230S MRF6 450MHz ldmos NI-1230S 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 25 双重的 - 150 ma 1000W 20dB - 50 V
PMST5401,115 NXP USA Inc. PMST5401,115 -
RFQ
ECAD 5336 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 PMST5 200兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 150 v 300 MA 50NA(iCBO) PNP 500mv @ 5mA,50mA 60 @ 10mA,5V 300MHz
PH9930L,115 NXP USA Inc. PH9930L,115 -
RFQ
ECAD 6535 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PH99 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 63A(TC) 4.5V,10V 9.9mohm @ 25a,10v 2.15V @ 1mA 13.3 NC @ 4.5 V ±20V 1565 pf @ 12 V - 62.5W(TC)
MMRF1320GNR1 NXP USA Inc. MMRF1320GNR1 33.0939
RFQ
ECAD 4371 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 133 v 表面安装 TO-270BB MMRF1320 230MHz ldmos TO-270 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935312501528 Ear99 8541.29.0075 500 双重的 - 100 ma 150W 26.1db - 50 V
PMGD130UN,115 NXP USA Inc. PMGD130UN,115 -
RFQ
ECAD 6093 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 PMGD1 MOSFET (金属 o化物) 390MW 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道(双) 20V 1.2a 145MOHM @ 1.2A,4.5V 1V @ 250µA 1.3nc @ 4.5V 83pf @ 10V 逻辑级别门
PHP29N08T,127 NXP USA Inc. PHP29N08T,127 -
RFQ
ECAD 7759 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PHP29 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000
PSMN2R1-40PLQ NXP USA Inc. PSMN2R1-40PLQ 1.3700
RFQ
ECAD 1292 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 Ear99 8541.29.0095 95 n通道 40 V 150a(TC) 10V 2.2MOHM @ 25A,10V 2.1V @ 1mA 87.8 NC @ 5 V ±20V 9584 PF @ 25 V - 293W(TC)
BC52-16PASX NXP USA Inc. BC52-16PASX 0.0600
RFQ
ECAD 5020 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-udfn裸露的垫子 420兆W DFN2020d-3 下载 Ear99 8541.29.0075 1 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 63 @ 150mA,2V 145MHz
PBSS301PD,115 NXP USA Inc. PBSS301PD,115 -
RFQ
ECAD 1640年 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
PDTA124EMB,315 NXP USA Inc. PDTA124EMB,315 0.0300
RFQ
ECAD 109 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 表面安装 SC-101,SOT-883 PDTA124 250兆 DFN1006B-3 下载 Ear99 8541.21.0075 1 50 V 100 ma 100NA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 60 @ 5mA,5v 180 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
BFU550235 NXP USA Inc. BFU550235 0.1700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 10,000
BUJ105A,127 NXP USA Inc. BUJ105A,127 0.3000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 buj1 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库