SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 电压 -故障( v br(br)GSS) 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) 电压 -截止( -vgs Off) @ ID 当前 -收集器截止(最大) 电阻-RDS((在) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
BUT11AI,127 NXP USA Inc. But11ai,127 -
RFQ
ECAD 6675 0.00000000 NXP USA Inc. - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 But11 100 W TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 450 v 5 a 1ma NPN 1.5V @ 330mA,2.5a 14 @ 500mA,5V -
MRF19030LSR5 NXP USA Inc. MRF19030LSR5 -
RFQ
ECAD 1502 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 Ni-400s MRF19 1.96GHz ldmos Ni-400s 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 5A991G 8542.31.0001 50 - 300 MA 30W 13DB - 26 V
MRF5S21130HR5 NXP USA Inc. MRF5S21130HR5 -
RFQ
ECAD 7804 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 SOT-957A MRF5 2.11GHZ〜2.17GHz ldmos NI-880H-2L 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 5A991G 8541.29.0075 50 - 1.2 a 28W 13.5dB - 28 V
BFU660F,115 NXP USA Inc. BFU660F,115 0.6600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-343F BFU660 225MW 4-DFP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 12db〜21dB 5.5V 60mA NPN 90 @ 10mA,2V 21GHz 0.6db〜1.2db @ 1.5GHz〜5.8GHz
MRF8S9232NR3 NXP USA Inc. MRF8S9232NR3 -
RFQ
ECAD 3622 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 70 v 表面安装 OM-780-2 MRF8S9232 960MHz MOSFET OM-780-2 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935310851528 Ear99 8541.29.0095 250 n通道 - 1.4 a 63W 18.1db - 28 V
PHT8N06LT,135 NXP USA Inc. PHT8N06LT,135 -
RFQ
ECAD 1176 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA PHT8 MOSFET (金属 o化物) SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 55 v 3.5A(ta) 5V 80mohm @ 5A,5V 2V @ 1mA 11.2 NC @ 5 V ±13V 650 pf @ 25 V - 1.8W(ta),8.3W(TC)
BUK98150-55A,135 NXP USA Inc. BUK98150-55A,135 -
RFQ
ECAD 8411 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA Buk98 MOSFET (金属 o化物) SC-73 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 55 v 5.5A(TC) 4.5V,10V 137MOHM @ 5A,10V 2V @ 1mA 5.3 NC @ 5 V ±15V 320 pf @ 25 V - 8W(TC)
PDTD114EU135 NXP USA Inc. PDTD114EU135 0.0400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 10,000
AFT05MP075GNR1 NXP USA Inc. AFT05MP075GNR1 15.7228
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 40 V 表面安装 TO-270BB AFT05 520MHz ldmos TO-270 WB-4 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935311172528 5A991G 8541.29.0040 500 双重的 - 400 MA 70W 18.5db - 12.5 v
J112,126 NXP USA Inc. J112,126 -
RFQ
ECAD 2286 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) J112 400兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 n通道 40 V 6pf @ 10V(vgs) 40 V 5 ma @ 15 V 1 V @ 1 µA 50欧姆
PMBFJ112,215 NXP USA Inc. PMBFJ112,215 -
RFQ
ECAD 8937 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 PMBFJ1 300兆 SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 40 V 6pf @ 10V(vgs) 40 V 5 ma @ 15 V 5 V @ 1 µA 50欧姆
BFS17A,215 NXP USA Inc. BFS17A,215 -
RFQ
ECAD 6302 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BFS17 300MW SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 - 15V 25mA NPN 25 @ 2mA,1V 2.8GHz 2.5db @ 800MHz
BUK661R8-30C,118 NXP USA Inc. BUK661R8-30C,118 1.1300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 120A(TC) 4.5V,10V 1.9mohm @ 25a,10v 2.8V @ 1mA 168 NC @ 10 V ±16V 10918 PF @ 25 V - 263W(TC)
MRF8S18120HSR5 NXP USA Inc. MRF8S18120HSR5 -
RFQ
ECAD 2568 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 65 v 底盘安装 NI-780 MRF8 1.81GHz ldmos NI-780 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 935310108178 5A991G 8541.29.0075 50 - 800 MA 72W 18.2db - 28 V
