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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
PMDPB30XN/S711115 NXP USA Inc. PMDPB30XN/S711115 -
RFQ
ECAD 5269 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0095 3,000
MRFE6VP5150GNR1 NXP USA Inc. MRFE6VP5150GNR1 39.8900
RFQ
ECAD 500 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 133 v 表面安装 TO-270BB MRFE6 230MHz ldmos TO-270 WB-4 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0040 500 双重的 - 100 ma 150W 26.1db - 50 V
BCP56-16/DG/B2115 NXP USA Inc. BCP56-16/DG/B2115 0.1800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1,000
PDTC114EQA147 NXP USA Inc. PDTC114EQA147 0.0300
RFQ
ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 1
MRFG35010NR5 NXP USA Inc. MRFG35010NR5 -
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ECAD 4367 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 15 v PLD-1.5 MRFG35 3.55GHz Phemt fet PLD-1.5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 180 MA 9W 10dB - 12 v
A2T21S161W12SR3 NXP USA Inc. A2T21S161W12SR3 -
RFQ
ECAD 6110 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 28 V 底盘安装 NI-780-2S2L A2T21 2.11GHz〜2.2GHz ldmos NI-780-2S2L - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 935363146128 Ear99 8541.29.0075 250 - 38W - -
BFG93A/X,215 NXP USA Inc. BFG93A/X,215 -
RFQ
ECAD 4423 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFG93 300MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 12V 35mA NPN 40 @ 30mA,5V 6GHz 1.7db〜2.3db @ 1GHz〜2GHz
BF513,215 NXP USA Inc. BF513,215 -
RFQ
ECAD 8650 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 20 v 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BF513 100MHz JFET SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30mA 5 ma - - 1.5dB 10 v
BC635-16,126 NXP USA Inc. BC635-16,126 -
RFQ
ECAD 4674 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC63 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 1 a 100NA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,2V 180MHz
BUK7E5R2-100E,127-NXP NXP USA Inc. BUK7E5R2-100E,127-nxp 1.0000
RFQ
ECAD 7907 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) i2pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 0000.00.0000 1 n通道 100 v 120A(TC) 10V 5.2MOHM @ 25A,10V 4V @ 1mA 180 NC @ 10 V ±20V 11810 PF @ 25 V - 349W(TC)
BFU590QX NXP USA Inc. BFU590QX 1.1200
RFQ
ECAD 866 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA BFU590 2W SOT-89-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 6.5dB 12V 200mA NPN 60 @ 80mA,8v 8GHz -
PSMN012-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN012-25YLC,115 -
RFQ
ECAD 1882年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PSMN0 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 25 v 33A(TC) 4.5V,10V 12.6mohm @ 10a,10v 1.95V @ 1mA 8.3 NC @ 10 V ±20V 528 pf @ 12 V - 26W(TC)
BC807-25/6215 NXP USA Inc. BC807-25/6215 0.0200
RFQ
ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 15,000
PHU97NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHU97NQ03LT,127 -
RFQ
ECAD 8021 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA PHU97 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 25 v 75A(TC) 4.5V,10V 6.6mohm @ 25a,10v 2.15V @ 1mA 11.7 NC @ 4.5 V ±20V 1570 pf @ 12 V - 107W(TC)
PDTC143EMB315 NXP USA Inc. PDTC143EMB315 0.0300
RFQ
ECAD 119 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 Ear99 8541.21.0075 1
MRF6P3300HR3 NXP USA Inc. MRF6P333300HR3 -
RFQ
ECAD 9445 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 68 v 底盘安装 NI-860C3 MRF6 857MHz〜863MHz ldmos NI-860C3 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.6 a 270W 20.2dB - 32 v
PDTC124XE,115 NXP USA Inc. PDTC124XE,115 -
RFQ
ECAD 1097 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTC124 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 80 @ 5mA,5V 22 KOHMS 47科姆斯
PHP52N06T,127 NXP USA Inc. PHP52N06T,127 -
RFQ
ECAD 1863年 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PHP52 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 52A(TC) 10V 22mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 36 NC @ 10 V ±20V 1592 PF @ 25 V - 120W(TC)
ON5173,118 NXP USA Inc. ON5173,118 -
RFQ
ECAD 1711年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ON51 - - D2PAK - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 934057198118 Ear99 8541.29.0095 800 - - - - -
BFG310W/XR,115 NXP USA Inc. BFG310W/XR,115 -
RFQ
ECAD 9291 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 SC-82A,SOT-343 BFG31 60mw CMPAK-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 18db 6V 10mA NPN 60 @ 5mA,3v 14GHz 1dB @ 2GHz
BFR520,215 NXP USA Inc. BFR520,215 -
RFQ
ECAD 7196 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BFR52 300MW SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 70mA NPN 60 @ 20mA,6v 9GHz 1.1db〜2.1dB @ 900MHz
BLF6G24-180PN,112 NXP USA Inc. BLF6G24-180PN,112 -
RFQ
ECAD 8647 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 底盘安装 SOT539A BLF6 2GHz〜2GHz ldmos SOT539A - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934063604112 Ear99 8541.29.0095 20 - 50W 17.5db -
BC556B,112 NXP USA Inc. BC556B,112 -
RFQ
ECAD 6425 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC55 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 65 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 650mv @ 5mA,100mA 220 @ 2mA,5V 100MHz
PVR100AZ-B3V0,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B3V0,115 -
RFQ
ECAD 2613 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA PVR10 550兆 SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 45 v 100 ma 100NA(ICBO) NPN + Zener - 160 @ 100mA,1V -
AFT26HW050GSR3-NXP NXP USA Inc. AFT26HW050GSR3-NXP 115.4500
RFQ
ECAD 250 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0040 1
BFG67/X,215 NXP USA Inc. BFG67/X,215 -
RFQ
ECAD 9908 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BFG67 380MW SOT-143B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 10V 50mA NPN 60 @ 15mA,5V 8GHz 1.3db @ 1GHz
BUK7K134-100EX NXP USA Inc. BUK7K134-100EX -
RFQ
ECAD 1443 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-12205,8-LFPAK56 BUK7K134 MOSFET (金属 o化物) 32W LFPAK56D 下载 Ear99 8541.29.0095 1 2 n 通道(双) 100V 9.8a 121MOHM @ 5A,10V 4V @ 1mA 10.5NC @ 10V 564pf @ 25V -
BC879,112 NXP USA Inc. BC879,112 -
RFQ
ECAD 5165 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) BC87 830兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 1,000 80 V 1 a 50NA npn-达灵顿 1.8V @ 1mA,1a 2000 @ 500mA,10V 200MHz
2PB709ARW,115 NXP USA Inc. 2PB709ARW,115 0.0200
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 200兆 SOT-323 下载 Ear99 8541.21.0095 1 45 v 100 ma 10NA(ICBO) PNP 500mv @ 10mA,100mA 210 @ 2mA,10v 70MHz
MRF8S19140HR3 NXP USA Inc. MRF8S19140HR3 -
RFQ
ECAD 2512 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF8 1.96GHz ldmos NI-780H-2L - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 935321462128 Ear99 8541.29.0075 250 - 1.1 a 34W 19.1db - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库