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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
BF820,215 NXP USA Inc. BF820,215 -
RFQ
ECAD 1747年 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BF820 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
MRF6S21140HSR5 NXP USA Inc. MRF6S21140HSR5 -
RFQ
ECAD 3117 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 表面安装 NI-880S MRF6 2.12GHz ldmos NI-880S 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.2 a 30W 15.5db - 28 V
MRF19085LR5 NXP USA Inc. MRF19085LR5 -
RFQ
ECAD 3474 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF19 1.93GHZ〜1.99GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.31.0001 50 - 850 MA 18W 13DB - 26 V
MRF5S21100HSR3 NXP USA Inc. MRF5S21100HSR3 -
RFQ
ECAD 5820 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v NI-780 MRF5 2.16GHz〜2.17GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 250 - 1.05 a 23W 13.5dB - 28 V
PDTC143XEF,115 NXP USA Inc. PDTC143XEF,115 -
RFQ
ECAD 8858 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-89,SOT-490 PDTC143 250兆 SC-89 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 4,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 100mv @ 500µA,10mA 50 @ 10mA,5V 4.7科姆斯 10 kohms
BLF8G22L-160BV,118 NXP USA Inc. BLF8G22L-160BV,118 -
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ECAD 6769 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 底盘安装 SOT-1120B BLF8G22 - - CDFM6 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 100 - - - - -
PSMN2R8-25MLC115 NXP USA Inc. PSMN2R8-25MLC115 -
RFQ
ECAD 5178 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.29.0095 1
BFU730F,115 NXP USA Inc. BFU730F,115 0.6700
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ECAD 89 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-343F BFU730 197MW 4-DFP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 2.8V 30mA NPN 205 @ 2mA,2V 55GHz 0.8db〜1.3dB @ 5.8GHz〜12GHz
PUMD48,115 NXP USA Inc. PUMD48,115 -
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ECAD 7402 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PUMD48 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
MRFG35020AR1 NXP USA Inc. MRFG35020AR1 -
RFQ
ECAD 8870 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 15 v 底盘安装 NI-360 MRFG35 3.5GHz Phemt fet NI-360 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 300 MA 2W 11.5db - 12 v
MRF101AN NXP USA Inc. MRF101AN 26.4000
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ECAD 836 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 积极的 133 v TO-220-3 MRF101 1.8MHz〜250MHz ldmos TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 10µA 100 ma 115W 21.1db - 50 V
BUK7Y12-100EX NXP USA Inc. BUK7Y12-100EX -
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ECAD 1251 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 85A(TC) 10V 12mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 68 NC @ 10 V ±20V 5067 PF @ 25 V - 238W(TC)
PMBS3904,235 NXP USA Inc. PMBS3904,235 0.0200
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ECAD 820 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMBS3904 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000
PDTA143ZU,115 NXP USA Inc. PDTA143ZU,115 -
RFQ
ECAD 2838 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PDTA14 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000
J2A020YXS/T0BY425, NXP USA Inc. J2A020YXS/T0BY425, -
RFQ
ECAD 5955 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - - - J2A0 - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 935295719118 过时的 0000.00.0000 12,500 - -
MRFE6VP8600HSR5 NXP USA Inc. MRFE6VP8600HSR5 -
RFQ
ECAD 3050 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 130 v 底盘安装 NI-1230S MRFE6 860MHz ldmos NI-1230S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 50 双重的 - 1.4 a 125W 19.3db - 50 V
MRF373ALR1 NXP USA Inc. MRF373ALR1 -
RFQ
ECAD 4883 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 NI-360 MRF37 860MHz ldmos NI-360 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 200 ma 75W 18.2db - 32 v
MRF6S9045NBR1 NXP USA Inc. MRF6S9045NBR1 -
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 TO-272BC MRF6 880MHz ldmos TO-272-2 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 500 - 350 MA 10W 22.7dB - 28 V
PSMN4R6-100XS,127 NXP USA Inc. PSMN4R6-100XS,127 -
RFQ
ECAD 9597 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 PSMN4 MOSFET (金属 o化物) TO-220F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 70.4A(TC) 10V 4.6mohm @ 15a,10v 4V @ 1mA 153 NC @ 10 V ±20V 9900 PF @ 50 V - 63.8W(TC)
2PA1015Y,126 NXP USA Inc. 2PA1015Y,126 -
RFQ
ECAD 1960年 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 2PA10 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 150 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
MRFG35010AR1 NXP USA Inc. MRFG35010AR1 -
RFQ
ECAD 3633 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 15 v 底盘安装 NI-360HF MRFG35 3.55GHz Phemt fet NI-360HF 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 500 - 140 MA 1W 10dB - 12 v
PBLS4001Y,115 NXP USA Inc. PBLS4001Y,115 0.0700
RFQ
ECAD 345 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBLS40 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
PDTA114EE,115 NXP USA Inc. PDTA114EE,115 -
RFQ
ECAD 8240 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTA114 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 30 @ 5mA,5V 180 MHz 10 kohms 10 kohms
2PA1774SMB,315 NXP USA Inc. 2PA1774SMB,315 0.0600
RFQ
ECAD 127 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-101,SOT-883 250兆 DFN1006-3 下载 Ear99 8541.21.0075 1 40 V 100 ma 100NA(ICBO) PNP 200mv @ 5mA,50mA 270 @ 1mA,6v 100MHz
PBSS4120T/S500,215 NXP USA Inc. PBSS4120T/S500,215 -
RFQ
ECAD 3055 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 过时的 PBSS4 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
MMRF5018HSR5 NXP USA Inc. MMRF5018HSR5 278.3694
RFQ
ECAD 2606 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125 v 表面安装 NI-400S-2SA 1MHz〜2.7GHz - NI-400S-2SA - rohs3符合条件 到达不受影响 568-MMRF5018HSR5TR Ear99 8541.29.0095 50 - - 125W 17.3db -
BUK6C2R1-55C,118-NX NXP USA Inc. BUK6C2R1-55C,118-nx -
RFQ
ECAD 1965年 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) MOSFET (金属 o化物) D2PAK-7 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 55 v 228a(TC) 10V 2.3MOHM @ 90A,10V 2.8V @ 1mA 253 NC @ 10 V ±16V 16000 PF @ 25 V - 300W(TC)
MRF6S19200HSR5 NXP USA Inc. MRF6S19200HSR5 -
RFQ
ECAD 7514 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 66 v 底盘安装 NI-780 MRF6 1.93GHZ〜1.99GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.6 a 56W 17.9db - 28 V
PDTA144VK,115 NXP USA Inc. PDTA144VK,115 -
RFQ
ECAD 4705 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PDTA144 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 40 @ 5mA,5V 47科姆斯 10 kohms
MRF7S38040HR5 NXP USA Inc. MRF7S38040HR5 -
RFQ
ECAD 7382 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-400-240 MRF7 3.4GHz〜3.6GHz ldmos NI-400-240 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 450 MA 8W 14dB - 30 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库