晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
PHU77NQ03T,127	-	询价	8351	恩智浦	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	PHU77		MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道					25V	75A（温度）	10V	9.5毫欧@25A，10V	3.2V@1mA	17.1nC@10V	±20V	12V时为860pF	-	107W（温度）
PSMN070-200P,127-恩智浦	-	询价	8242	恩智浦	TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1,000		N沟道					200V	35A（温度）	10V	70毫欧@17A，10V	4V@1mA	77nC@10V	±20V	4570pF@25V	-	250W（温度）
BF1203,115	-	询价	5300	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	10V			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BF120	400兆赫	场效应晶体管		6-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	N 沟道双感应		30毫安	15毫安	-	27分贝											1分贝			5V
PMDPB28UN,115	-	询价	4161	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	6-UDFN 裸露焊盘	聚甲基二苯醚		MOSFET（金属O化物）	510毫W	6-休森 (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）						20V	4.6A		37毫欧@4.6A，4.5V	1V@250μA	4.7nC@4.5V		265pF@10V	逻辑电平门
BFG424F,115	-	询价	5653	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		表面贴装	SOT-343 反向引脚	BFG42			135毫W	4-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000						23分贝												4.5V	30毫安			NPN		50@25mA，2V	25GHz			0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
BFM520,115	-	询价	7061	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		175°C（太焦）		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BFM52			1W	6-TSSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000						-												8V	70毫安			2 NPN（双）		60@20mA，6V	9GHz			1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
BUK9675-100A/C1J	-	询价	2570	恩智浦	*	卷带式 (TR)	过时的						山毛洼96					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人
PDTA123YT,215	0.0200	询价	162	恩智浦	*	大部分	的积极						PDTA12					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
PSMN7R8-120PS127	-	询价	4606	恩智浦	*	大部分	的积极											下载						0000.00.0000	1
ON5451,518	-	询价	第1667章	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极					-	ON5451	-	-		-	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	934063297518	EAR99	8541.29.0095	2,000	-		-		-	-											-
PMD5003K,115	-	询价	1869年	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	40V		感应驱动器	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PMD50				SMT3；帕金克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	3,000			1A																			PNP + 基极-发射极
2PA1774SMB，315	0.0600	询价	127	恩智浦	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）		表面贴装	SC-101、SOT-883				250毫W	DFN1006-3	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		40V	100毫安		100nA（ICBO）	国民党	200毫伏@5毫安，50毫安	270@1mA，6V	100兆赫兹
PDTA123JK,115	-	询价	1760	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的				表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PDTA123			250毫W	SMT3；帕金克	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	9,000																		50V	100毫安		1微安	PNP - 预偏置	100mV@250μA，5mA	100@10mA，5V		2.2欧姆	47欧姆
PSMN2R9-25YLC/GFX	-	询价	4100	恩智浦	*	大部分	过时的						PSMN2					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	1
ON5520215	0.0200	询价	6925	恩智浦	*	大部分	的积极											下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
A5G35H055NT4	22.5600	询价	7758	恩智浦	*	卷带式 (TR)	的积极											-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500
MW6S004NT1	15.1400	询价	2137	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	68V			表面贴装	PLD-1.5	MW6S004	1.96GHz	LDMOS		PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000			-	50毫安	4W	18分贝											-			28V
MRF24G300HSR5	136.8900	询价	153	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	125V			表面贴装	NI-780S-4L	磁流变24	2.4GHz～2.5GHz	场效应晶体管		NI-780S-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50	2 个 N 沟道（双）		-		300W	15.3分贝											-			48V
2PD602AS	-	询价	2002年	恩智浦	*	大部分	的积极											下载						0000.00.0000	1
MRF5S19100HSR5	-	询价	8688	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			安装结构	NI-780S	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50			-	1A	22W	13.9分贝											-			28V
PHX8NQ11T,127	-	询价	7652	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全封装，隔离片	PHX8		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					110V	7.5A（温度）	10V	180mOhm@6A，10V	4V@1mA	14.7nC@10V	±20V	360pF@25V	-	27.7W（温度）
BUK9524-55A,127	-	询价	7249	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-220-3	山毛洼95		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	46A（温度）	4.5V、10V	21.7毫欧@25A，10V	2V@1mA		±10V	1815pF@25V	-	105W（温度）
BUK9606-75B,118	-	询价	8574	恩智浦	*	大部分	的积极						山毛洼96					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800
2N5551,116	-	询价	6708	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	2N55			630毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																		160伏	300毫安		50nA（ICBO）	NPN	200毫伏@5毫安，50毫安	80@10mA，5V	300兆赫
BUK7E07-55B,127	-	询价	7335	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	山毛禅7		MOSFET（金属O化物）		I2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					55V	75A（温度）	10V	7.1毫欧@25A，10V	4V@1mA	53nC@10V	±20V	3760pF@25V	-	203W（温度）
MRF6S19060MR1	-	询价	7994	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V				TO-270-4	MRF6	1.93GHz	LDMOS		TO-270 WB-4	下载	不符合 RoHS 指令	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	500			-	第610章	12W	16分贝											-			28V
恩智浦3875G,215	0.0200	询价	1	恩智浦	*	大部分	的积极											下载					EAR99	8541.21.0095	1
MRF9045LSR1	-	询价	4168	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			安装结构	NI-360S	MRF90	945兆赫	LDMOS		NI-360S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.21.0075	500			-	350毫安	45W	18.8分贝											-			28V
PDTB114EUF	-	询价	3279	恩智浦	-	大部分	的积极				表面贴装	SC-70、SOT-323	PDTB114			300毫W	SOT-323	下载					EAR99	8541.21.0075	1																		50V	500毫安		500纳安	NPN - 预偏置	100毫伏@2.5毫安、50毫安	70@50mA，5V	140兆赫	10欧姆	10欧姆
MRF6V3090NBR1	-	询价	2592	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	110V			安装结构	TO-272BB	MRF6	860兆赫	LDMOS		TO-272 WB-4	-	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935310252528	EAR99	8541.29.0075	500			-	350毫安	18W	22分贝											-			50V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²