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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	（ID） - 最大
BLF7G20LS-90P，112	64.1700	RFQ	100	NXP USA Inc.	-	管子	积极的	65 v		表面安装	SOT-1121b		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	6	双重，共同来源		2µA	550 MA	90W	19.5db											-			28 V
BUK9515-60E，127	-	RFQ	7879	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	54A（TC）	5V，10V	13mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	20.5 NC @ 5 V	±10V	2651 PF @ 25 V	-	96W（TC）
BFG325/XR，215	-	RFQ	2389	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	SOT-143R	BFG32			210MW	SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						18.3db												6V	35mA							NPN		60 @ 15mA，3v	14GHz			1.1db @ 2GHz
PBSM5240PF，115	-	RFQ	4526	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSM5					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
PHB146NQ06LT，118	-	RFQ	1453	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	PHB14		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	75A（TC）	4.5V，10V	5.4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	60 NC @ 5 V	±15V	5675 PF @ 25 V	-	250W（TC）
MRF6P3300HR5	-	RFQ	7928	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	NI-860C3	MRF6	857MHz〜863MHz	ldmos		NI-860C3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	1.6 a	270W	20.2dB											-			32 v
MRFG35020AR1	-	RFQ	8870	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	15 v		底盘安装	NI-360	MRFG35	3.5GHz	Phemt fet		NI-360	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	300 MA	2W	11.5db											-			12 v
MRF8S9102NR3	-	RFQ	2105	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	OM-780-2	MRF8	920MHz	ldmos		OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	750 MA	28W	23.1db											-			28 V
PSMN3R2-30YLC，115	-	RFQ	9850	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PSMN3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,500
PDTA114TE，115	-	RFQ	4848	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA114			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma					1µA		pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	200 @ 1mA，5V		10 kohms
BUK9607-30B，118	0.4200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					Buk96					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800
BLT81	0.5000	RFQ	32	NXP USA Inc.	*	大部分	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2832-BLT81	Ear99	8541.29.0075	1
BF861A，215	-	RFQ	9014	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	25 v		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF861	-	JFET		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		6.5mA		-	-											-
MRF6S19100HR5	-	RFQ	5076	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	1.99GHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	900 MA	22W	16.1db											-			28 V
PDTA123EMB，315	0.0300	RFQ	139	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	SC-101，SOT-883	PDTA123			250兆	DFN1006B-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	100 ma					1µA		pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	30 @ 20mA，5v	180 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
BC546B，126	-	RFQ	7004	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC54			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		65 v	100 ma					15NA（icbo）		NPN	400mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
PHP63NQ03LT，127	-	RFQ	6309	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP63		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	68.9a（TC）	5V，10V	13mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	9.6 NC @ 5 V	±20V	920 PF @ 25 V	-	111W（TC）
PDTA143XK，115	-	RFQ	1945年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA143			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma					1µA		pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	10 kohms
PMV65UNE，215	-	RFQ	1184	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMV65		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1															-
BFR31,235	-	RFQ	5520	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR31			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	933163490235	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道					25 v							4pf @ 10V								1 mA @ 10 V	2.5 V @ 0.5 Na										10 MA
2PB710ASL/ZLR	-	RFQ	6880	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					2pb71					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
PMBFJ111,215	-	RFQ	8652	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ1			300兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					40 V							6pf @ 10V（vgs）							40 V	20 ma @ 15 V	10 V @ 1 µA		30欧姆
BCW30,215	-	RFQ	6986	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW30			250兆	TO-236AB	下载						0000.00.0000	1																		32 v	100 ma					100NA（ICBO）		PNP	150mv @ 2.5mA，50mA	215 @ 2mA，5v	100MHz
BF904,215	-	RFQ	1055	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF904	200MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	-											1dB			5 v
2PA1015GR，126	-	RFQ	5321	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2PA10			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	150 ma					100NA（ICBO）		PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
BF420,112	-	RFQ	8505	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF420			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																		300 v	50 mA					10NA（ICBO）		NPN	600mv @ 5mA，30mA	50 @ 25mA，20V	60MHz
MRF5S21100HSR3	-	RFQ	5820	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-780	MRF5	2.16GHz〜2.17GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	250			-	1.05 a	23W	13.5dB											-			28 V
PDTB113ZS，126	-	RFQ	8465	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTB113			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	500 MA					500NA		pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V		1 kohms	10 kohms
BF1204,115	-	RFQ	8977	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	10 v		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF120	400MHz	MOSFET		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	12 ma	-	30dB											0.9dB			5 v
BF998,215	-	RFQ	7114	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	12 v		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF998	200MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	-											0.6dB			8 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²