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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
PSMN8R5-108ESQ127 NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ127 -
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ECAD 8802 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 330
MRF6S21100HSR5 NXP USA Inc. MRF6S21100HSR5 -
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ECAD 7391 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-780S MRF6 2.11GHz~2.17GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 950毫安 23W 15.9分贝 - 28V
PMD4002K,115 NXP USA Inc. PMD4002K,115 -
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ECAD 6984 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 40V 感应驱动器 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PMD40 SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 3,000 600毫安 NPN + 基极-发射极
PHU97NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHU97NQ03LT,127 -
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ECAD 8021 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA PHU97 MOSFET(金属O化物) 爱帕克 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 75 N沟道 25V 75A(温度) 4.5V、10V 6.6毫欧@25A,10V 2.15V@1mA 11.7nC@4.5V ±20V 1570pF@12V - 107W(温度)
PSMN009-100W,127 NXP USA Inc. PSMN009-100W,127 -
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ECAD 3887 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 PSMN0 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 100伏 100A(温度) 10V 9毫欧@25A,10V 4V@1mA 214nC@10V ±20V 9000pF@25V - 300W(温度)
2PA1774S,115 NXP USA Inc. 2PA1774S,115 -
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ECAD 3175 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 2PA17 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 150毫安 100nA(ICBO) 国民党 200毫伏@5毫安,50毫安 270@1mA,6V 100兆赫兹
BSP126,115 NXP USA Inc. BSP126,115 -
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ECAD 7230 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BSP1 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
PSMN3R3-80ES,127 NXP USA Inc. PSMN3R3-80ES,127 1.4700
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 - 管子 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 80V 120A(温度) 10V 3.3毫欧@25A,10V 4V@1mA 139nC@10V ±20V 9961pF@40V - 338W(温度)
PDTA144EE,115 NXP USA Inc. PDTA144EE,115 -
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ECAD 第1657章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-75、SOT-416 PDTA144 150毫W SC-75 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 100nA(ICBO) PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 80@5mA,5V 47欧姆 47欧姆
BUK7524-55,127 NXP USA Inc. BUK7524-55,127 -
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ECAD 2151 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛秃75 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934045180127 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 55V 45A(温度) 10V 24毫欧@25A,10V 4V@1mA ±16V 1500pF@25V - 103W(温度)
PDTC115EK,115 NXP USA Inc. PDTC115EK,115 -
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ECAD 3416 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PDTC115 250毫W SMT3;帕金克 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 20毫安 1微安 NPN - 预偏置 150mV@250μA,5mA 80@5mA,5V 100欧姆 100欧姆
BSN254,126 NXP USA Inc. BSN254,126 -
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ECAD 5940 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BSN2 MOSFET(金属O化物) TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 250伏 310mA(塔) 2.4V、10V 5欧姆@300mA,10V 2V@1mA ±20V 120pF@25V - 1W(塔)
MHT1001HR5 NXP USA Inc. MHT1001HR5 -
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ECAD 5861 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 SOT-979A MHT1001 2.39GHz LDMOS NI-1230-4H 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935325901178 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 1.9安 40W 14分贝 - 28V
MMRF1305HR5 NXP USA Inc. MMRF1305HR5 88.3000
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ECAD 56 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 安装结构 NI-780-4 MMRF1305 512兆赫 LDMOS NI-780-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 100毫安 100W 26分贝 - 50V
PZTA14,135 NXP USA Inc. PZTA14,135 0.0900
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ECAD 9722 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 1.25W SOT-223 下载 EAR99 8541.29.0075 200 30V 500毫安 100纳安 NPN-达林顿 1.5V@100μA,100mA 20000@100mA,5V 125兆赫
PBSS4230QA147 NXP USA Inc. PBSS4230QA147 -
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ECAD 9558 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 5,000
A2V07H525-04NR6 NXP USA Inc. A2V07H525-04NR6 98.0779
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ECAD 9206 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 105V 表面贴装 OM-1230-4L A2V07 595MHz~851MHz LDMOS OM-1230-4L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935339924528 EAR99 8541.29.0075 150 10微安 700毫安 120W 17.5分贝 - 48V
MRF6V12250HSR5 NXP USA Inc. MRF6V12250HSR5 284.8516
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ECAD 9126 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 100伏 安装结构 NI-780S MRF6V12250 1.03GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935317106178 EAR99 8541.29.0075 50 - 100毫安 275W 20.3分贝 - 50V
MRF8P18265HSR5 NXP USA Inc. MRF8P18265HSR5 -
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ECAD 8158 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-1110B MRF8 1.88GHz LDMOS NI1230S-8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 800毫安 72W 16分贝 - 30V
MRF8P20140WHR5 NXP USA Inc. MRF8P20140WHR5 -
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ECAD 1100 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) SIC停产 65V 安装结构 NI-780-4 MRF8 1.88GHz~1.91GHz LDMOS NI-780-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 50 双重的 - 500毫安 24W 16分贝 - 28V
MRF21045LR3 NXP USA Inc. MRF21045LR3 -
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ECAD 9671 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V NI-400 MRF21 2.17GHz LDMOS NI-400-240 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 5A991G 8542.31.0001 250 - 500毫安 10W 15分贝 - 28V
A2T26H300-24SR6 NXP USA Inc. A2T26H300-24SR6 -
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ECAD 8973 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-1230-4LS2L A2T26 2.5GHz LDMOS NI-1230-4LS2L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 800毫安 60W 14.5分贝 - 28V
MRFE6S9200HR5 NXP USA Inc. MRFE6S9200HR5 -
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ECAD 5094 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 66伏 安装结构 SOT-957A MRFE6 880兆赫 LDMOS NI-880H-2L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.4A 58W 21分贝 - 28V
BUK9C5R3-100EJ NXP USA Inc. BUK9C5R3-100EJ -
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ECAD 4684 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 - 表面贴装 TO-263-7,D²Pak(6引脚+接片) 山毛洼9C5 MOSFET(金属O化物) D2PAK-7 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934067487118 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 100伏 - - - - -
AFV10700HSR5 NXP USA Inc. AFV10700HSR5 503.6126
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ECAD 1060 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 105V 表面贴装 NI-780S-4L AFV10700 1.03GHz~1.09GHz LDMOS NI-780S-4L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 10微安 100毫安 770W 19.2分贝 - 50V
PH6530AL115 NXP USA Inc. PH6530AL115 0.1800
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ECAD 4 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 - 表面贴装 SC-100、SOT-669 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1,500人 N沟道 30V - - - - -
BUK7L06-34ARC,127 NXP USA Inc. BUK7L06-34ARC,127 -
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ECAD 2374 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛禅7 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 34V 75A(温度) 10V 6毫欧@30A,10V 3.8V@1mA 82nC@10V ±20V 4533pF@25V - 250W(温度)
PMEM4020ND,115 NXP USA Inc. PMEM4020ND,115 -
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ECAD 8796 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 PMEM4 600毫W SC-74 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 950毫安 100纳安 NPN + 隔离(隔离) 400mV@200mA,2A 300@500mA,5V 150兆赫
MRF1513NT1 NXP USA Inc. MRF1513NT1 -
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ECAD 5131 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 40V 表面贴装 PLD-1.5 MRF15 520兆赫 LDMOS PLD-1.5 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 2A 50毫安 3W 15分贝 - 12.5V
MRF9135LSR3 NXP USA Inc. MRF9135LSR3 -
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ECAD 6890 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF91 880兆赫 LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.31.0001 250 - 1.1安 25W 17.8分贝 - 26V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库