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晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
MHT1801A	1.1400	RFQ	9	NXP USA Inc.	*	大部分	不适合新设计										-	不适用	供应商不确定	根据要求获得可用的信息	2832-MHT1801A	Ear99		1
j2a012yxy/s1ay7uzj	-	RFQ	9192	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					J2A0					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
MMRF5017HSR5	229.2100	RFQ	1	NXP USA Inc.	-	托盘	积极的	150 v		表面安装	NI-400S-2S	MMRF5017	30MHz〜2.2GHz	hemt		NI-400S-2S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	200 MA	125W	18.4db											-			50 V
PDTC115TE，115	-	RFQ	4771	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC115			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	100 @ 1mA，5V		100 kohms
PZTA14,135	0.0900	RFQ	9722	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.25 w	SOT-223	下载					Ear99	8541.29.0075	200																	30 V	500 MA		100NA	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
BST16,115	-	RFQ	6891	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BST1			1.3 w	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000																	300 v	200 MA		100NA（ICBO）	PNP	750mv @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	15MHz
BFU530WF	0.1023	RFQ	2836	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFU530			450MW	SC-70	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067694135	Ear99	8541.21.0075	10,000					12.5db												12V	40mA			NPN		60 @ 10mA，8v	11GHz			1.1db @ 1.8GHz
PDTA143EU，115	-	RFQ	8257	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTA14					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
PEMB16,115	-	RFQ	6307	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PEMB1					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000
BLF1820-90,112	-	RFQ	4535	NXP USA Inc.	-	管子	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502A	BLF18	2GHz	ldmos		最多	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	60		12a	750 MA	90W	11DB											-			26 V
MRF373ALSR1	-	RFQ	9696	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		底盘安装	NI-360S	MRF37	860MHz	ldmos		NI-360S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500		-	200 MA	75W	18.2db											-			32 v
BUK9C5R3-100EJ	-	RFQ	4684	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	buk9c5		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934067487118	Ear99	8541.29.0095	800	n通道					100 v	-		-	-				-	-
BFG67/X，215	-	RFQ	9908	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BFG67			380MW	SOT-143B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					-												10V	50mA			NPN		60 @ 15mA，5V	8GHz			1.3db @ 1GHz
PDTA144VK，115	-	RFQ	4705	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTA144			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	40 @ 5mA，5V		47科姆斯	10 kohms
PDTC143TU，135	0.0200	RFQ	110	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PDTC14					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000
NXP3875G，215	0.0200	RFQ	1	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.21.0095	1
BCV47,215	-	RFQ	2332	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCV47					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BFR505T，115	-	RFQ	5108	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BFR50			150MW	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					-												15V	18mA			NPN		60 @ 5mA，6v	9GHz			1.2db〜2.1dB @ 900MHz
BUK9E2R3-40E，127	-	RFQ	1962年	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	buk9		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					40 V	120A（TC）	5V，10V	2.2MOHM @ 25A，10V	2.1V @ 1mA	87.8 NC @ 5 V	±10V	13160 PF @ 25 V	-	293W（TC）
MRF6S9160HR5	-	RFQ	9536	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	68 v		底盘安装	SOT-957A	MRF6	880MHz	ldmos		NI-780H-2L	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50		-	1.2 a	35W	20.9db											-			28 V
PDTA143XE，115	-	RFQ	8017	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTA143			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	100 ma		1µA	pnp-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，5V		4.7科姆斯	10 kohms
BUK7511-55A，127	-	RFQ	5183	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Buk75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					55 v	75A（TC）	10V	11mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA		±20V	3093 PF @ 25 V	-	166W（TC）
MRF8S9102NR3	-	RFQ	2105	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	70 v		表面安装	OM-780-2	MRF8	920MHz	ldmos		OM-780-2	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250		-	750 MA	28W	23.1db											-			28 V
2PA1774S，115	-	RFQ	3175	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	2PA17			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	150 ma		100NA（ICBO）	PNP	200mv @ 5mA，50mA	270 @ 1mA，6v	100MHz
MRF7S21170HR5	-	RFQ	4660	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	SOT-957A	MRF7	2.17GHz	ldmos		NI-880H-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50		-	1.4 a	50W	16dB											-			28 V
BSN304,126	-	RFQ	9918	NXP USA Inc.	-	（TB）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BSN3		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道					300 v	300mA（TA）	2.4V，10V	6ohm @ 250mA，10v	2V @ 1mA		±20V	120 pf @ 25 V	-	1W（ta）
PDTC115EK，115	-	RFQ	3416	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PDTC115			250兆	SMT3; mpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																	50 V	20 ma		1µA	npn-预先偏见	150mv @ 250µA，5mA	80 @ 5mA，5V		100 kohms	100 kohms
BC557B，112	-	RFQ	2655	NXP USA Inc.	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC55			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																	45 v	100 ma		15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
PBSS4032SP，115	-	RFQ	7442	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PBSS4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000
PHP174NQ04LT，127	-	RFQ	2807	NXP USA Inc.	Trenchmos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PHP17		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	64 NC @ 5 V	±15V	5345 pf @ 25 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²