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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
J108,126	-	RFQ	3924	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J108			400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934003850126	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					25 v							30pf @ 0v							25 v	80 ma @ 5 V	10 V @ 1 µA		8欧姆
BF1107,215	-	RFQ	1967年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	3 V		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF110	-	MOSFET		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		10mA		-	-											-
PSMN003-30B，118	-	RFQ	5483	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PSMN0		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					30 V	75A（TC）	5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	3V @ 1mA	170 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	230W（TC）
PMBFJ177,215	-	RFQ	9710	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ1			300兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					30 V							8pf @ 10v（vgs）							30 V	1.5 ma @ 15 V	800 mv @ 10 na		300欧姆
BF245B，112	-	RFQ	7573	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的	30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF245	100MHz	JFET		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道		15mA		-	-											1.5dB			15 v
BSN254A，126	-	RFQ	2855	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BSN2		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					250 v	310mA ta）	2.4V，10V	5ohm @ 300mA，10v	2V @ 1mA		±20V	120 pf @ 25 V	-	1W（ta）
PMBF4393,215	-	RFQ	9788	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBF4			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					40 V							14pf @ 20V							40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na		100欧姆
PMBFJ113,215	-	RFQ	4152	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ1			300兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					40 V							6pf @ 10V（vgs）							40 V	2 ma @ 15 V	3 V @ 1 µA		100欧姆
PMBFJ175,215	-	RFQ	1597年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ1			300兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					30 V							8pf @ 10v（vgs）							30 V	7 ma @ 15 V	3 V @ 10 na		125欧姆
MRF6S21100MBR1	-	RFQ	5121	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v			TO-272-4	MRF6	2.11GHZ〜2.16GHz	ldmos		TO-272 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	1.05 a	23W	14.5db											-			28 V
PBSS4160PANS115	-	RFQ	2346	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PDTA114TE，115-nxp	0.0200	RFQ	807	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA114					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000
MMRF1304NR1	23.9828	RFQ	7864	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v		表面安装	TO-270AA	MMRF1304	512MHz	ldmos		TO-270-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	10 MA	25W	25.4db											-			50 V
BUK9637-100E，118	0.5600	RFQ	5896	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1		n通道					100 v	31a（TC）	5V，10V	36mohm @ 10a，10v	2.1V @ 1mA	22.8 NC @ 5 V	±10V	2681 PF @ 25 V	-	96W（TC）
MRF8P26080HSR3	-	RFQ	2472	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF8	2.62GHz	ldmos		NI-780S-4L	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310539128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	300 MA	14W	15DB											-			28 V
MRF6S24140HR5	-	RFQ	7547	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	2.39GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.3 a	28W	15.2db											-			28 V
BUK7Y9R9-80EX	1.0000	RFQ	7555	NXP USA Inc.	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					80 V	89A（TC）	10V	98mohm @ 5a，10v	4V @ 1mA	51.6 NC @ 10 V	±20V	498 pf @ 25 V	-	（195W）（TC）
PBSS5320T，215	-	RFQ	9962	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
MHT1008NT1	-	RFQ	9066	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	28 V		表面安装	PLD-1.5W	MHT1008	2.4GHz〜2.5GHz	ldmos		PLD-1.5W	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000			-		12.5W	18.6dB											-
PDTA124TMB，315	0.0200	RFQ	168	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA124			250兆	DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	100 ma					1µA		pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	100 @ 1mA，5V	180 MHz	22 KOHMS
BUK7C06-40AITE，118	1.3600	RFQ	3	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					40 V	75A（TC）	10V	6mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	120 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	电流感应	272W（TC）
PDTA123JE，115	-	RFQ	5595	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA123			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma					1µA		pnp-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		2.2 kohms	47科姆斯
PEMH7,115	0.0400	RFQ	147	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMH7					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
PBSS5240T，215	-	RFQ	8438	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
MRF5S9101NR1	-	RFQ	1383	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		表面安装	TO-270AB	MRF5	960MHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	700 MA	100W	17.5db											-			26 V
BUK7524-55A，127	-	RFQ	4840	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	47A（TC）	10V	24mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	1310 PF @ 25 V	-	106W（TC）
MRF8S21120HSR3	-	RFQ	1489	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF8	2.17GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935314227128	Ear99	8541.29.0075	250			-	850 MA	28W	17.6dB											-			28 V
BFU550XR215	-	RFQ	4031	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
AFM912NT1	2.9754	RFQ	9766	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30 V		表面安装	16-vdfn暴露垫		136MHz〜941MHz	ldmos		16-DFN （4x6）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	568-AFM912NT1TR	Ear99	8541.29.0095	1,000	-		10µA		-	13.3db											-
BS108/01,126	-	RFQ	4910	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BS10		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					200 v	300mA（TA）	2.8V	5ohm @ 100mA，2.8V	1.8V @ 1mA		±20V	120 pf @ 25 V	-	1W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²