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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
PMBT2222A/DG,215 NXP USA Inc. PMBT2222A/DG,215 1.0000
RFQ
ECAD 7072 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PMBT2222 - rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
AFT09S200W02GNR3 NXP USA Inc. AFT09S200W02GNR3 -
RFQ
ECAD 8295 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 底盘安装 OM-780-2G AFT09 960MHz ldmos OM-780-2鸥 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935320369528 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.4 a 56W 19.2db - 28 V
BCW72,215 NXP USA Inc. BCW72,215 -
RFQ
ECAD 1959年 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BCW72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
PDTC144ET/DG/B4215 NXP USA Inc. PDTC144ET/DG/B4215 0.0200
RFQ
ECAD 57 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
2PD602AR,115 NXP USA Inc. 2PD602AR,115 -
RFQ
ECAD 9837 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2pd60 250兆 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 12,000 50 V 500 MA 10NA(ICBO) NPN 600mv @ 30mA,300mA 120 @ 150mA,10V 160MHz
PHU78NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHU78NQ03LT,127 -
RFQ
ECAD 2683 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA PHU78 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 25 v 75A(TC) 5V,10V 9mohm @ 25a,10v 2V @ 1mA 11 NC @ 4.5 V ±20V 970 pf @ 12 V - 107W(TC)
PDTC144EU/ZL115 NXP USA Inc. PDTC144EU/ZL115 0.0200
RFQ
ECAD 2171 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.21.0095 2,750
BUK625R0-40C,118-NXP NXP USA Inc. BUK625R0-40C,118-nxp -
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ECAD 5150 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) DPAK - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 40 V 90A(ta) 5mohm @ 25a,10v 2.8V @ 1mA 88 NC @ 10 V ±16V 5200 pf @ 25 V - 158W(TA)
MRFE6S9201HR3 NXP USA Inc. MRFE6S9201HR3 -
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ECAD 7337 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 66 v 底盘安装 SOT-957A MRFE6 880MHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.4 a 40W 20.8dB - 28 V
BCX53-10/L135 NXP USA Inc. BCX53-10/L135 0.0600
RFQ
ECAD 1172 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,300
PUMB9/ZL115 NXP USA Inc. PUMB9/ZL115 0.0400
RFQ
ECAD 3194 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 pumb9 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 6,000
BLF8G10LS-160,112 NXP USA Inc. BLF8G10LS-160,112 -
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 积极的 65 v 底盘安装 SOT-502B 920MHz〜960MHz ldmos SOT502B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 0000.00.0000 4 5µA 1.1 a 35W 19.7db - 30 V
PBLS2001D,115 NXP USA Inc. PBLS2001D,115 0.0700
RFQ
ECAD 57 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBLS20 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
MRF13750HSR5 NXP USA Inc. MRF13750HSR5 202.2660
RFQ
ECAD 6117 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 105 v 底盘安装 NI-1230-4S MRF13750 700MHz〜1.3GHz ldmos NI-1230-4S 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935360898178 Ear99 8541.29.0075 50 10µA 200 ma 750W 20.4dB - 50 V
MRF9030LSR5 NXP USA Inc. MRF9030LSR5 -
RFQ
ECAD 1564年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v NI-360S MRF90 945MHz ldmos NI-360S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 50 - 250 MA 30W 19db - 26 V
BUK965R4-40E,118 NXP USA Inc. BUK965R4-40E,118 0.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Ear99 8541.29.0095 442 n通道 40 V 75A(TC) 5V 4.4mohm @ 25a,10v 2.1V @ 1mA 33.9 NC @ 5 V ±10V 4483 PF @ 25 V - 137W(TC)
MRF7S21210HSR5 NXP USA Inc. MRF7S21210HSR5 -
RFQ
ECAD 3408 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF7 2.17GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 1.4 a 63W 18.5db - 28 V
PMBT3904/DG215 NXP USA Inc. PMBT3904/DG215 -
RFQ
ECAD 8936 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 10,000
BUK7Y25-40B/C,115 NXP USA Inc. BUK7Y25-40B/C,115 -
RFQ
ECAD 1717年 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 BUK7Y25 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 35.3a(TC) 10V 25mohm @ 20a,10v 4V @ 1mA 12.1 NC @ 10 V ±20V 693 PF @ 25 V - 59.4W(TC)
PBSS4240Y,115 NXP USA Inc. PBSS4240Y,115 -
RFQ
ECAD 1673年 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 PBSS4 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000
A5G37H110NT4 NXP USA Inc. A5G37H110NT4 13.0217
RFQ
ECAD 4843 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 125 v 表面安装 6-dlfn暴露垫 3.6GHz〜3.8GHz - 6-PDFN (7x6.5) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0075 2,500 - - 70 MA 13.5W 15.1db - 48 v
PUMD17/ZL115 NXP USA Inc. PUMD17/ZL115 0.0300
RFQ
ECAD 4433 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 9,000
PSMN3R8-30LL,115 NXP USA Inc. PSMN3R8-30LL,115 -
RFQ
ECAD 7681 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 PSMN3 MOSFET (金属 o化物) 8 dfn3333 (3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,400 n通道 30 V 40a(TC) 10V 3.7MOHM @ 10a,10v 2.15V @ 1mA 38 NC @ 10 V ±20V 2085 PF @ 15 V - 69W(TC)
MRF6V14300HR5 NXP USA Inc. MRF6V14300HR5 401.0580
RFQ
ECAD 2382 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 100 v 底盘安装 SOT-957A MRF6V14300 1.4GHz ldmos NI-780H-2L 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935313404178 Ear99 8541.29.0075 50 - 150 ma 330W 18db - 50 V
BFU520X235 NXP USA Inc. BFU520X235 0.1300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 10,000
BF423,112 NXP USA Inc. BF423,112 -
RFQ
ECAD 3245 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BF423 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 250 v 50 mA 10NA(ICBO) PNP 600mv @ 5mA,30mA 50 @ 25mA,20V 60MHz
BUK98180-100A,115 NXP USA Inc. BUK98180-100A,115 -
RFQ
ECAD 7249 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA Buk98 MOSFET (金属 o化物) SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 4.6A(TC) 4.5V,10V 173MOHM @ 5A,10V 2V @ 1mA ±10V 619 pf @ 25 V - 8W(TC)
PUMH11/ZL135 NXP USA Inc. PUMH11/ZL135 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 10,000
MMRF1018NBR1 NXP USA Inc. MMRF1018NBR1 -
RFQ
ECAD 7181 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 120 v 底盘安装 TO-272BB MMRF1 860MHz ldmos TO-272 WB-4 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935324763528 Ear99 8541.29.0075 500 - 350 MA 18W 22DB - 50 V
BSV52,215 NXP USA Inc. BSV52,215 -
RFQ
ECAD 8639 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BSV5 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库