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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
PBSS3515M，315	0.0400	RFQ	20	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
BLF888D112	250.9600	RFQ	122	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
PMBT2907A/MIGVL	-	RFQ	5597	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					PMBT2907					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934068471235	Ear99	8541.29.0095	3,000
BC51PAS115	-	RFQ	8256	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
PMGD175XNE115	1.0000	RFQ	1660年	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
J175,116	-	RFQ	3394	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	J175			400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		P通道					30 V							8pf @ 10v（vgs）							30 V	7 ma @ 15 V	3 V @ 10 na		125欧姆
PHP45NQ15T，127	-	RFQ	4535	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP45		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					150 v	45.1a（TC）	10V	42MOHM @ 20A，10V	4V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	230W（TC）
BFT93W，115	-	RFQ	8537	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFT93			300MW	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						-												12V	50mA							PNP		20 @ 30mA，5V	4GHz	2.4db〜3db @ 500MHz〜1GHz
BC635-16,126	-	RFQ	4674	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC63			830兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																		45 v	1 a					100NA（ICBO）		NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	180MHz
MRFE8VP8600HSR5	155.8210	RFQ	3586	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	115 v		底盘安装	NI-1230-4S	MRFE8	860MHz	ldmos		NI-1230-4S	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935345546178	Ear99	8541.29.0075	50			20µA	1.4 a	140W	21dB											-			50 V
BUK9Y12-40E/GFX	-	RFQ	8308	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					buk9					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1,500
A3G18H500-04SR3	133.7144	RFQ	4315	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	NI-780S-4L	A3G18	1.805GHZ〜1.88GHz	ldmos		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	935351522128	Ear99	8541.29.0075	250	双重的		-	200 ma	107W	15.4dB											-			48 v
PMBT2222A，215	-	RFQ	6473	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMBT2222					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
PHP71NQ03LT，127	-	RFQ	4406	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP71		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	75A（TC）	5V，10V	10mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	13.2 NC @ 5 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
BUK962R1-40E，118	-	RFQ	6166	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk96		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	120A（TC）	5V，10V	1.8mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	87.8 NC @ 5 V	±10V	13160 PF @ 25 V	-	293W（TC）
BSH111,215	0.0600	RFQ	357	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BSH1					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
BCP56-16/DG/B2115	0.1800	RFQ	5	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1,000
MRF8P23160WHSR3	-	RFQ	9830	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-780-4	MRF8	2.32GHz	MOSFET		NI-780-4	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935310859128	Ear99	8541.29.0095	250	n通道		-	600 MA	30W	14.1db											-			28 V
BUJ403A/DG，127	0.3800	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				100 W	TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	760																		550 v	6 a					100µA		NPN	1V @ 400mA，2a	20 @ 500mA，5V	-
MRF8S23120HSR5	-	RFQ	7190	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-780	MRF8	2.3GHz	ldmos		NI-780	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50			-	800 MA	28W	16dB											-			28 V
PMEM4010ND，115	-	RFQ	1322	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMEM4			600兆	SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		40 V	1 a					100NA		NPN +二极管（隔离）	210mv @ 100mA，1a	300 @ 500mA，5V	150MHz
Buj303a，127	-	RFQ	9268	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					buj3					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
BUK75150-55A，127	-	RFQ	6536	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	11A（TC）	10V	150MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA	5.5 NC @ 10 V	±20V	322 PF @ 25 V	-	36W（TC）
BUK7509-55A，127	-	RFQ	5893	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					Buk75					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
PMEM4010PD，115	-	RFQ	6774	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		125°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	PMEM4			600兆	SC-74	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																		40 V	1 a					100NA		PNP +二极管（隔离）	310mv @ 100mA，1a	300 @ 100mA，5V	150MHz
PHD16N03LT，118	-	RFQ	5240	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD16		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	16A（TC）	4.5V，10V	67mohm @ 16a，10v	2V @ 1mA	8.5 NC @ 10 V	±15V	210 pf @ 30 V	-	32.6W（TC）
MRF5S21130HSR5	-	RFQ	8762	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-880S	MRF5	2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-880S	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50			-	1.2 a	28W	13.5dB											-			28 V
2PC1815GR，412	-	RFQ	5581	NXP USA Inc.	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2PC18			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																		50 V	150 ma					100NA（ICBO）		NPN	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
BC860BW，115	0.0200	RFQ	108	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				200兆	SOT-323	下载					Ear99	8541.21.0075	1																		45 v	100 ma					15NA（icbo）		PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
AFT05MP075N-54M	514.8700	RFQ	5002	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	568-AFT05MP075N-54M			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²