BUK7E1R6-30E,127 NXP USA Inc. BUK7E1R6-30E,127 -
RFQ
ECAD 8847 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA buk7 MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 30 V 120A(TC) 10V 1.6mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 154 NC @ 10 V ±20V 11960 pf @ 25 V - 349W(TC)
PMD9002D,115 NXP USA Inc. PMD9002D,115 -
RFQ
ECAD 8580 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 50V NPN,45V NPN MOSFET驾驶员 表面安装 SC-74,SOT-457 PMD90 SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 100mA NPN,100mA NPN 2 NPN (图腾杆)
BFU550215 NXP USA Inc. BFU550215 0.2500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000
BUK9614-55A,118 NXP USA Inc. BUK9614-55A,118 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 Buk96 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800
BFU550AR NXP USA Inc. BFU550AR 0.3800
RFQ
ECAD 138 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BFU550 450MW SOT-23(TO-236AB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 18db 12V 50mA NPN 60 @ 15mA,8v 11GHz 0.6dB @ 900MHz
PDTA123YS,126 NXP USA Inc. PDTA123YS,126 -
RFQ
ECAD 8548 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTA123 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 35 @ 5mA,5v 2.2 kohms 10 kohms
PDTC124XE,115 NXP USA Inc. PDTC124XE,115 -
RFQ
ECAD 1097 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTC124 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 80 @ 5mA,5V 22 KOHMS 47科姆斯
BC848B,215 NXP USA Inc. BC848B,215 0.0200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BC84 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000
PDTC123EE,115 NXP USA Inc. PDTC123EE,115 -
RFQ
ECAD 3304 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-75,SOT-416 PDTC123 150兆 SC-75 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 30 @ 20mA,5v 2.2 kohms 2.2 kohms
BF1201WR,115 NXP USA Inc. BF1201WR,115 -
RFQ
ECAD 1974年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 10 v 表面安装 SC-82A,SOT-343 BF120 400MHz MOSFET CMPAK-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道双门 30mA 15 ma - 29dB 1dB 5 v
BLF6G20LS-180RN112 NXP USA Inc. BLF6G20LS-180RN112 84.7000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0075 1
BC807-40,235 NXP USA Inc. BC807-40,235 -
RFQ
ECAD 2638 0.00000000 NXP USA Inc. 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 250兆 SOT-23 下载 0000.00.0000 1 45 v 500 MA 100NA(ICBO) PNP 700mv @ 50mA,500mA 250 @ 100mA,1V 80MHz
BFG520W,115 NXP USA Inc. BFG520W,115 -
RFQ
ECAD 1947年 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 SOT-343反向固定 BFG52 500MW 4-so 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 - 15V 70mA NPN 60 @ 20mA,6v 9GHz 1.1db〜2.1dB @ 900MHz
PDTC124XS,126 NXP USA Inc. PDTC124XS,126 -
RFQ
ECAD 4984 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTC124 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 80 @ 5mA,5V 22 KOHMS 47科姆斯
MRF8S23120HSR5 NXP USA Inc. MRF8S23120HSR5 -
RFQ
ECAD 7190 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 65 v 底盘安装 NI-780 MRF8 2.3GHz ldmos NI-780 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 50 - 800 MA 28W 16dB - 28 V
PDTD113ES,126 NXP USA Inc. PDTD113ES,126 -
RFQ
ECAD 9705 0.00000000 NXP USA Inc. - (TB) 过时的 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) PDTD113 500兆 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,000 50 V 500 MA 500NA npn-预先偏见 300mv @ 2.5mA,50mA 33 @ 50mA,5V 1 kohms 1 kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库