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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
PMBT2907A/MIGVL	-	RFQ	5597	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					PMBT2907					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934068471235	Ear99	8541.29.0095	3,000
PMBT3904/8,215	-	RFQ	4537	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					PMBT3904					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934064819215	Ear99	8541.29.0095	3,000
PDTC143XEF，115	-	RFQ	8858	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	PDTC143			250兆	SC-89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	100mv @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	10 kohms
PH4530L，115	-	RFQ	5176	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH45		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	80A（TC）	5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2V @ 1mA	23.5 NC @ 5 V	±20V	1972 pf @ 10 V	-	62.5W（TC）
PHB222NQ04LT，118	-	RFQ	4382	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB22		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	93.6 NC @ 5 V	±15V	7880 pf @ 25 V	-	300W（TC）
PH3830L，115	-	RFQ	2751	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH38		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	98A（TC）	5V，10V	3.8mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	33 NC @ 5 V	±20V	3190 pf @ 10 V	-	62.5W（TC）
PH7030L，115	-	RFQ	6336	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	PH70		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	68A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 10a，10v	2V @ 1mA	12 nc @ 5 V	±20V	1362 PF @ 10 V	-	62.5W（TC）
PMV45en，215	-	RFQ	3766	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV4		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	5.4A（TC）	4.5V，10V	42MOHM @ 2A，10V	2V @ 1mA	9.4 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 30 V	-	280MW（TJ）
PMGD400UN，115	-	RFQ	8557	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	PMGD4		MOSFET （金属 o化物）	410MW	6-TSSOP	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	710mA		480MOHM @ 200MA，4.5V	1V @ 250µA	0.89NC @ 4.5V		43pf @ 25V	逻辑级别门
BLF4G20LS-1110B，112	-	RFQ	3899	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF4	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60			12a	650 MA	100W	13.4dB											-			28 V
BLF4G20S-1110B，112	-	RFQ	9190	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF4	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			12a	700 MA	100W	13.5dB											-			28 V
BLF4G22LS-130,112	-	RFQ	6514	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF4	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60			15a	1.15 a	33W	13.5dB											-			28 V
PMF290XN，115	-	RFQ	8011	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	PMF29		MOSFET （金属 o化物）		SC-70	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	1A（TC）	2.5V，4.5V	350MOHM @ 200MA，4.5V	1.5V @ 250µA	0.72 NC @ 4.5 V	±12V	34 pf @ 20 V	-	560MW（TC）
MRF5S19060NR1	-	RFQ	4443	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	TO-270AB	MRF5	1.99GHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	750 MA	12W	14dB											-			28 V
BFG540W/X，115	-	RFQ	6115	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFG54			500MW	CMPAK-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						-												15V	120mA			NPN		100 @ 40mA，8v	9GHz			1.3db〜2.4dB @ 900MHz
PMN23Un，165	-	RFQ	1948年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMN2		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					20 v	6.3a（TC）	1.8V，4.5V	28mohm @ 2A，4.5V	700mv @ 1MA（typ）	10.6 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 10 V	-	1.75W（TC）
MRF1513NT1	-	RFQ	5131	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		表面安装	PLD-1.5	MRF15	520MHz	ldmos		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000			2a	50 mA	3W	15DB											-			12.5 v
MRF1517NT1	-	RFQ	4699	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v		表面安装	PLD-1.5	MRF15	520MHz	ldmos		PLD-1.5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000			4a	150 ma	8W	14dB											-			7.5 v
MRF1535FNT1	-	RFQ	9304	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		底盘安装	TO-272BA	MRF15	520MHz	ldmos		TO-272-6	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			6a	500 MA	35W	13.5dB											-			12.5 v
MRF18030ALSR5	-	RFQ	9311	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	Ni-400s	MRF18	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		Ni-400s	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50			-	250 MA	30W	14dB											-			26 V
MRF18060ALR5	-	RFQ	1982	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF18	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	500 MA	60W	13DB											-			26 V
MRF1570NT1	-	RFQ	5432	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V		底盘安装	TO-272-8	MRF15	470MHz	ldmos		TO-272-8包装	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	935313761528	Ear99	8541.21.0075	500			-	800 MA	70W	11.5db											-			12.5 v
MRF18085ALSR5	-	RFQ	5502	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF18	1.81GHZ〜1.88GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	50			-	800 MA	85W	15DB											-			26 V
MRF372R5	-	RFQ	3144	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-860C3	MRF37	857MHz〜863MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			17a	800 MA	180W	17dB											-			32 v
MRF6V2300NBR1	-	RFQ	1329	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	TO-272BB	MRF6	220MHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	900 MA	300W	25.5db											-			50 V
MRF7S19170HR3	-	RFQ	4939	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	1.99GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	250			-	1.4 a	50W	17.2db											-			28 V
MRF6V2300NR1	-	RFQ	7766	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		表面安装	TO-270AB	MRF6	220MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	900 MA	300W	25.5db											-			50 V
MRF6S27050HSR5	-	RFQ	8775	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-780	MRF6	2.62GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	500 MA	7W	16dB											-			28 V
MRF6V2150NBR1	-	RFQ	4618	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	110 v		底盘安装	TO-272BB	MRF6	220MHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	450 MA	150W	25DB											-			50 V
MRF19030LSR3	-	RFQ	8375	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	Ni-400s	MRF19	1.96GHz	ldmos		Ni-400s	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	250			-	300 MA	30W	13DB											-			26 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²