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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
MRF6V3090NBR1 NXP USA Inc. MRF6V3090NBR1 -
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ECAD 2592 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 110V 安装结构 TO-272BB MRF6 860兆赫 LDMOS TO-272 WB-4 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 935310252528 EAR99 8541.29.0075 500 - 350毫安 18W 22分贝 - 50V
BF1201WR,115 NXP USA Inc. BF1201WR,115 -
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ECAD 1974年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 10V 表面贴装 SC-82A、SOT-343 BF120 400兆赫 场效应晶体管 CMPAK-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 15毫安 - 29分贝 1分贝 5V
BFM520,115 NXP USA Inc. BFM520,115 -
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ECAD 7061 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 BFM52 1W 6-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 - 8V 70毫安 2 NPN(双) 60@20mA,6V 9GHz 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
MRF6P9220HR3 NXP USA Inc. MRF6P9220HR3 -
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ECAD 2989 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-860C3 MRF6 880兆赫 LDMOS NI-860C3 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 1.6安 47W 20分贝 - 28V
MRF8P20165WHSR3 NXP USA Inc. MRF8P20165WHSR3 -
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ECAD 6590 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 表面贴装 NI-780S-4L MRF8 1.98GHz~2.01GHz LDMOS NI-780S-4L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935314475128 EAR99 8541.29.0075 250 双重的 - 550毫安 37W 14.8分贝 - 28V
MRF5S21045MBR1 NXP USA Inc. MRF5S21045MBR1 -
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ECAD 5175 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V TO-272-4 MRF5 2.11GHz~2.17GHz LDMOS TO-272 WB-4 下载 不符合 RoHS 指令 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 500毫安 10W 14.5分贝 - 28V
BF861B,215 NXP USA Inc. BF861B,215 -
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ECAD 8477 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 25V 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BF861 - 结型场效应晶体管 SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 15毫安 - - -
A3T18H408W24SR3 NXP USA Inc. A3T18H408W24SR3 -
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ECAD 8075 0.00000000 恩智浦 * 卷带式 (TR) 过时的 A3T18 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250
MRFE6VP6300HR3 NXP USA Inc. MRFE6VP6300HR3 -
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ECAD 6973 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 130伏 安装结构 NI-780-4 MRFE6 230兆赫 LDMOS NI-780-4 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935317343128 EAR99 8541.29.0075 250 双重的 - 100毫安 300W 26.5分贝 - 50V
BC847W,135 NXP USA Inc. BC847W,135 0.0200
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ECAD 650 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0075 1 45V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 400毫伏@5毫安、100毫安 110@2mA,5V 100兆赫兹
BUK7628-100A/C,118 NXP USA Inc. BUK7628-100A/C,118 -
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ECAD 6717 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 山毛洼7628 MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 934060683118 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 100伏 47A(温度) 10V 28毫欧@25A,10V 4V@1mA ±20V 3100pF@25V - 166W(温度)
PSMN3R5-80PS NXP USA Inc. PSMN3R5-80PS -
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ECAD 4544 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0095 1
PDTA123ET,215 NXP USA Inc. PDTA123ET,215 0.0200
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ECAD 1850年 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PDTA12 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
BCV62B,215 NXP USA Inc. BCV62B,215 0.1400
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ECAD 第438章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BCV62 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
BLF8G10LS-270V,112 NXP USA Inc. BLF8G10LS-270V,112 79.6700
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ECAD 13 0.00000000 恩智浦 - 管子 的积极 65V SOT-1244B BLF8 871.5MHz~891.5MHz LDMOS CDFM6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 5 - 2A 67W 19.5分贝 - 28V
BF1215,115 NXP USA Inc. BF1215,115 -
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ECAD 5905 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 6V 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 BF121 400兆赫 场效应晶体管 6-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N 沟道双感应 30毫安 19毫安 - 30分贝 1.5分贝 5V
PBRN123YS,126 NXP USA Inc. PBRN123YS,126 -
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ECAD 4755 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PBRN123 700毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 2,000 40V 800毫安 500纳安 NPN - 预偏置 1.15V@8mA,800mA 500@300mA,5V 2.2欧姆 10欧姆
MRF6S23100HSR5 NXP USA Inc. MRF6S23100HSR5 -
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ECAD 7920 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 NI-780S MRF6 2.4GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 50 - 1A 20W 15.4分贝 - 28V
BUK9520-55A,127 NXP USA Inc. BUK9520-55A,127 -
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ECAD 8220 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 山毛洼95 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 55V 54A(温度) 4.5V、10V 18毫欧@25A,10V 2V@1mA ±10V 2210pF@25V - 118W(温度)
PBSS4420D,115 NXP USA Inc. PBSS4420D,115 -
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ECAD 4950 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBSS4 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
BFU730F,115 NXP USA Inc. BFU730F,115 0.6700
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ECAD 89 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-343F BFU730 197毫W 4-DFP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 - 2.8V 30毫安 NPN 205@2mA,2V 55GHz 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
BUK9509-40B,127 NXP USA Inc. BUK9509-40B,127 0.4400
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ECAD 6 0.00000000 恩智浦 * 管子 的积极 山毛洼95 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
MRF6VP11KHR5 NXP USA Inc. MRF6VP11KHR5 -
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ECAD 1933年 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 110V 安装结构 NI-1230S-4 GW MRF6 130兆赫 LDMOS NI-1230S-4 海鸥 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 150毫安 1000W 26分贝 - 50V
A5G26H110N-2496 NXP USA Inc. A5G26H110N-2496 368.5200
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ECAD 5554 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 125V 表面贴装 6-LDFN 裸露焊盘 2.496GHz~2.69GHz - 6-PDFN (7x6.5) - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 568-A5G26H110N-2496 EAR99 8541.29.0095 1 - - 50毫安 15W 17.7分贝 - 48V
MRF8S18260HR5 NXP USA Inc. MRF8S18260HR5 -
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ECAD 6992 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 65V 安装结构 SOT-1110A MRF8 1.81GHz LDMOS NI1230-8 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0075 50 双重的 - 1.6安 74W 17.9分贝 - 30V
PBSS9110D/S911115 NXP USA Inc. PBSS9110D/S911115 0.0800
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ECAD 51 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PBSS4230PANP,115 NXP USA Inc. PBSS4230PANP,115 0.1600
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ECAD 21 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 6-UFDFN 裸露焊盘 PBSS4230 510毫W 6-休森 (2x2) 下载 EAR99 8541.29.0075 1,868 30V 2A 100nA(ICBO) NPN、PNP 290mV@200mA,2A 200@1A,2V 120兆赫
PBHV9115Z,115 NXP USA Inc. PBHV9115Z,115 -
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ECAD 6995 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBHV9 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000
PSMN010-55D,118 NXP USA Inc. PSMN010-55D,118 -
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ECAD 8606 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PSMN0 MOSFET(金属O化物) DPAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 55V 75A(温度) 4.5V、10V 10.5毫欧@25A,10V 2V@1mA 55nC@5V ±15V 3300pF@20V - 125W(温度)
PBLS2023D,115 NXP USA Inc. PBLS2023D,115 0.1200
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ECAD 12 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PBLS20 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库