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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
MRF6S21060NBR1 NXP USA Inc. MRF6S21060NBR1 -
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ECAD 1801 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 TO-272BB MRF6 2.12GHz LDMOS TO-272 WB-4 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 第610章 14W 15.5分贝 - 28V
PHPT60610PYX NXP USA Inc. PHPT60610PYX -
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ECAD 9450 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 175°C(太焦) 表面贴装 SC-100、SOT-669 PHPT60610 1.5W LFPAK56,电源-SO8 下载 EAR99 8541.29.0075 1 60V 10A 100纳安 国民党 470mV@1A、10A 120@500mA,2V 85兆赫
BLF6G13LS-250P,112 NXP USA Inc. BLF6G13LS-250P,112 215.6600
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ECAD 12 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 100伏 表面贴装 SOT-1121B 1.3GHz LDMOS LDMOST 下载 EAR99 8541.29.0075 1 - 100毫安 250W 17分贝 - 50V
MRF5S4140HSR5 NXP USA Inc. MRF5S4140HSR5 -
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ECAD 3797 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF5 465兆赫 LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.25安 28W 21分贝 - 28V
BFG590/X,215 NXP USA Inc. BFG590/X,215 -
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ECAD 4324 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA BFG59 400毫W SOT-143B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 - 15V 200毫安 NPN 60@70mA,8V 5GHz -
MRF6S27085HR5 NXP USA Inc. MRF6S27085HR5 -
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ECAD 5305 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 SOT-957A MRF6 2.66GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 900毫安 20W 15.5分贝 - 28V
BUK7Y25-80E/GFX NXP USA Inc. BUK7Y25-80E/GFX -
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ECAD 6852 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SC-100、SOT-669 山毛禅7 MOSFET(金属O化物) LFPAK56,电源-SO8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,500人 N沟道 80V 39A(温度) 10V 25毫欧@10A,10V 4V@1mA 10V时为25.9nC ±20V 1800pF@25V - 95W(温度)
MRF6V3090NR1 NXP USA Inc. MRF6V3090NR1 -
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ECAD 4392 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 110V 表面贴装 TO-270AB MRF6 860兆赫 LDMOS TO-270 WB-4 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 350毫安 18W 22分贝 - 50V
BC859CW/ZL115 NXP USA Inc. BC859CW/ZL115 0.0200
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ECAD 280 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
PBSS8110S,126 NXP USA Inc. PBSS8110S,126 -
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ECAD 3151 0.00000000 恩智浦 - 胶带和盒子 (TB) 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 PBSS8 830毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 2,000 100伏 1A 100纳安 NPN 200mV@100mA,1A 150@250mA,10V 100兆赫兹
BSR12,215 NXP USA Inc. BSR12,215 -
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ECAD 1068 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BSR1 250毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 15V 100毫安 50纳安 国民党 450mV@10mA、100mA 30@50mA,1V 1.5GHz
ON5441,518 NXP USA Inc. ON5441,518 -
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ECAD 6986 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 - ON5441 - - - - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 934063296518 EAR99 8541.29.0095 2,000 - - - - -
MRF8P23080HR3 NXP USA Inc. MRF8P23080HR3 -
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ECAD 3999 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780-4 MRF8 2.3GHz LDMOS NI-780-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 935314247128 EAR99 8541.29.0075 250 双重的 - 280毫安 16W 14.6分贝 - 28V
PBSS4160PANPS115 NXP USA Inc. PBSS4160PANPS115 0.1300
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ECAD 12 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 2,423
MRF6VP21KHR5 NXP USA Inc. MRF6VP21KHR5 883.3100
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ECAD 3 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 110V 安装结构 NI-1230 MRF6 225兆赫 LDMOS NI-1230 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 150毫安 1000W 24分贝 - 50V
PBLS2004D,115 NXP USA Inc. PBLS2004D,115 0.0700
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ECAD 15 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 表面贴装 SC-74、SOT-457 PBLS20 SC-74 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
PDTA123EMB,315 NXP USA Inc. PDTA123EMB,315 0.0300
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ECAD 139 0.00000000 恩智浦 - 大部分 的积极 表面贴装 SC-101、SOT-883 PDTA123 250毫W DFN1006B-3 下载 EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 1微安 PNP - 预偏置 150mV@500μA,10mA 30@20mA,5V 180兆赫 2.2欧姆 2.2欧姆
PHP14NQ20T,127 NXP USA Inc. PHP14NQ20T,127 -
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ECAD 8953 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PHP14 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 200V 14A(温度) 10V 230毫欧@7A,10V 4V@1mA 38nC@10V ±20V 1500pF@25V - 125W(温度)
BUK6213-30C,118 NXP USA Inc. BUK6213-30C,118 -
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ECAD 1984年 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 山毛凹62 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 2,500人
MRF8P18265HSR5 NXP USA Inc. MRF8P18265HSR5 -
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ECAD 8158 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-1110B MRF8 1.88GHz LDMOS NI1230S-8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 800毫安 72W 16分贝 - 30V
BC849BW,115 NXP USA Inc. BC849BW,115 0.0200
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ECAD 第671章 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0075 1 30V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V 100兆赫兹
MRF6S21100HR5 NXP USA Inc. MRF6S21100HR5 -
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ECAD 6555 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 68V 安装结构 SOT-957A MRF6 2.11GHz~2.17GHz LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 950毫安 23W 15.9分贝 - 28V
MMRF1016HR5 NXP USA Inc. MMRF1016HR5 -
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ECAD 5779 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 120V 安装结构 SOT-979A MMRF1 225兆赫 LDMOS NI-1230-4H - 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935322153178 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 2.6安 125W 25分贝 - 50V
PHB18NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB18NQ10T,118 0.4500
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK 下载 EAR99 8541.29.0095 第727章 N沟道 100伏 18A(温度) 10V 90毫欧@9A,10V 4V@1mA 21nC@10V ±20V 633pF@25V - 79W(温度)
BFG25A/X,215 NXP USA Inc. BFG25A/X,215 -
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ECAD 6277 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 175°C(太焦) 表面贴装 TO-253-4、TO-253AA BFG25 32毫W SOT-143B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 - 5V 6.5毫安 NPN 50@500μA,1V 5GHz 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
MMRF1022HSR5 NXP USA Inc. MMRF1022HSR5 -
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ECAD 7159 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-1230-4LS2L MMRF1 2.14GHz LDMOS NI-1230-4LS2L 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 935323695178 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 500毫安 63W 16.2分贝 - 28V
PMSTA3904,135 NXP USA Inc. PMSTA3904,135 -
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ECAD 6870 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 PMSTA3904 200毫W SC-70 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934061808135 EAR99 8541.21.0075 10,000 40V 200毫安 50nA(ICBO) NPN 300毫伏@5毫安,50毫安 100@10mA,1V 300兆赫
PUMB2/ZLX NXP USA Inc. PUMB2/ZLX -
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ECAD 8798 0.00000000 恩智浦 * 大部分 过时的 泵MB2 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 1
MRF7S19080HSR3 NXP USA Inc. MRF7S19080HSR3 -
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ECAD 6781 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 NI-780S MRF7 1.99GHz LDMOS NI-780S 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 935319237128 EAR99 8541.29.0075 250 - 750毫安 24W 18分贝 - 28V
MRFG35010AR1 NXP USA Inc. MRFG35010AR1 -
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ECAD 3633 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 15V 安装结构 NI-360HF MRFG35 3.55GHz pHEMT场效应管 NI-360HF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 500 - 140毫安 1W 10分贝 - 12V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库