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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BFR93A215	-	RFQ	6423	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PMD9002D，115	-	RFQ	8580	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	50V NPN，45V NPN		MOSFET驾驶员	表面安装	SC-74，SOT-457	PMD90				SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	3,000			100mA NPN，100mA NPN																							2 NPN （图腾杆）
BC807-40,235	-	RFQ	2638	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	SOT-23	下载						0000.00.0000	1																		45 v	500 MA					100NA（ICBO）		PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	80MHz
BC51-10PASX	0.0600	RFQ	84	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	3-udfn裸露的垫子				420兆W	DFN2020d-3	下载					Ear99	8541.29.0075	1																		45 v	1 a					100NA（ICBO）		PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	145MHz
PMBFJ108,215	-	RFQ	1537年	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMBFJ1			250兆	SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					25 v							30pf @ 10V（vgs）							25 v	80 ma @ 15 V	10 V @ 1 µA		8欧姆
BC847W，135	0.0200	RFQ	650	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		45 v	100 ma					15NA（icbo）		NPN	400mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
PDTD123EU115	0.0300	RFQ	24	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PQMD12Z	0.0400	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的				表面安装	6-xfdfn暴露垫	PQMD12			350MW	DFN1010B-6	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		50V	100mA					100NA（ICBO）		1 npn，1 pnp- 预偏（二）	150MV @ 500µA，10mA	80 @ 5mA，5V	230MHz，180MHz	47kohms	47kohms
BC846BW/ZL115	0.0200	RFQ	285	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BF245B，126	-	RFQ	7708	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的	30 V			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BF245	100MHz	JFET		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道		15mA		-	-											1.5dB			15 v
MRFE6VS25LR5	76.8700	RFQ	7077	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	133 v			底盘安装	NI-360	MRFE6	512MHz	ldmos		NI-360	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50			-	10 MA	25W	25.9db											-			50 V
MRF6S19060MR1	-	RFQ	7994	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v				TO-270-4	MRF6	1.93GHz	ldmos		TO-270 WB-4	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500			-	610 MA	12W	16dB											-			28 V
A2T18H455W23NR6	-	RFQ	3983	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			底盘安装	OM-1230-4L2S	A2T18	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		OM-1230-4L2S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935318707564	Ear99	8541.29.0075	150			10µA	1.08 a	56DBM	14.5db											-			31.5 v
BF1211,215	-	RFQ	2570	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V			表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF121	400MHz	MOSFET		SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	15 ma	-	29dB											0.9dB			5 v
BUK7214-75B，118	-	RFQ	9154	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的						Buk72					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
BF1109R，215	-	RFQ	2846	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	11 V			表面安装	SOT-143R	BF110	800MHz	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA		-	20dB											1.5dB			9 V
PHT11N06LT，135	-	RFQ	8274	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	PHT11		MOSFET （金属 o化物）		SC-73	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					55 v	4.9a（ta）	5V	40mohm @ 5A，5V	2V @ 1mA	17 NC @ 5 V	±13V	1400 pf @ 25 V	-	1.8W（ta），8.3W（TC）
PH3330L，115	-	RFQ	6520	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-100，SOT-669	PH33		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	30.5 NC @ 4.5 V	±20V	4840 pf @ 12 V	-	62.5W（TC）
PDTA143Z，126	-	RFQ	5241	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的				通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PDTA143			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000																		50 V	100 ma					1µA		pnp-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 10mA，5v		4.7科姆斯	47科姆斯
MRF21045LR3	-	RFQ	9671	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v				NI-400	MRF21	2.17GHz	ldmos		NI-400-240	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	250			-	500 MA	10W	15DB											-			28 V
Bujd103ad，118	-	RFQ	7963	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				80 W	DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	570																		400 v	4 a					100µA		NPN	1V @ 1A，4A	11 @ 2a，5v	-
BUK6E2R0-30C127	0.9100	RFQ	4	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	2.8V @ 1mA	229 NC @ 10 V	±16V	14964 PF @ 25 V	-	306W（TC）
PMN23Un，165	-	RFQ	1948年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SC-74，SOT-457	PMN2		MOSFET （金属 o化物）		SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道					20 v	6.3a（TC）	1.8V，4.5V	28mohm @ 2A，4.5V	700mv @ 1MA（typ）	10.6 NC @ 4.5 V	±8V	740 pf @ 10 V	-	1.75W（TC）
BF1204,135	-	RFQ	2153	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	10 v			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	BF120	400MHz	MOSFET		6-TSSOP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934056334135	Ear99	8541.21.0095	10,000	n通道双门		30mA	12 ma	-	30dB											0.9dB			5 v
PSMN017-30BL118	-	RFQ	9646	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.29.0095	1
PSMN014-80ylx	1.0000	RFQ	6224	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					80 V	62A（TC）	5V，10V	14mohm @ 15a，10v	2.1V @ 1mA	28.9 NC @ 5 V	±20V	4640 pf @ 25 V	-	147W（TC）
MHT2025NR1	-	RFQ	4929	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						MHT20					-	rohs3符合条件		到达不受影响	935341634528	过时的		500
PSMN2R7-30BL，118	0.7500	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	436		n通道					30 V	100A（TC）	4.5V，10V	3mohm @ 25a，10v	2.15V @ 1mA	66 NC @ 10 V	±20V	3954 pf @ 15 V	-	170W（TC）
MRF19045LR3	-	RFQ	3558	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v				NI-400	MRF19	1.93GHz	ldmos		NI-400-240	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		5A991G	8542.31.0001	250			-	550 MA	9.5W	14.5db											-			26 V
AFT26P100-4WGSR3	-	RFQ	7289	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的						AFT26					-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935323496128	Ear99	8541.29.0075	250

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²